一种用于高压芯片内部的低压电源产生电路制造技术

本发明专利技术公开了一种用于高压芯片内部的低压电源产生电路，包括输入端VIN、输出端VREG3、第一电源电压VREF2、第二电源电压VSS、高低电平产生支路、两条电平转换支路和功率输出支路；高低电平产生支路包括第一电阻R3、第二电阻R4、第三电阻R5、电压比较器CMP1、延迟单元DEL和第一5V低压NMOS晶体管M2；两条电平转换支路包括第四电阻R6、第五电阻R7、第一40V高压NMOS晶体管M3、第二5V低压NMOS晶体管M4、第一理想电流源IREF1、第一电容C4和第二电容C5；功率输出支路包括第一40V高压PMOSM5、第二40V高压NMOS?M6和第三电容C6。本发明专利技术的电路只需几百pF稳压电容，具有响应速度快、输出电容需求小、稳定性好等显著的优点，特别适于高压芯片电路的设计。

【技术实现步骤摘要】
—种用于高压芯片内部的低压电源产生电路
本专利技术属于集成电路设计领域，涉及模拟集成电路，特别是一种用于高压芯片内部的低压电源产生电路。
技术介绍
随着电子器件的不断发展，高压芯片在诸如MEMS、汽车电子、等离子显示驱动、以及其他一些电子机械系统中得到了广泛的应用。在高压芯片的设计上，必然要选择具有高压器件的高压工艺，然而，由于高压器件具有尺寸大、电力能力小、工作速度慢、特性一致性差等缺点，在实际的高压芯片设计中，通常使用低压器件来构成芯片内部的运算和逻辑等基本单元。高压工艺本身既包含有高压器件，又包含有低压器件。高压器件主要起高压隔离作用，而低压器件则被用来完成信号的放大、运算、控制等核心功能。这种方法既保证了高压芯片的工作性能，又提高了芯片的集成度，降低了成本，已经成为高压芯片设计中的一种典型方式。在高压芯片设计中使用低压器件，常常需要一个低压电源为其低压器件供电，这个低压电源通常采用低漏失稳压器(Low-Dropout Regulator, LD0)来实现，LDO具有低噪声、高精度、应用简单等优点，被广泛应用于各类电子设备，特别是在对噪声敏感的系统上。 参见图1，是高压芯片内部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于高压芯片内部的低压电源产生电路，其特征在于，包括输入端VIN、输出端VREG3、第一电源电压VREF2、第二电源电压VSS、高低电平产生支路、两条电平转换支路和功率输出支路；其中：所述高低电平产生支路包括第一电阻R3、第二电阻R4、第三电阻R5、电压比较器CMP1、延迟单元DEL和第一5V低压NMOS晶体管M2；其中，第一电阻R3的上端与输入端VIN相连，下端与第二电阻R4的上端相连；第二电阻R4的下端与第三电阻R5的上端相连，第三电阻R5的下端与第二电源电压VSS相连；第一电阻R3、第二电阻R4、第三电阻R5串连且连接在输入端VIN和第二电源电压VSS之间构成分压支路，在R3与R4的...

【技术特征摘要】
1.一种用于高压芯片内部的低压电源产生电路，其特征在于，包括输入端VIN、输出端VREG3、第一电源电压VREF2、第二电源电压VSS、高低电平产生支路、两条电平转换支路和功率输出支路；其中 所述高低电平产生支路包括第一电阻R3、第二电阻R4、第三电阻R5、电压比较器CMP1、延迟单元DEL和第一 5V低压NMOS晶体管M2 ;其中，第一电阻R3的上端与输入端VIN相连，下端与第二电阻R4的上端相连；第二电阻R4的下端与第三电阻R5的上端相连，第三电阻R5的下端与第二电源电压VSS相连；第一电阻R3、第二电阻R4、第三电阻R5串连且连接在输入端VIN和第二电源电压VSS之间构成分压支路，在R3与R4的连接线上取一节点A，作为所述分压支路的电压输出端，节点A与CMPl的负端输入相连，CMPl的正端输入与第一电源电压VREF2相连，电压比较器CMPl的输出端与延迟单元DEL的输入端相连，延迟单元DEL的输出端为电平转换支路提供高低电平信号；在延迟单元DEL的输出端另引一条线与第一5V低压NMOS晶体管M2的栅极相连，M2的漏极连接到R4和R5的连线上，M2的源极连接到R5与VCC的连线上。所述两条电平转换支路包括第四电阻R6、第五电阻R7、第一 40V高压NMOS晶体管M3、第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：李演明，贾亚飞，全思，温立民，文常保，
申请(专利权)人：长安大学，
类型：发明
国别省市：