【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体晶片エ艺
，特别涉及。
技术介绍
随着集成电路特征尺寸进入到深亚微米阶段，集成电路晶片制造エ艺中所要求的晶片表面的洁净度越来越苛刻，为了保证晶片材料表面的洁净度，集成电路的制造エ艺中存在数百道清洗エ序，清洗エ序占了整个制造过程的30 %。·进ー步地统计显示，整个半导体器件制造中超过50%的损失量都是由表面污染、清洗不彻底造成的。在清洗过程中，液相流体由位于晶片上方的喷头喷射于晶片上，喷射的液相以很高的流量冲击晶片时，将产生ー个物理作用力。晶片表面沟槽中的杂质和污染物被液相流体腐蚀，溶解或悬浮于液相流体中，高速的冲击カ及下方晶片的转动产生的离心力使液相流体离开晶片表面，同时将杂质和污染物带走，从而达到清洗效果，但是传统的エ艺中杂质和污染物向液相流体主体的传递较差，影响了清洗的效率和效果，改善沟槽中杂质和污染物向液相流体的传递可以提高清洗效率和清洗效果。但是随着晶片图形的尺寸越来越小，高速喷射流体对图形的损害不能忽视。传统的清洗喷射技术存在大尺寸液滴或是喷射流，对65纳米及其以下エ艺的晶片表面的图形的损伤越显严重，同时液相流体的利用率较低，...
【技术保护点】
一种气液两相雾化清洗装置，其特征在于，所述装置包括气液两相雾化喷头，所述气液两相雾化喷头为双层夹套结构，包括喷嘴、旋转臂、气体导管、液体导管，所述喷嘴与旋转臂连接，所述气体导管和液体导管固定在旋转臂上，且气体导管和液体导管上均设有气动阀。
【技术特征摘要】
1.一种气液两相雾化清洗装置，其特征在于，所述装置包括气液两相雾化喷头，所述气液两相雾化喷头为双层夹套结构，包括喷嘴、旋转臂、气体导管、液体导管，所述喷嘴与旋转臂连接，所述气体导管和液体导管固定在旋转臂上，且气体导管和液体导管上均设有气动阀。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述喷嘴与旋转臂是一体的或以螺旋结构、卡套结构方式连接。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述旋转臂为中空结构。4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述液体导管位于旋转臂内部。5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述气体导管位于旋转臂内部。6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述喷嘴包括中心管路和外层套管，所述中心管路与液体导管相连或者液体导管出口端固定直接作为中心管路；所述外层套管与气体导管相连。7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述中心管路中是液相流体，所述外层套管中是气相。8.根据权利要求1至7任一项所述的装置，其特征在于，所述装置还包括液相流体的流量控制装置，所述液相流体的流量控制装置与液体导管的进液一端相连，所述液相流体的流量控制装置为并联结构，包括供液端管路、第一分支管...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏宇佳，吴仪，
申请(专利权)人：北京七星华创电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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