一种PTC陶瓷烧结方法技术

技术编号:8558762 阅读:241 留言:0更新日期:2013-04-10 22:39
本发明专利技术公开了一种正温度系数(PTC)陶瓷烧结方法。将PTC陶瓷素坯放入坩埚中,快速升温-保温、快速降温-保温、进一步快速升至稍高温度-保温三步烧结工艺,使烧结块体快速致密化,然后随炉冷却,使陶瓷的密度达到理论密度。通过改变陶瓷烧结工艺,使烧结块体经历较高的烧结温度后在较低温度保温,抑制了晶界的快速移动,可以获得晶粒细小且均匀的烧结块体,而进一步在稍高的温度处理,可以大大减少烧结时间,最终获得结构致密、晶粒尺寸均匀、具有较低室温电阻率和较高PTC效应的陶瓷,这些特性有利于满足PTC陶瓷传感器的高灵敏度、高可靠性、耐冲击性、高安全性等各种功能的要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种正温度系数(Positive Temperature Coefficient,简写为 PTC)陶瓷烧结方法,属于电子陶瓷制备领域。
技术介绍
在科学领域发展的作用下,信息是一种被检测和控制的对象,然而,信息的获取主要是来源于各种传感器。在各种传感器当中,正温度系数陶瓷,简称PTC陶瓷,广泛地应用于各个领域。随着微电子技术的发展,PTC陶瓷元器件的应用受到了一些限制,表现在不能在降低室温电阻率的同时保持高的PTC效应。因此,只有降低了室温电阻率,PTC陶瓷元器件才能应用到微电子电路以及强电流电路的过流保护中。通常用来降低PTC陶瓷元器件的室温电阻率的方法有三种第一是原料纯度,纯度低的原料很难获得低电阻值的PTC热敏电阻,而且容易导致PTC热敏电阻电性能恶化,生产工艺不稳定;第二是液相添加剂,可将有害杂质吸纳于晶界,利于晶粒的纯化,还可扩大烧结温区,降低烧结温度;第三是烧结工艺,通过改变升降温的速率以及保温的温度和时间等烧结工艺来提高陶瓷的致密性和均匀性,从而降低室温电阻率。第三种方法是不需要添加任何添加剂就能降低室温电阻率,而且还能降低成本,节约能源,因而受到广泛的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种正温度系数即Positive?Temperature?Coefficient简写为?PTC陶瓷的烧结方法,其特征在于具体步骤为:(1)将排胶以后的正温度系数陶瓷即PTC陶瓷素坯放入坩埚中,炉温以3~7℃/min的升温速率升至1300~1380℃,保温0~10分钟,使陶瓷的密度达到理论密度的75%以上;(2)步骤(1)完成后,炉温以100~200℃/min的降温速率降至1100~1190℃,保温120~240分钟,使陶瓷的密度达到理论密度的97%以上;(3)步骤(2)完成后,炉温以80~150℃/min的升温速率升至1200~1280℃,保温90~180分钟,使陶瓷的密度达到理论密度,然后随...

【技术特征摘要】
1.一种正温度系数即Positive Temperature Coefficient简写为PTC陶瓷的烧结方法,其特征在于具体步骤为(1)将排胶以后的正温度系数陶瓷即PTC陶瓷素坯放入坩埚中,炉温以3 7°C/min的升温速率升至130(Tl380°C,保温(TlO分钟,使陶瓷的密度达到理论密度的75%以上;...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘来君郑少英方亮黄延民史丹平
申请(专利权)人:桂林理工大学
类型:发明
国别省市:

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