带有芯吸结构的低温冷却系统技术方案

本发明专利技术涉及带有芯吸结构的低温冷却系统。具体而言，一种低温冷却系统，包括：由外壁和内壁所限定的腔室，该腔室收容至少一个待冷却的构件；与腔室的外壁和内壁中的一者成热接触的芯吸结构；以及传输系统，其与腔室成间隔开的关系并流体地连接至芯吸结构以便往来于芯吸结构输送工作流体。本发明专利技术还提供的是一种包括该低温冷却系统的磁共振成像系统。

【技术实现步骤摘要】
带有芯吸结构的低温冷却系统
本专利技术总体上涉及一种用于成像系统的冷却系统，且更具体而言，涉及一种用于磁共振成像(MRI)装置中的低温冷却系统的芯吸(wicking)结构。
技术介绍
诸如磁共振成像(MRI)装置之类的成像装置通常用于在医疗环境中诊断患者。所产生的磁共振图像是因受外部磁场的存在所影响的、源自身体组织中的原子核的弱磁化图谱(map)。通过检测这些影响，MRI装置产生患者的内部组织和器官的详细图像，由此实现对患者的疾病、创伤以及其它生理症状的诊断。在传统MRI系统中，超导电磁体具有浸浴在诸如液氦之类的低温流体中的众多盘绕线环。该低温流体将盘绕线冷却至极低温度，从而将磁体维持在超导状态中。用于冷却成像装置构件的低温冷却系统利用足量的低温流体来提供局部冷却，由此提高了系统成本而且还增加了系统复杂性。通常，设置绝热材料和诸如真空区域之类的其它传热屏障以将磁体与低温流体隔离，从而阻碍磁体与环境之间的传热。遗憾的是，诸如MRI系统之类的低温系统利用大量冷却剂例如约1000至2000升的氦来向超导线圈和低温容器壁提供局部冷却。常规低温系统中所需的冷却剂非常昂贵。现有系统使用过量的氦来本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温冷却系统，包括：由外壁和内壁所限定的腔室，所述腔室收容至少一个待冷却的构件；芯吸结构，其与所述腔室的所述外壁和所述内壁中的一者成热接触；以及传输系统，其与所述腔室成间隔开的关系并流体地连接至所述芯吸结构以便往来于所述芯吸结构输送工作流体。

【技术特征摘要】
2011.09.23 US 13/2420571.一种低温冷却系统，包括：由外壁和内壁所限定的腔室，所述腔室收容至少一个待冷却的构件；芯吸结构，其与所述腔室的所述外壁和所述内壁中的一者成热接触；以及传输系统，其与所述腔室成间隔开的关系并流体地连接至所述芯吸结构以便往来于所述芯吸结构输送工作流体。2.根据权利要求1所述的低温冷却系统，其特征在于，所述芯吸结构包括烧结粒子。3.根据权利要求1所述的低温冷却系统，其特征在于，所述芯吸结构具有小于100纳米的孔隙大小。4.根据权利要求1所述的低温冷却系统，其特征在于，所述芯吸结构具有范围在100纳米至1微米内的孔隙大小。5.根据权利要求1所述的低温冷却系统，其特征在于，所述芯吸结构具有范围在0.1W/mK至400w/mK内的热导率。6.根据权利要求1所述的低温冷却系统，其特征在于，所述芯吸结构包括至少一种从以下材料组成的群组中选择的材料：不锈钢、铝、铜、二氧化硅、过渡金属的氧化物、陶瓷、聚合物。7.根据权利要求1所述的低温冷却系统，其特征在于，所述芯吸结构包括至少一种从以下材料组成的群组中选择的材料：不锈钢、铝、铜、AlN、BN、二氧化硅、聚合物。8.根据权利要求1所述的低温冷却系统，其特征在于，所述芯吸结构具有范围在200μm至5mm内的厚度。9.根据权利要求1所述的低温冷却系统，其特征在于，所述低温冷却系统是磁共振成像系统的构件。10.根据权利要求1所述的低温冷却系统，其特征在于，所述传输系统还包括联接至所述芯吸结构的桥接结构。11....

【专利技术属性】
技术研发人员：HP雅各布斯德博克，JH齐亚，EW斯陶特纳，邓涛，江隆植，WL埃恩齐格，W尚，Y利沃斯基，KM阿姆，G齐特弗，T张，
申请(专利权)人：通用电气公司，
类型：发明
国别省市：