制造半导体装置的方法和回流预处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及制造半导体装置的方法和回流预处理装置。本发明专利技术的方法包括如下步骤：将被焊接对象和用于捕获悬浮固体的过滤器两者都布置在预定位置处，其中在所述对象中布置了包含锡的焊料；以及在将所述被焊接对象和所述用于捕获悬浮固体的过滤器布置在所述预定位置处的同时，利用氢自由基对布置在所述被焊接对象中的所述焊料进行照射，其中在将所述被焊接对象和所述用于捕获悬浮固体的过滤器布置在所述预定位置处的同时，将所述氢自由基照射到通过所述用于捕获悬浮固体的过滤器之后的所述焊料上。本发明专利技术的回流预处理装置包含氢自由基发生器和用于捕获悬浮固体的过滤器。本发明专利技术能防止锡粘合到被焊接对象的形成有焊料凸块的部分的表面上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及回流预处理装置和回流预处理方法，特别地，涉及形成焊料凸块时所 使用的回流预处理装置和回流预处理方法。
技术介绍
在实施倒装芯片执行方式(FC连接倒装芯片连接)时在半导体芯片上形成的焊 料凸块是已知的。通过在低氧气氛中对布置在半导体芯片上的焊料进行热处理(回流处 理)而形成焊料凸块。将所述焊料凸块机械并电连接到在所述半导体芯片上形成的电极焊 盘(pad)上。在半导体芯片上布置焊料的方法可例示地有镀敷法、印刷法、焊球安装法等。所述 焊料例示性地有其中向作为主要成分的铅Pb中添加诸如锡Sn的成分的合金、或其中向作 为主要成分的锡Sn中添加银Ag和铜Cu的合金。在这种焊料中，如果以在其表面上直接形 成氧化膜的状态实施回流处理，则有时存在如下情况氧化膜抑制焊料的熔化并由此不能 将焊料形成为随后的FC连接所需要的凸块状。因此，在回流处理中，需要在对焊料进行热 处理之前或期间将氧化膜除去。除去氧化膜的方法例示性地有通过助熔剂使用还原反应的方法、和通过与还原气 体的反应将氧化膜除去的方法。所述还原气体例示性地有甲酸、氢等。在使用甲酸的处理 中，已知的是，半导体芯片上的电极焊盘之间的间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体装置的方法，包括如下步骤：将被焊接对象和用于捕获悬浮固体的过滤器两者都布置在预定位置处，其中在所述对象中布置了包含锡的焊料；以及在将所述被焊接对象和所述用于捕获悬浮固体的过滤器布置在所述预定位置处的同时，利用氢自由基对布置在所述被焊接对象中的所述焊料进行照射，其中在将所述被焊接对象和所述用于捕获悬浮固体的过滤器布置在所述预定位置处的同时，将所述氢自由基照射到通过所述用于捕获悬浮固体的过滤器之后的所述焊料上。

【技术特征摘要】
2011.09.28 JP 2011-2119071.一种制造半导体装置的方法，包括如下步骤 将被焊接对象和用于捕获悬浮固体的过滤器两者都布置在预定位置处，其中在所述对象中布置了包含锡的焊料；以及 在将所述被焊接对象和所述用于捕获悬浮固体的过滤器布置在所述预定位置处的同时，利用氢自由基对布置在所述被焊接对象中的所述焊料进行照射， 其中在将所述被焊接对象和所述用于捕获悬浮固体的过滤器布置在所述预定位置处的同时，将所述氢自由基照射到通过所述用于捕获悬浮固体的过滤器之后的所述焊料上。2.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，还包括如下步骤 在利用所述氢自由基对所述焊料进行照射的同时，将所述用于捕获悬浮固体的过滤器加热至所述用于捕获悬浮固体的过滤器捕获悬浮固体的温度。3.如权利要求2所述的制造半导体装置的方法，还包括如下步骤 在利用所述氢自由基对所述焊料进行照射的同时，相对于所述被焊接对象移动所述用于捕获悬浮固体的过滤器。4.如权利要求3所述的制造半导体装置的方法，还包括如下步骤 在利用所述氢自由基对所述焊料进行照射的同时，将所述焊料加热至除去氧化膜的温度。5.如权利要求1至4中任一项所述的制造半导体装置的方法，还包括如下步骤 通过将已经利用氢自由基进行照射的所述焊料熔化并凝固而形成多个焊料凸块。6.如权利要求5所述的制造半导体装置的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：清水裕司，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：