【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种硅波导折射率热光调节结构，属于集成光电子学领域。
技术介绍
近几年，集成光电技术发展迅速，器件的尺寸越来越小，芯片的集成度越来越高，光波导的截面尺寸已经缩小到了亚微米尺度。硅材料由于其与空气和二氧化硅之间的高折射率差，具有很强的光限制能力，易于制作亚微米级的光波导器件；其制作工艺与微电子集成电路工艺兼容,既大大减少了成本,又便于实现光电集成,使之成为光电集成芯片最有竞争力的材料之一。许多基于硅波导的无源及有源集成光电器件已经被提出并实现，如光滤波器、光分路器、光调制器等。有源器件中的调节结构，主要通过电或者热作用改变波导折射率，从而改变器件性能，实现器件的可调性，是有源器件重要组成部分。由于硅材料没有线性电光(泡克耳斯)效应，所以我们需要采用其他方式来实现波导层折射率调节。当前主要利用等离子色散效应和热光效应来实现硅波导折射率调节。对于如何增加调节结构的调节范围，减小调节功耗，加快调节速度，很多国内外机构展开了相关研究。Qianfan Xu 等人在 OPTICS EXPRESS (Vol. 12，No. 2)上发表的论文 “ 12. 5Gbit...
【技术保护点】
一种硅波导折射率热光调节结构，其特征在于，从下至上依次包括衬底(1)、下包层(2)、波导层(3)、上包层(4)和电极层(5)；所述的波导层呈脊型，脊型中央区为轻掺杂的本征i区，两侧平板区分别为重掺杂区；所述的上包层两侧设有金属通孔，通过该通孔使波导层的重掺杂区与电极层相连。
【技术特征摘要】
1.一种硅波导折射率热光调节结构，其特征在于，从下至上依次包括衬底(I)、下包层(2)、波导层(3)、上包层(4)和电极层(5)；所述的波导层呈脊型，脊型中央区为轻掺杂的本征i区，两侧平板区分别为重掺杂区；所述的上包层两侧设有金属通孔，通过该通孔使波导层的重掺杂区与电极层相连。2.根据权利要求1所述的硅波导折射率热光调节结构，其特征在于，所述波导层的材料为高折射率材料硅，下包层的材料为二氧化硅，上包层的材料为低折射率材料，电极层的材料为高导电性金属材料。3.根据权利要求2所述的硅波导折射率热光调节结构，其特征在于，上包层的材料为二氧化硅或氮化硅，电极层的材料为...
【专利技术属性】
技术研发人员：陆梁军，周林杰，谢静雅，邹志，孙晓萌，李新碗，陈建平，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：
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