宽脉冲频率调节范围的半导体激光泵浦全固态激光器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种宽脉冲频率调节范围的半导体激光泵浦全固态激光器，包括：半导体激光器，半导体激光器座，光学耦合镜组，光学耦合镜组座，反射腔镜，反射腔镜座，激光晶体，激光晶体座，被动调Q晶体，被动调Q晶体座，输出腔镜，输出腔镜座，基板，以及外壳；该激光器在被动调Q晶体和输出腔镜间的光路中，还设有可变衰减器和可变衰减器旋转驱动器，所述可变衰减器固定在可变衰减器旋转驱动器上；所述可变衰减器和可变衰减器旋转驱动器可以使通过的激光的频率调整为符合被动调Q晶体的初始透过率的频率。本实用新型专利技术弥补了被动调Q激光器不能调节激光输出频率的缺点，保证了被动调Q输出激光的优异特性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于激光
，特别涉及一种宽脉冲频率调节范围的半导体激光泵浦全固态激光器。
技术介绍
随着激光技术的不断发展，其应用领域也越来越广泛，同时，对激光参数的要求也越来越高。为了获得高的峰值功率和窄脉冲宽度，需要调Q技术，调Q技术包括转镜调Q，染料调Q，电光调Q，声光调Q等。目前最常用的调Q方式为声光调Q，声光调Q工作稳定，一般脉冲宽度可以达到数十纳秒(ns)，频率不高于200KHZ。电光调Q的优点是可以得到更窄的脉宽和更高的峰值功率。但是由于电光晶体容易潮解，这将极大影响使用寿命。这两种调Q方式都需要使用电子驱动设备来控制调Q的频率，故称为主动调Q。后来出现一种利用晶体的可饱和吸收效应进行调Q的技术，如用Cr4+ :YAG等晶体，其作用机理是利用饱和吸收效应，不需要外加的驱动控制源，故后来这种调Q技术称为被动调Q技术。被动调Q与主动调Q相比，晶体的被动调Q可以获得更窄的脉冲宽度，更高的重复频率，且工作稳定，寿命长。因此被动调Q在诸多领域有着广泛的应用。但是被动调Q激光器的激光脉冲输出无法通过外部控制实现输出激光频率的调节，在固定的泵浦功率和谐振腔构架条件下，激光的输出频率是固本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种宽脉冲频率调节范围的半导体激光泵浦全固态激光器，包括：半导体激光器（1），半导体激光器座（2），光学耦合镜组（3），光学耦合镜组座（4），反射腔镜（5），反射腔镜座（6），激光晶体（7），激光晶体座（8），被动调Q晶体（9），被动调Q晶体座（10），输出腔镜（13），输出腔镜座（14），基板（15），以及外壳（16）；所述半导体激光器（1）固定于半导体激光器座（2）上；光学耦合镜组（3）固定于光学耦合镜组座（4）中；反射腔镜（5）固定在反射腔镜座（6）内；激光晶体（7）固定在激光晶体座（8）内；被动调Q晶体（9）固定在被动调Q晶体座（10）内；输出腔镜（13）固定在输出腔镜座（14）内；输...

【技术特征摘要】
1.一种宽脉冲频率调节范围的半导体激光泵浦全固态激光器，包括 半导体激光器(1)，半导体激光器座(2)，光学耦合镜组(3)，光学耦合镜组座(4)，反射腔镜(5)，反射腔镜座(6)，激光晶体(7)，激光晶体座(8)，被动调Q晶体(9)，被动调Q晶体座(10)，输出腔镜(13)，输出腔镜座(14)，基板(15)，以及外壳(16);所述半导体激光器(I)固定于半导体激光器座(2)上；光学耦合镜组(3)固定于光学耦合镜组座(4)中；反射腔镜(5 )固定在反射腔镜座(6 )内；激光晶体(7 )固定在激光晶体座(8 )内；被动调Q晶体(9 )固定在被动调Q晶体座(10)内；输出腔镜(13)固定在输出腔镜座(14)内；输出腔镜座(14)均固定在基板(15)上，罩在外壳(16)中；输出腔镜(13)和反射腔镜(5)对称放置； 其特征在于，该激光器在被动调Q晶体(9)和输出腔镜(13)间的光路中，还设有可变衰减器(11)和可变衰减器旋转...

【专利技术属性】
技术研发人员：李斌，姚矣，郑权，
申请(专利权)人：长春新产业光电技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：