【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于一种可结合非晶硅(a-Si)与铜铟镓硒(CIGS)的太阳电池新颖技术，藉由两者所负责的工作光谱不同，可充分的利用入射的太阳光，达到高效率太阳电池的目标。
技术介绍
目前由于石化能源的渐渐耗尽，核能发电的危险性，火力发电的污染性，使得新兴能源的发展逐渐获得人们的关注，以太阳电池种类分类的话，可分为(I)单、多晶硅，因发展较早，目前市占率约80%;⑵新兴的薄膜太阳电池约占市场10%，包括非晶硅、微晶硅、碲化镉、铜铟镓硒等；(3)其余材料，如染料敏化太阳电池等，则因大面积生产与衰竭问题尚待解决，故量非常少。而本专利技术技术背景为针对非晶硅(a-Si)与铜铟镓硒(CIGS)太阳电 池来做整合并利用两者的优点来提升整体转换效率。
技术实现思路
本专利技术选择的非晶硅(a-Si)和铜铟镓硒(CIGS)材料在光谱的搭配十分优异，非晶硅的吸收光谱范围为可见光，而铜铟镓硒可吸收红外光，因此可大幅增加总体吸收光，增加电流密度，加上可因此而减薄非晶硅顶电池的厚度，降低光衰现象，而本专利技术最主要的技术就是如何结合两者的优点，关键在于利用两者各自的光伏板，于中间加入一乙烯醋酸乙烯酯(EVA)膜和高穿透率博离来结合，并结合四端点封装技术达到长久使用的可靠度与光的利用率。具体实施例方式兹将本专利技术非晶硅(a-Si)与铜铟镓硒(CIGS)组件结构说明如附附图说明图1，主要为先各分别利用等离子增强化学气相沉积法制备非晶硅单结太阳电池，与利用蒸镀法或硒化法制备铜铟镓硒太阳电池，并经由两片乙烯醋酸乙烯酯(EVA)与一高穿透率(低铁)玻璃配合四端点封装技术制成一太阳能电池组件，即...
【技术保护点】
本专利技术主要为先各分别利用等离子增强化学气相沉积法(PECVD)制备非晶硅(a?Si)单结太阳电池，与利用蒸镀法或硒化法制备铜铟镓硒(CIGS)太阳电池，并经由两片乙烯醋酸乙烯酯(EVA)与一高穿透率(低铁)玻璃配合四端点封装技术制成一太阳能电池组件。
【技术特征摘要】
1.本发明主要为先各分别利用等离子增强化学气相沉积法(PECVD)制备非晶硅(a-Si)单结太阳电池，与利用蒸镀法或硒化法制备铜铟镓硒(CIGS)太阳电池，并经由两片乙烯醋酸乙烯酯(EVA)与一高穿透率(低铁)玻璃配合四端点封装技术制成一太阳能电池组件。2.根据权利要求1所述的非晶硅单结太电池组件，包括氢化非晶硅(a-S1:H)、氦化非晶娃 (a-S1:He)与锗化非晶娃(a_SiGe)组件。3.根据权利要求1所述的非晶硅单结太电池组件，包括透明导电薄膜材料涵盖二氧化锡 (Sn02)透明导电膜、氧化锌参杂铝(ZnO = Al)透明导电膜、氧化锌参杂硼(ZnO:B)透明导电 膜与ITO透明导电膜。4.根据权利要求1所述的非晶硅单结太电池组件，包括金属导电层薄膜材料铝(Al)和银...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑佳仁，刘幼海，刘吉人，
申请(专利权)人：吉富新能源科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。