【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及触摸屏
,特别是涉及一种防污触摸屏及其制备方法和含有该防污触摸屏的手持移动设备。
技术介绍
随着触摸屏技术的发展,各种使用触摸屏的便携式设备(手机、平板电脑等)逐渐成为人们生活中的必需品。人们在享受手指触摸这种方便快捷的操作方式时,不得不面对触摸屏容易被手指上的油溃、环境中灰尘等污染,从而引起触摸屏显示不清晰、触摸屏表面脏污难清洁等问题,而防触摸屏脏污的问题一直没有得到很好解决。研究人员在这一问题上做了大量的工作,如,通过改变触摸屏的材质、在触摸屏表面贴附一层保护膜。在触摸屏表面贴附一层保护膜的方法相对比较有效,但是也存在很多问题,如,保护膜在使用一段时间后由于脏污仍会引起触摸屏显示不清晰的问题,因此,需要定期更换保护膜,而定期更换不仅麻烦,成本相对也较高;而且保护膜的厚度一般都在0.05mm以上,这样就造成整个触摸屏厚度增加比较大,从而导致触摸屏响应速度变慢。
技术实现思路
基于此,有必要提供一种具有防污特性的防污触摸屏及其制备方法。一种防污触摸屏,包括触摸屏基板、设于所述触摸屏基板上的SiO2层及设于所述SiO2层上的CaF2层。在其中一个实 ...
【技术保护点】
一种防污触摸屏,其特征在于,包括触摸屏基板、设于所述触摸屏基板上的SiO2层及设于所述SiO2层上的CaF2层。
【技术特征摘要】
1.一种防污触摸屏,其特征在于,包括触摸屏基板、设于所述触摸屏基板上的SiO2层及设于所述SiO2层上的CaF2层。2.如权利要求1所述的防污触摸屏,其特征在于,所述SiO2层的厚度为l(T20nm。3.如权利要求1所述的防污触摸屏,其特征在于,所述CaF2层的厚度为15 25nm。4.一种防污触摸屏的制备方法,其特征在于,包括如下步骤使用Si靶材进行真空磁控溅射镀膜,在触摸屏基板上镀制SiO2层;使用CaF2靶材进行真空磁控溅射镀膜,在所述SiO2层上镀制CaF2层。5.如权利要求4所述的防污触摸屏的制备方法,其特征在于,所述使用Si靶材进行真空磁控溅射镀膜的过程中,真空镀膜室中气体氛围为氧气氛围,总气压为O. 4Pa ;Si靶材与触摸屏基板之间相距75mm,触摸屏基板的走速为37. 5mm/s,镀膜时间为100...
【专利技术属性】
技术研发人员:张迅,张伯伦,孙一绮,易伟华,
申请(专利权)人:江西沃格光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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