高应力平衡的红外探测器制造技术

本实用新型专利技术涉及红外成像技术领域，公开了一种高应力平衡的红外探测器，包括基底和微结构，微结构包括桥面、设置在桥面相对侧方向的两只桥腿和锚柱，桥腿的一边端部与桥面连接在一起，另一边端部通过锚柱连接在基底上，基底表面上设有反射膜层，桥面是悬空在该反射膜层的正上方，并与之形成真空间隙层，所述微结构的桥面采用了对称的薄膜结构，从下到上依次为应力缓冲层、吸收层、热敏感层、保护层和钝化层，应力更容易实现补偿，从而使桥面的结构非常平整和稳定，不会发生翘曲变形，降低了本实用新型专利技术的工艺实现难度。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及红外成像系统
的一种用于常温下的红外焦平面阵列探测器，针对的红外辐射波长范围是8 14i! m。
技术介绍
探测红外光波的红外辐射探测器，按探测原理分为光子型和热敏型探测器。光子型需要工作在液氦(约77K)制冷的环境中，而热敏型探测器通常工作在常温下，多个该种探测器单元以二维阵列的形式排列在芯片基底上，并将芯片置于红外辐射成像系统聚焦透镜的焦平面上时，则构成了用于常温下的红外焦平面阵列探测器(IRFPA)。这种用于常温下的红外探测器(IRFPA)通常包括两部分基底和微结构。微结构中包括1、用于吸收红外辐射并将其转化为热的装置；2、将该探测器对于基底热绝缘并以便探测器在红外热辐射的作用下可以实现温升的装置；3、热敏感装置，是在红外辐射的加热作用下，其自身的某些特性(例如电阻或者电阻率)随温度变化的部件。在基底上通常集成读取热敏感部分特性变化的电路装置，是利用标准的半导体工艺制造。对于红外焦平面阵列探测器，基底上的电路是一种能够施加电信号激励把探测器各个微结构单元(Pixel)的特性变化(例如电阻变化)转化为电信号(电流或者电压)、并对二维探测器阵列实现顺序寻址CMOS本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高应力平衡的红外探测器，包括微结构(10)和基底(20)，其中微结构(10)包括桥面(30)，设置在桥面相对侧方向的两只桥腿(40)和锚柱(70)，微结构(10)的桥腿(40)一边端部与桥面(30)连接在一起，另一边端部通过锚柱(70)连接在基底(20)上，所述的基底(20)为读出集成电路衬底，表面上设有反射膜层(60)；所述的微结构(10)的桥面(30)是悬空在基底(20)的上方，并与之上的反射膜层(60)形成真空间隙层，其特征在于：所述微结构的桥面薄膜对称。

【技术特征摘要】
1.一种高应力平衡的红外探测器，包括微结构(10)和基底(20)，其中微结构(10)包括桥面(30)，设置在桥面相对侧方向的两只桥腿(40)和锚柱(70)，微结构(10)的桥腿(40) 一边端部与桥面(30)连接在一起，另一边端部通过锚柱(70)连接在基底(20)上，所述的基底(20)为读出集成电路衬底，表面上设有反射膜层(60);所述的微结构(10)的桥面(30)是悬空在基底(20)的上方，并与之上的反射膜层(60)形成真空间隙层，其特征在于所述微结构的桥面薄膜对称。2.根据权利要求1所述的高应力平衡的红外探测器，其特征在于所述的桥面(30)从下到上依次为应力缓冲层(31)、吸收层(32)、热敏感层(33)、保护层(34)和钝化层(35)。3.根据权利要求2所述的高应力平衡的红外探测器，其特征在于吸收层(32)的薄膜和钝化层(35)的薄膜对称。4.根据权利要求2所述的高应力平衡的红外探测器，其特征在于所述的桥面(30...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄立，王大甲，
申请(专利权)人：武汉高德红外股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：