存储器访问处理方法及控制器技术

本发明专利技术实施例提供一种存储器访问处理方法及控制器，该方法包括：采用计数器对动态随机存储器DRAM的每一行在相邻两次访问之间的时间进行计时，获取计时结果T1；若与所述DRAM的一行对应的时间T1大于所述DRAM的刷新周期T2，则对该行进行访问处理，以对该行进行刷新；本发明专利技术实施例中，本实施例中，通过对每一行在相邻两次访问之间的时间进行计时，若在刷新周期内该行被访问，则无需再进行刷新操作，减少了刷新的次数，从而节省了周期性刷新占用的带宽，对于超过刷新周期未被访问的行，采用进行一次访问的方式代替刷新，无需考虑专门进行刷新操作的问题，从而在设计上也更为简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及通信技术，尤其涉及一种存储器访问处理方法及控制器。
技术介绍
随着网络设备的速率越来越高，板级信号完整性(SI) /电源完整性(PI)设计难度大，对存储器的带宽要求越来越高。现有技术中，动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory,简称DRAM)为一种常见的系统内存，由于DRAM中电容的电荷每过一段时间就会丢失，因而只能将数据保存很短的时间，为了保存数据，需要对DRAM进行周期性刷新操作，即对DRAM进行电荷补充。专利技术人在实现本专利技术实施例的过程中发现，现有技术中对DRAM进行刷新操作、读操作或写操作等，都要占用同一接口，在进行刷新操作时，不能同时进行读操作或写操作，且执行刷新操作后，需要经过一定时间才可以进行读操作或写操作，因而对DRAM进行周期性刷新会占用较大存储器的带宽，造成读操作和写操作的延迟。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种存储器访问处理方法及控制器，用于解决动态随机存储器DRAM周期性刷新占用较大存储器带宽，造成读操作或写操作延迟的问题。本专利技术第一方面提供一种存储器刷新处理方法，包括采用计数器对动态随机存储器DRAM的每一行在相邻两次访问之间的时间进行计时，获取计时结果T1 ；若与所述DRAM的一行对应的时间T1大于所述DRAM的刷新周期T2,则对该行进行访问处理，以对该行进行刷新。结合第一方面，在第一方面第一种可能的实施方式中，所述计数器具体为带有片内随机存储器IRAM的计数器。结合第一方面第一种可能的实施方式，在第一方面第二种可能的实施方式中，所述IRAM包括至少一个静态随机存储器SRAM单元，其中，每一个SRAM单元用于存储所述DRAM的一行对应的计时结果T1。结合第一方面至第一方面第二种可能的实施方式中任一项，在第一方面第三种可能的实施方式中，所述采用计数器对DRAM的每一行在相邻两次访问之间的空闲时间进行计时，获取计时结果T1之后，还包括根据所述计时结果T1获取访问频率最高的DRAM行，将该行对应的存储内容写入IRAM中，以优化访问方式。结合第一方面至第一方面第二种可能的实施方式中任一项，在第一方面第四种可能的实施方式中，所述采用计数器对DRAM的每一行在相邻两次访问之间的空闲时间进行计时，获取计时结果T1之后，还包括根据所述计时结果T1获取在预设时间之后仍不被访问的DRAM行，屏蔽对该DRAM行的访问操作，以优化访问方式。结合第一方面至第一方面第四种可能的实施方式中任一项，在第一方面第五种可能的实施方式中，所述访问包括对所述DRAM进行读操作或写操作。本专利技术实施例第二方面提供一种控制器，包括计时模块，用于采用计数器对动态随机存储器DRAM的每一行在相邻两次访问之间的时间进行计时，获取计时结果T1 ；刷新模块，用于若与所述DRAM的一行对应的时间T1大于所述DRAM的刷新周期T2,则对该行进行访问处理，以对该行进行刷新。结合第二方面，在第二方面第一种可能的实施方式中，所述计时模块采用的计数器具体为带有片内随机存储器IRAM的计数器。结合第二方面第一种可能的实施方式，在第二方面第二种可能的实施方式中，所述IRAM包括至少一个静态随机存储器SRAM单元，其中，每一个SRAM单元用于存储所述DRAM的一行对应的计时结果T1。结合第二方面至第二方面第二种可能的实施方式中任一项，在第二方面第三种可能的实施方式中，所述控制器还包括读写模块，用于根据所述计时结果T1获取访问频率最高的DRAM行，将该行对应的存储内容写入IRAM中，以优化访问方式。结合第二方面至第二方面第二种可能的实施方式中任一项，在第二方面第四种可能的实施方式中，所述控制器还包括屏蔽模块，用于根据所述计时结果T1获取在预设时间之后仍不被访问的DRAM行，屏蔽对该DRAM行的访问操作，以优化访问方式。结合第二方面至第二方面第四种可能的实施方式中任一项，在第二方面第五种可能的实施方式中，所述访问包括对所述DRAM进行读操作或写操作。本专利技术实施例中，通过对每一行在相邻两次访问之间的时间进行计时，若在刷新周期内该行被访问，则无需再进行刷新操作，减少了刷新的次数，可以节省刷新操作占用的带宽，另外，将访问频率最高的行的内容写到IRAM内，并且屏蔽长期不被访问行的访问操作，从而很大程度地节省了周期性刷新占用的带宽，对于超过刷新周期未被访问的行，采用进行一次访问的方式代替刷新，无需考虑专门进行刷新操作的问题，从而在设计上也更为简单。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术提供的存储器刷新处理方法实施例一的流程示意图；图2为本专利技术提供的控制器实施例一的结构示意图；图3为本专利技术提供的控制器实施例二的结构示意图。具体实施例方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。图1为本专利技术提供的存储器刷新处理方法实施例一的流程示意图，如图1所示，该方法包括S101、采用计数器对DRAM的每一行在相邻两次访问之间的时间进行计时，获取计时结果T1 ；S102、若与该DRAM的一行对应的时间T1大于该DRAM的刷新周期T2,则对该行进行访问处理，以对该行进行刷新操作；需要说明的是，由于DRAM中电容的电荷每过一段时间就会丢失，因而只能将数据保存很短的时间，为了保存数据，需要对DRAM进行刷新操作，即对DRAM进行电荷补充，与现有技术不同，本实施例中，如果通过计数器获知DRAM中的某一行超过刷新周期T2没有被访问，则对该行进行一次访问，而不必进行专门的周期性刷新操作，一般可以是进行一次读操作或写操作，对该行进行一次读操作或写操作同样可以达到刷新的目的，即为该行的电容进行电荷补充；另外，上述计数器对每一行进行计时时，是在该行被访问后开始计时，只要该行被访问，则该计数器对这一行的计时进行清零操作，重新开始计时。本实施例中，通过对每一行在相邻两次访问之间的时间进行计时，若在刷新周期内该行被访问，则无需再进行刷新操作，减少了刷新的次数，从而节省了周期性刷新占用的带宽，对于超过刷新周期未被访问的行，采用进行一次访问的方式代替刷新，无需考虑专门进行刷新操作的问题，从而在设计上也更为简单。进一步地，上述计数器为带有片内随机存储器(Interor RAM，简称IRAM)的计数器，具体地，该IRAM包括至少一个静态随机存储器(Static RAM，简称SRAM)单元，其中，每一个SRAM单元用于存储上述DRAM的一行对应的计时结果T1,这样的话使得计数器在工艺上更加简单，即无需给每一行配置一个计数器，只要将对每一行的计时结果存储在IRAM中的相应SRAM单元就可以了 ；需要说明的是，IRAM的容量为[(6+2)bit XDRAMSIZE]/本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器刷新处理方法，其特征在于，包括：采用计数器对动态随机存储器DRAM的每一行在相邻两次访问之间的时间进行计时，获取计时结果T1；若与所述DRAM的一行对应的时间T1大于所述DRAM的刷新周期T2，则对该行进行访问处理，以对该行进行刷新。

【技术特征摘要】
1.一种存储器刷新处理方法，其特征在于，包括 采用计数器对动态随机存储器DRAM的每一行在相邻两次访问之间的时间进行计时，获取计时结果T1 ； 若与所述DRAM的一行对应的时间T1大于所述DRAM的刷新周期T2,则对该行进行访问处理，以对该行进行刷新。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述计数器具体为带有片内随机存储器IRAM的计数器。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述IRAM包括至少一个静态随机存储器SRAM单元，其中，每一个SRAM单元用于存储所述DRAM的一行对应的计时结果T1。4.根据权利要求1 3任一项所述的方法，其特征在于，所述采用计数器对DRAM的每一行在相邻两次访问之间的空闲时间进行计时，获取计时结果T1之后，还包括 根据所述计时结果T1获取访问频率最高的DRAM行，将该行对应的存储内容写入IRAM中，以优化访问方式。5.根据权利要求1 3任一项所述的方法，其特征在于，所述采用计数器对DRAM的每一行在相邻两次访问之间的空闲时间进行计时，获取计时结果T1之后，还包括 根据所述计时结果T1获取在预设时间之后仍不被访问的DRAM行，屏蔽对该DRAM行的访问操作，以优化访问方式。6.根据权利要求1 5任一项所述的方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：王国民，
申请(专利权)人：北京华为数字技术有限公司，
类型：发明
国别省市：