晶体基座及采用该基座的石英晶体谐振器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种基座及晶体谐振器，属于晶体谐振器结构技术领域。基座，由底板、引线及绝缘子烧结成型，特征在于所述晶体基座电镀锡铜合金层，所述绝缘子包括双孔绝缘子以及实心绝缘子，所述两引线置于所述双孔绝缘子内部。石英晶体谐振器，其特征在于所述外壳与所述晶体基座的底板封装构成晶体容置空间，所述晶片置于所述晶体容置空间内部，所述引线的钉头设有导电胶，所述晶片一端通过导电胶与引线连接，另一端搭置实心绝缘子上。本实用新型专利技术是无需焊接弹簧片，可实现自动点胶，直线微调。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

晶体基座及采用该基座的石英晶体谐振器
本技术涉及一种石英晶体谐振器基座，还涉及了一种由该基座构成的石英晶 体谐振器，属于石英晶体谐振器结构

技术介绍
目前，石英晶体振荡器的应用已有几十年的历史，其具有频率稳定度高这一特点， 故在电子
中一直占有重要的地位。尤其是信息技术(IT)产业的高速发展，更使这 种晶体振荡器焕发出勃勃生机。石英晶体振荡器在远程通信、卫星通信、移动电话系统、全 球定位系统(GPS)、导航、遥控、航空航天、高速计算机、精密计测仪器及消费类民用电子产 品中，作为标准频率源或脉冲信号源，提供频率基准，是目前其它类型的振荡器所不能替代 的。小型化、片式化、低噪声化、频率高精度化与高稳定度及高频化，是移动电话和平板电脑 为代表的便携式产品对石英晶体振荡器提出的要求。事实上石英晶体振荡器在发展过程 中，也面临像频率发生器这类电路的潜在威胁和挑战。此类振荡器只有在技术上不断创新， 才能延长其寿命周期，在竞争中占有优势。目前国内小型化的石英晶体谐振器类型主要有SMD6035，5032，3225以及圆柱形 石英晶体谐振器308，206。SMD属于贴片型石英晶体谐振器但是它所使用的基座及外壳生产工艺复杂几乎全 部依赖日本的一两家公司，其晶体生产设备也是相当昂贵的，所以国内生产的SMD晶体在 市场上是没有竞争力的。圆柱型石英晶体谐振器底板和外壳都实现了国产化但由于无法实现自动点胶和 直线微调，至今还采用人工点胶和人工上圈微调生产力严重落后导致圆柱型石英晶体谐振 器，生产不了频率高精度化与高稳定度的石英晶体谐振器。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种小型化、简单化、自动化程度高的石英晶体基座 以及由其构成的石英晶体谐振器，该石英晶体谐振器能够实现自动点胶、直线微调和高真 空冷压封装，现有设备只需经过简单改造就可以投产，节省了设备投资，同时实现了表面贴 装和插件通用。为实现上述目的，本技术采用的技术方案如下晶体基座，由底板1、引线2及绝缘子烧结成型，其特殊之处在于所述烧结成型的 晶体基座电镀有一层锡铜合金层，所述绝缘子包括分别安装于底板I两侧的用于穿设引线 2的双孔绝缘子3-1以及用于支撑晶片的实心绝缘子3-2，所述两条引线2均置于所述底板 I同侧的双孔绝缘子3-1内部；采用上述晶体基座的石英晶体谐振器，其特殊之处在于包括晶体基座及外壳5，所 述外壳5与所述晶体基座的底板I封装构成晶体容置空间，所述晶片4密封置于所述晶体 容置空间内部，所述引线2的钉头设有导电胶6，所述晶片4的一端通过导电胶6与引线2 连接，另一端搭置于实心绝缘子3-2上；所述外壳5由锌白铜基板外周镀覆镀镍层构成；所述底板I与外壳5之间为采用高真空冷压封装的过盈配合，在高真空环境中冷压封装使基座上电镀的锡铜合金与外壳5间形成锡环从而得到高气密性的石英晶体谐振器，电阻变化极小，频率稳定。本技术是一种小型化低成本高效率的石英晶体谐振器，能够替代部分SMD表面贴装型石英晶体谐振器以及圆柱型石英晶体谐振器，淘汰了圆柱型石英晶体谐振器落后的生产工艺，设计了引线在晶体的同一端，导电胶在晶片的一端，对晶片的束缚力小，导电胶直接点到钉头引线上无需焊接弹簧片，可实现自动点胶，直线微调。晶体生产厂家原有的生产设备经简单的改造就可以高效的生产出适应市场要求的频率高精度化与高稳定度的石英晶体谐振器。附图说明图1 :本技术晶体基座结构不意图；图2 图1的左视图； m图1a:实施例1的一种插件型高真空冷压封装无弹簧片石英晶体谐振器结构示意图;图1b:图1a的俯视图；图1c:图1a的左视图； m图2a:实施例2的一种贴片型闻真空冷压封装无弹黃片石英晶体谐振器结构不意图;图2b:图2a的俯视图；图2c:图2a的左视图；在图中，1、底板，2、引线，3-1、双孔绝缘子，3-2、实心绝缘子，4、晶片，5、外壳，6、导电胶，7、垫片。具体实施方式以下参照附图，给出本技术的具体实施方式，用来对本技术的构成进行进一步说明。晶体基座参考图1-2，由底板1、引线2及绝缘子烧结成型，所述烧结成型的晶体基座电镀有一层锡铜合金层，所述绝缘子包括分别安装于底板I两侧的用于穿设引线2的双孔绝缘子3-1以及用于支撑晶片的实心绝缘子3-2，所述两条引线2均置于所述底板I同侧的双孔绝缘子3-1内部。采用上述晶体基座的石英晶体谐振器，包括晶体基座及外壳5，所述外壳5与所述晶体基座的底板I封装构成晶体容置空间，所述晶片4密封置于所述晶体容置空间内部，所述引线2的钉头设有导电胶6，所述晶片4的一端通过导电胶6与引线2连接，另一端搭置于实心绝缘子3-2上；所述外壳5由锌白铜基板外周镀覆镀镍层构成；所述底板I与外壳5 之间为采用高真空冷压封装的过盈配合，在高真空环境中冷压封装使基座上电镀的锡铜合金与外壳5间形成锡环从而得到高气密性的石英晶体谐振器，电阻变化极小，频率稳定。实施例1本实施例涉及一种插件型的石英晶体谐振器参考图la、图lb、图lc，包括由底板I 和外壳5封装构成的晶体容置空间，所述晶片4密封置于所述晶体容置空间内部，所述两条 引线2均置于所述底板I同侧的引线孔内，所述引线2与所述底板I之间填充有为引线2绝 缘的双孔绝缘子3-1，所述底板I另一侧的通孔内填充有支撑晶片4用的实心绝缘子3-2 ； 所述晶片4的一端通过导电胶6与引线2连接，另一端搭置于实心绝缘子3-2上；由所述底板1、引线2及双孔绝缘子3-1和实心绝缘子3-2烧结形成的晶体基座电 镀有锡铜合金层；所述外壳5由锌白铜基板外周镀覆镀镍层构成；所述底板I由铁基板外周镀覆锡铜合金层构成，通过精密冲压成型使截面光亮带 达到80% ；所述铁基板厚度为O. 9 1. Omm,所述锡铜合金层的厚度为O. 02mm ；所述底板I与外壳5之间为采用高真空冷压封装的过盈配合，在高真空环境中冷 压封装使基座上电镀的锡铜合金与外壳5间形成锡环从而得到高气密性的石英晶体谐振 器，电阻变化极小，频率稳定。实施例2实施例涉及的是一种贴片型的石英晶体谐振器参考图2a、图2b、图2c，与实施例1 的不同之处在于，将所述两条引线2伸出底板I下部设为扁平状，所述底板I下部设有垫片 7，所述引线2穿出垫片7且折弯贴于垫片下面即可成为贴片型石英晶体谐振器。以上实施例的新型高真空冷压封装无弹簧片石英晶体谐振器，其设计要点及制作 过程如下1、晶体基座将底板、引线、绝缘子烧结成型后电镀锡铜合金制成晶体基座，其中 两条引线均设计在晶片的同一端，导电胶在晶片的一端，对晶片的束缚力小。所述绝缘子由 两个组成，双孔绝缘子为两引线绝缘，实心绝缘子用于支撑晶片。2、外壳外壳尺寸为6. 0mm*3. Omm(3. 5mm)，将外壳采用锌白铜镀镍精密冲压与底板过盈配合，气密性好。3、晶片所述晶片尺寸选择4. 5mm*2. 2mm及以下,频率范围从6MHz_50MHz,泛音频 率范围 30MHz-150MHz。4、上架点胶将镀银后晶片用自动点胶机使晶片通过导电胶与无弹簧片石英晶体 谐振器基座的两引线连接。点胶直接点在钉头引线上无需焊接弹簧片，可实现自动点胶、直 线微调。5、调频通过直线微调得到相应的频率。6、封装采用高真空冷压封装，比电阻焊本文档来自技高网...

【技术保护点】
晶体基座，由底板（1）、引线（2）及绝缘子烧结成型，其特征在于所述烧结成型的晶体基座电镀有一层锡铜合金层，所述绝缘子包括分别安装于底板（1）两侧的用于穿设引线（2）的双孔绝缘子（3?1）以及用于支撑晶片的实心绝缘子（3?2），所述两条引线（2）均置于所述底板（1）同侧的双孔绝缘子（3?1）内部。

【技术特征摘要】
1.晶体基座，由底板(I)、引线(2)及绝缘子烧结成型，其特征在于所述烧结成型的晶体基座电镀有一层锡铜合金层，所述绝缘子包括分别安装于底板(I)两侧的用于穿设引线(2)的双孔绝缘子(3-1)以及用于支撑晶片的实心绝缘子(3-2)，所述两条引线(2)均置于所述底板(I)同侧的双孔绝缘子(3-1)内部。2.采用权利要求1所述晶体基座的石英晶体谐振器，其特征在于包括晶体基座及外壳(5)，所述外壳(5)与所述晶体基座的...

【专利技术属性】
技术研发人员：綦俊强，
申请(专利权)人：烟台福峰电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：