一种量子点固态膜的转印方法与量子点转印系统技术方案

本发明专利技术公开一种量子点固态膜的转印方法与量子点转印系统，其包括步骤：制备量子点固态膜，然后对量子点固态膜进行配体交换，得到带有电性的量子点固态膜；将带有电性的转印工具与带有电性的量子点固态膜接触，利用正负电荷吸引力吸引量子点固态膜中量子点，使量子点转移到转印衬底上；其中，所述转印工具带的电性与量子点固态膜带的电性相反。本发明专利技术方法操作简单，易于重复并且在转印工程中可以利用静电感应技术有效的调控转印工具与量子点之间的库仑力强弱，并且在实现量子点固态膜与转印工具分离时有效的避免了因转印面与量子点固态膜之间的范德华力而出现撕裂现象，保证了量子点固态膜的平整与完整性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及量子点印刷
，尤其涉及一种量子点固态膜的转印方法与量子点转印系统。
技术介绍
在未来的新型显示技术当中，量子点印刷显示是比较有可能实现工业化，走进并改善人们的生活。然而随着量子点印刷技术的研发与推进，涌现出很多印刷工艺如：纳米转印、纳米压印、喷墨打印等技术。针对转印技术而言，目前科研工作这也做了相关的研究，在转印技术中有个相对较难避免的问题是在转印过程中会引起量子点的撕裂现象进而引起转印量子点膜的不平整同时也影响显示效果。这里有一个重要的缺陷就是转印工具与量子点之间存在一种力：范德华力。基于量子点高效发光器件的构筑方法，目前常用的主要是溶液法旋涂技术，而在旋涂前后可以对量子点以及量子点膜做相应的处理，比如：在旋涂前可以对量子点进行各种配体交换，比如利用巯基乙酸（TGA）、巯基丙酸（MPA）、巯基辛酸（MOA）等表面修饰剂来交换量子点表面配体如油酸（OA）和油胺（Oleylamine）不限于此，以此来改变量子点的表面电位即ZeTa电位（电负性或电正性），进而也能够使量子点溶液实现相转换，还可以使量子点溶解在不同的溶剂中比如辛烷（octane）、甲苯（Toluene）、氯苯（chlorobenzene）等当中，以此来改变旋涂膜的质量；在旋涂后也可以对量子点膜进行一些旋涂配体交换或利用一些表面修饰剂来浸泡量子点膜，以此来改变量子点膜的性质。然而在利用旋涂的量子点膜进行转印时，由于转印工具与量子点膜之间是依靠分子之间作用力来完成的。在将量子点转印到相应衬底上时，因这种分子力不能够被大大削弱或消失而出现撕裂现象（仍有量子点残余在转印工具上）。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种量子点固态膜的转印方法与量子点转印系统，旨在解决现有转印方法存在因转印面与量子点固态膜之间的范德华力而出现撕裂现象的问题。本专利技术的技术方案如下：一种量子点固态膜的转印方法，其中，包括步骤：A、制备量子点固态膜，然后对量子点固态膜进行配体交换，得到带有电性的量子点固态膜；B、将带有电性的转印工具与带有电性的量子点固态膜接触，利用正负电荷吸引力吸引量子点固态膜中量子点，使量子点转移到转印衬底上；其中，所述转印工具带的电性与量子点固态膜带的电性相反。所述的量子点固态膜的转印方法，其中，步骤A中，所述量子点固态膜中量子点为CdSe/ZnS、CdSeS、CdSeS/ZnS、InP/ZnS、CuInSe、CuInSeS中的一种或多种。所述的量子点固态膜的转印方法，其中，步骤A中，采用旋涂电负性的表面修饰剂的方法对量子点固态膜进行配体交换，得到带有电负性的量子点固态膜。所述的量子点固态膜的转印方法，其中，所述电负性的表面修饰剂包含巯基乙酸、巯基丙酸、巯基辛酸中的一种或者多种。所述的量子点固态膜的转印方法，其中，步骤A中，采用旋涂电正性的表面修饰剂的方法对量子点固态膜进行配体交换，得到带有电正性的量子点固态膜。所述的量子点固态膜的转印方法，其中，所述电正性的表面修饰剂为三苯胺、十六烷基三甲基溴化胺中的一种。所述的量子点固态膜的转印方法，其中，步骤B中，所述转印工具包括绝缘介电层和位于绝缘介电层一面的金属良导体层。所述的量子点固态膜的转印方法，其中，所述金属良导体层的材料为金、银、铜中的一种。所述的量子点固态膜的转印方法，其中，所述绝缘介电层的材料为红包石、尖晶石、二氧化硅中的一种。一种量子点转印系统，其中，包括带有电性的转印工具、带有电性的量子点固体膜和转印衬底，所述转印工具带的电性与量子点固态膜带的电性相反，所述转印工具用于将量子点固体膜中的量子点转移到转印衬底。有益效果：本专利技术利用电荷效应有效的调控转印工具与量子点之间的库仑力强弱，并且在实现量子点固态膜与转印工具分离时有效的避免了因转印面与量子点固态膜之间的范德华力而出现撕裂现象，保证了量子点固态膜的平整与完整性，同时也为后续的显示技术发展扫除一些不利的因素。具体实施方式本专利技术提供一种量子点固态膜的转印方法与量子点转印系统，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术的一种基于电荷效应的量子点固态膜的转印方法较佳实施例，其包括步骤：A、制备量子点固态膜，然后对量子点固态膜进行配体交换，得到带有电性的量子点固态膜；B、将带有电性的转印工具与带有电性的量子点固态膜接触，利用正负电荷吸引力吸引量子点固态膜中量子点，使量子点转移到转印衬底上；其中，所述转印工具带的电性与量子点固态膜带的电性相反。本专利技术利用量子点固态膜与转印工具之间的电荷效应（同种电荷相互排斥，异种电荷相互吸引）来完成量子点的转印。在实现量子点固态膜具有电荷效应后，依据量子点固态膜的电荷性质可以选择能够实现电荷性质转变的转印工具。如量子点固态膜显电负性时，可以使转印工具带正电，依靠正负电荷吸引力来吸附量子点转移到相应的转印衬底上时使转印工具带负电利用电荷的排斥力使量子点完全转印到相应的衬底上，有效的避免了因转印面与量子点固态膜之间的范德华力而出现撕裂现象，保证了量子点固态膜的平整与完整性，同时也为后续的显示技术发展扫除一些不利的因素。步骤A中，本专利技术量子点固态膜中量子点可以为不同体系的红绿蓝三色发光量子点。例如，所述量子点固态膜中量子点可以为但不限于CdSe/ZnS、CdSeS、CdSeS/ZnS含镉类、InP/ZnS、CuInSe、CuInSeS不含镉类中的一种或多种。步骤A中，在衬底上制备好量子点固态膜后，本专利技术还对量子点固态膜进行后处理。具体地，本专利技术可以采用旋涂电负性的表面修饰剂的方法对量子点固态膜进行配体交换，使量子点固态膜表面带有显电负性的表面修饰剂，即得到带有电负性的量子点固态膜。所述电负性的表面修饰剂可以包含但不限于巯基乙酸（TGA）、巯基丙酸（MPA）、巯基辛酸（MOA）等中的一种或者多种。本专利技术还可以采用旋涂电正性的表面修饰剂的方法对量子点固态膜进行配体交换，使量子点固态膜表面带有显电正性的表面修饰剂，即得到带有电正性的量子点固态膜。所述电正性的表面修饰剂可以为但不限于三苯胺（TPA）、十六烷基三甲基溴化胺（TPA）中的一种。本专利技术采用旋涂表面修饰剂的方法对量子点固态膜进行配体交换，以改变量子点固态膜的表面电位即ZeTa电位（电负性或电正性）。在实现量子点固态膜具有电荷效应后，依据量子点固态膜的电荷性质选择能够实现电荷性质转变的转印工具，利用量子点固态膜与转印工具之间的电荷效应，来完成量子点的转印。需说明的是，除了上述采用旋涂法在量子点固态膜表面旋涂表面修饰剂外，本专利技术还可以将量子点固态膜浸泡于显电性的表面修饰剂中，采用浸泡的方法同样可使量子点固态膜表面带有显电性的表面修饰剂，从而使量子点固态膜具有电荷效应。步骤B中，在使量子点固态膜表面带有电性的表面修饰剂后，依据量子点固态膜的电荷性质选择能够实现电荷性质转变的转印工具。如量子点固态膜显电负性时，选择带电正性的转印工具，将带电正性的转印工具通过精密的工程手段使其与带电负性的量子点固态膜进行接触，利用正负电荷吸引力吸引量子点固态膜中量子点转移到转印衬底上，把完成量子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种量子点固态膜的转印方法，其特征在于，包括步骤：A、制备量子点固态膜，然后对量子点固态膜进行配体交换，得到带有电性的量子点固态膜；B、将带有电性的转印工具与带有电性的量子点固态膜接触，利用正负电荷吸引力吸引量子点固态膜中量子点，使量子点转移到转印衬底上；其中，所述转印工具带的电性与量子点固态膜带的电性相反。

【技术特征摘要】
1.一种量子点固态膜的转印方法，其特征在于，包括步骤：A、制备量子点固态膜，然后对量子点固态膜进行配体交换，得到带有电性的量子点固态膜；B、将带有电性的转印工具与带有电性的量子点固态膜接触，利用正负电荷吸引力吸引量子点固态膜中量子点，使量子点转移到转印衬底上；其中，所述转印工具带的电性与量子点固态膜带的电性相反。2.根据权利要求1所述的量子点固态膜的转印方法，其特征在于，步骤A中，所述量子点固态膜中量子点为CdSe/ZnS、CdSeS、CdSeS/ZnS、InP/ZnS、CuInSe、CuInSeS中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的量子点固态膜的转印方法，其特征在于，步骤A中，采用旋涂电负性的表面修饰剂的方法对量子点固态膜进行配体交换，得到带有电负性的量子点固态膜。4.根据权利要求3所述的量子点固态膜的转印方法，其特征在于，所述电负性的表面修饰剂包含巯基乙酸、巯基丙酸、巯基辛酸中的一种或者多种。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：程陆玲，杨一行，曹巍然，钱磊，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44