【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及计算机
，尤其涉及一种固态硬盘的RAID4系统。
技术介绍
NAND Flash读写性能优异,是目前主流的固态硬盘存储介质,但是有着自己的一些物理特性1)需要先擦除再写入，数据读写单位为page，擦除的单位为block ；2)擦除次数有限制；3)读写时有干扰可能会造成数据出错；4)数据保存有期限。NAND Flash按照存储单元划分，比较常见的是SLC(Single Level Cell,单层单元)和MLC(Multi Level Cell,多层单元)两种。SLC的特点是寿命长，写入速度快，功耗低，目前主流SLC的P/E次数是MLC的10倍以上，写入速度是MLC的4倍左右，但是MLC容量大，价格便宜，所以目前广泛应用于企业级固态存储硬盘。图1是企业级固态存储硬盘简化结构图，固态存储硬盘一般采用PCIe、SAS等接口，根据接口类型选择对应的桥接控制器；每个固态存储硬盘上有I个或多个Flash控制器，每个Flash控制器管理一组NAND Flash, Flash控制器通常有FTL、ECC校验、坏块管理等功能，将其管理的一组Flash虚拟成为一个单...
【技术保护点】
一种固态硬盘的RAID4系统，其特征在于，所述系统包括至少一多层单元MLC闪存盘以及至少一单层单元SLC闪存盘，所述MLC闪存盘作为用于存储数据的数据盘，所述SLC闪存盘作为用于校验数据的校验盘。
【技术特征摘要】
1.一种固态硬盘的RAID4系统，其特征在于，所述系统包括至少一多层单元MLC闪存盘以及至少一单层单元SLC闪存盘，所述MLC闪存盘作为用于存储数据的数据盘，所述SLC闪存盘作为用于校验数据的校验盘。2.根据权利要求1所述的固态硬盘的RAID4系统，其特征在于，所述系统还包括第一闪存控制器，所述MLC闪存盘连接至少两个所述第一闪存控制器，且每个所述第一闪存控制器的可用容量相同。3.根据权利要求2所述的固态硬盘的RAID4系统，其特征在于，所述系统还包括第二闪存控制器，所述SLC闪存盘连接至少一个所述第二闪存控制器，且所述第二闪存控制器的可用容量之和与所述第一闪存控制器的可用容量相同。4.根据权利要求1所述的固态硬盘的RAID4系统，其特征在于，所述系统还包括RAID4控制器，其包括 记录模块，用于记...
【专利技术属性】
技术研发人员：张雷，
申请(专利权)人：记忆科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。