防污触摸屏及其制备方法和手持移动设备技术

本发明专利技术涉及一种防污触摸屏，该防污触摸屏包括触摸屏基板、置于触摸屏基板上的SiO2层及置于SiO2层上的CaF2层。上述防污触摸屏自身具有优良的防污特性，同时还具有透光率高、表面能低、硬度高、耐磨、防水防油和耐高温等特性，以及在常温下具有稳定的物理化学和生物性能。本发明专利技术还提供了一种防污触摸屏的制备方法及含有该防污触摸屏的手持移动设备，该制备方法采用真空磁控溅射镀膜法进行镀膜，具有反应易于控制、适于工业化生产的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及触摸屏
，特别是涉及一种防污触摸屏及其制备方法和含有该防污触摸屏的手持移动设备。
技术介绍
随着触摸屏技术的发展，各种使用触摸屏的便携式设备(手机、平板电脑等)逐渐成为人们生活中的必需品。人们在享受手指触摸这种方便快捷的操作方式时，不得不面对触摸屏容易被手指上的油溃、环境中灰尘等污染，从而引起触摸屏显示不清晰、触摸屏表面脏污难清洁等问题，而防触摸屏脏污的问题一直没有得到很好解决。研究人员在这一问题上做了大量的工作，如，通过改变触摸屏的材质、在触摸屏表面贴附一层保护膜。在触摸屏表面贴附一层保护膜的方法相对比较有效，但是也存在很多问题，如，保护膜在使用一段时间后由于脏污仍会引起触摸屏显示不清晰的问题，因此，需要定期更换保护膜，而定期更换不仅麻烦，成本相对也较高；而且保护膜的厚度一般都在0.05mm以上，这样就造成整个触摸屏厚度增加比较大，从而导致触摸屏响应速度变慢。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种具有防污特性的防污触摸屏及其制备方法。一种防污触摸屏，包括触摸屏基板、设于所述触摸屏基板上的SiO2层及设于所述SiO2层上的CaF2层。在其中一个实施例中，所述SiO2层的厚度为l(T20nm。在其中一个实施例中，所述CaF2层的厚度为15 25nm。由于SiO2层具有良好的绝缘性能、稳定性好、硬度高、抗磨耐腐蚀、与触摸屏基板结合力强以及良好的透光性等优点，使得SiO2层能作为保护层对触摸屏基板起保护作用同时还不影响触摸屏基板的透光性。而CaF2层能较好的填充在SiO2层表面的毛细孔中，使得SiO2层表面的毛细孔填充得更加绵密平实，使得指纹、脏污不易附着于防污触摸屏的表面。而且CaF2层具有良好的透光、防水防油及与SiO2层具有强的结合力等特性。因此，上述防污触摸屏自身具有优良的防污特性，而且还不影响触摸屏的响应速度。此外，性能检测结果显示上述防污触摸屏具有透光率高、表面能低、硬度高、耐磨、防水防油和耐高温等特性，以及在常温下具有稳定的物理化学和生物性能。一种防污触摸屏的制备方法，包括如下步骤使用Si靶材进行真空磁控溅射镀膜，在触摸屏基板上镀制SiO2层；使用CaF2靶材进行真空磁控溅射镀膜，在所述SiO2层上镀制CaF2层。在其中一个实施例中，所述使用Si靶材进行真空磁控溅射镀膜的过程中，真空镀膜室中气体氛围为氧气氛围，总气压为0. 4Pa ；Si靶材与触摸屏基板之间相距75mm，触摸屏基板的走速为37. 5mm/s，镀膜时间为100s，镀制的SiO2层的厚度控制在l(T20nm之间。在其中一个实施例中，使用CaF2靶材进行真空磁控溅射镀膜的过程中，真空镀膜室中气体氛围为氩气氛围，总气压为O. 4Pa ；CaF2靶材与触摸屏基板之间相距75mm，触摸屏基板的走速为37. 5mm/s，镀膜时间为100s，镀制的CaF2层的厚度控制在18 22nm之间。在其中一个实施例中，所述制备方法还包括在镀制SiO2层前对所述触摸屏基板进行预热的步骤，预热的温度为7(T90°C。在其中一个实施例中，所述制备方法还包括在镀制SiO2层前对所述触摸屏基板进行清洗以除去所述触摸屏基板表面脏污的步骤。上述防污触摸屏的制备方法，首先采用真空磁控溅射镀膜的方法在触摸屏基板镀制SiO2层，然后在SiO2层上镀制透明防污的CaF2层。真空磁控溅射镀膜具有易于控制膜的厚度、成膜速率快，便于大面积镀膜等优点，从而使得上述防污触摸屏的制备方法具有反应易于控制、适于工业化生产的优点。而且制备得到的防污触摸屏自身具有防污的特性，同时还具有透光率高、表面能低、硬度高、耐磨、防水防油和耐高温等特性，以及在常温下具有稳定的物理化学和生物性能。此外，还有必要提供一种使用上述防污触摸屏的手持移动设备，该手持移动设备由于使用了防污触摸屏，从而具有优良的防污特性及响应速度快的优点。附图说明图1为一实施方式的防污触摸屏的结构示意图；图2为一实施方式的防污触摸屏的制备方法的流程图。具体实施例方式下面结合附图及具体实施例对防污触摸屏及其制备方法进行进一步的说明。如图1所示，一实施方式的防污触摸屏100，包括触摸屏基板110、SiO2层120及CaF2层130。其中，SiO2层120位于触摸屏基板110上。CaF2层130位于SiO2层120上。透明的SiO2层120在触摸屏基板110上作为功能层并形成保护，防止后续镀膜工序对触摸屏基板110的损伤，同时增强防污触摸屏100的防污、防划伤、防腐蚀能力。3102层120的厚度可以根据具体需求设定，如对于透光率(即镀膜后的光透过率与镀膜前的光透过率的比值)要求不小于95%的防污触摸屏，可以设定SiO2层的厚度在l(T20nm之间，对于透光率要求不高但对防污要求较高的领域，还可以增加设定的SiO2层120的厚度。透光率的设计满足光的干涉和衍射原理。透明的CaF2层130的设计同SiO2层120的设计类似，对于透光率要求不小于95%的防污触摸屏，设定的SiO2层的厚度在l(T20nm之间时，可以设定0&&层130的厚度在15 25nm之间。对于防污要求较高，且对透光率要求不高的领域，还可以增加设定的CaF2层130的厚度。由于SiO2层120具有良好的绝缘性能、稳定性好、硬度高、抗磨耐腐蚀、与触摸屏基板110结合力强以及良好的透光性等优点，使得SiO2层120能作为保护层对触摸屏基板110起保护作用同时还不影响触摸屏基板110的透光性。而CaF2层130能较好的填充在SiO2层120表面的毛细孔中，使得SiO2层120表面的毛细孔填充得更加绵密平实，使得指纹、脏污不易附着于防污触摸屏100的表面。而且CaF2层130具有良好的透光、防水防油及与SiO2层120具有强的结合力等特性。因此，上述防污触摸屏100自身具有优良的防污特性，而且还不影响触摸屏的响应速度。此外，性能检测结果显示上述防污触摸屏100具有透光率高、表面能低、硬度高、耐磨、防水防油和耐高温等特性，以及在常温下具有稳定的物理化学和生物性能。此外，本实施方式还提供一种防污触摸屏的制备方法，如图2所述，包括如下步骤步骤S210，对触摸屏基板进行清洗以除去触摸屏基板表面的脏污。具体可以将触摸屏基板置于清洗机中，依次使用纯水、碱液清洗，最后喷淋清洗以出去触摸屏基板表面的灰尘等脏污。清洗后洁净的触摸屏基板依次经冷风、热风干燥并经离子风机除静电后进行后续的镀膜工艺。可以理解，在其他实施方式中，对于洁净的触摸屏基板可以直接镀膜，不需要此步清洗步骤。步骤S220，使用Si靶材进行真空磁控溅射镀膜，在触摸屏基板上镀制SiO2层。具体是使用直流射频溅射技术，在镀膜之前，先将触摸屏基板加热在70-90°C预热一段时间，再进行真空镀膜。真空镀膜室内的真空度越低越好，一般控制在LOXKT1Pa1. 5X 10_3Pa。在镀制SiO2层过程中，真空镀膜室中气体氛围为氧气氛围，总气压为O. 4Pa。各镀膜参数根据具体镀制的SiO2层的厚度需要设定，如需要镀置SiO2层的厚度在l(T20nm之间时，Si靶材与触摸屏基板之间相距75mm，触摸屏基板的走速为37. 5mm/s，采用2000-2400W的溅射功率镀膜时间为IOOs即可。此外，还可以采用多个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防污触摸屏，其特征在于，包括触摸屏基板、设于所述触摸屏基板上的SiO2层及设于所述SiO2层上的CaF2层。

【技术特征摘要】
1.一种防污触摸屏，其特征在于，包括触摸屏基板、设于所述触摸屏基板上的SiO2层及设于所述SiO2层上的CaF2层。2.如权利要求1所述的防污触摸屏，其特征在于，所述SiO2层的厚度为l(T20nm。3.如权利要求1所述的防污触摸屏，其特征在于，所述CaF2层的厚度为15 25nm。4.一种防污触摸屏的制备方法，其特征在于，包括如下步骤使用Si靶材进行真空磁控溅射镀膜，在触摸屏基板上镀制SiO2层；使用CaF2靶材进行真空磁控溅射镀膜，在所述SiO2层上镀制CaF2层。5.如权利要求4所述的防污触摸屏的制备方法，其特征在于，所述使用Si靶材进行真空磁控溅射镀膜的过程中，真空镀膜室中气体氛围为氧气氛围，总气压为O. 4Pa ；Si靶材与触摸屏基板之间相距75mm，触摸屏基板的走速为37. 5mm/s，镀膜时间为100...

【专利技术属性】
技术研发人员：张迅，张伯伦，孙一绮，易伟华，
申请(专利权)人：江西沃格光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：