【技术实现步骤摘要】
本技术涉及变频
,更具体地说,涉及一种变频器驱动模块中IGBT的替代装置。
技术介绍
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)也称为绝缘栅双极晶体管,是一种复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件,它同时具有MOSFET的高速开关及电压驱动特性和双极晶体管的低饱和电压特性,及易实现较大电流的能力,输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好、驱动电路简单,且通态电压低、耐压高和承受电流大,这些使得IGBT成为近年来电力电子领域中尤为瞩目的电力电子驱动器件。以逆变电路为核心的变频技术不断应用,发展迅速,日益增长,而且变频器驱动系统中普遍采用IGBT模块,皆因其性能完全优于传统功率器件,但是IGBT模块整体成本高,IGBT模块驱动功率居中,在应用中也会产生很大的热损耗,降低使用性能,甚至毁坏。
技术实现思路
有鉴于此,本技术提供一种变频器驱动模块中IGBT的替代装置,以实现能够提高系统的可靠性、降低系统的成本。为解决上述技术问题,本技术采用的技术方案为一种变频器驱动模块中IGBT的替代装置,包括整流电路、防浪涌电路、升压 ...
【技术保护点】
一种变频器驱动模块中IGBT的替代装置,其特征在于,包括:整流电路、防浪涌电路、升压电路、稳压电路、逆变电路、监测器和控制器;其中:所述整流电路与所述防浪涌电路电连接,对三相交流输入端进行整流;所述防浪涌电路与所述升压电路电连接,防止输入端接入瞬间电流过大;所述升压电路与所述稳压电路电连接,对所述整流电路输出的直流电压进行升压;所述稳压电路与所述逆变电路电连接,稳定所述整流电路输出的直流电压;所述逆变电路与所述监测器电连接,完成三相交流输出;所述监测器与所述控制器电连接,检测三相交流输出的温度、电流和电压信号,并将所述温度、电流和电压信号发送至所述控制器;所述控制器接收所述 ...
【技术特征摘要】
1.一种变频器驱动模块中IGBT的替代装置,其特征在于,包括整流电路、防浪涌电路、升压电路、稳压电路、逆变电路、监测器和控制器;其中 所述整流电路与所述防浪涌电路电连接,对三相交流输入端进行整流; 所述防浪涌电路与所述升压电路电连接,防止输入端接入瞬间电流过大; 所述升压电路与所述稳压电路电连接,对所述整流电路输出的直流电压进行升压; 所述稳压电路与所述逆变电路电连接,稳定所述整流电路输出的直流电压; 所述逆变电路与所述监测器电连接,完成三相交流输出; 所述监测器与所述控制器电连接,检测三相交流输出的温度、电流和电压信号,并将所述温度、电流和电压信号发送至所述控制器; 所述控制器接收所述温度、电流和电压信号,并根据所述温度、电流和电压信号控制所述逆变电路。2.根据权利要求1所述的变频器驱动模块中IGBT的替代装置,其特征在于,所述整流电路包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管和第六二极管;其中 所述第一二极管和第四二极管串联的中间节点与R相输入端相连; 所述第二二极管和第五二极管串联的中间节点与S相输入端相连; 所述第三二极管和第六二极管串联的中间节点与T相输入端相连。3.根据权利要求2所述的变频器驱动模块中IGBT的替代装置,其特征在于,所述防浪涌电路包括晶闸管、第一开关和第一电阻;其中 所述晶闸管、第一开关和第一电阻分别并联连接; 并联输入端与所述第三二极管的阴极电连接。4.根据权利要求3所述的变频器驱动模块中IGBT的替代装置,其特征在于,所述升压电路包括...
【专利技术属性】
技术研发人员:周放,
申请(专利权)人:湖南四菱工控技术有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。