半导体衬底的原位背面清洗制造技术

本发明专利技术提供了一种清洗半导体晶圆的方法和装置。在该方法的实施例中，提供了单晶圆清洗装置并且将晶圆设置在该装置中。将第一化学喷剂分布到晶圆的正面上。在分布第一化学喷剂的同时清洗晶圆的背面。清洗背面可以包括刷子和清洗液喷剂。还描述了一种用于清洗单个半导体晶圆的正面和背面的装置。本发明专利技术还提供了一种半导体衬底的原位背面清洗。

【技术实现步骤摘要】
半导体衬底的原位背面清洗
本专利技术大体上涉及的是半导体器件制造，更具体地涉及的是在制造过程中清洗半 导体晶圆的方法。
技术介绍
半导体器件制造发展的最新趋势包括引入额外的单晶圆清洗工艺。由于该单晶圆 清洗工艺可以提供改进的清洗效率和工艺稳定性，因此替代了湿式工作台(wet-bench)类 清洗方式。然而，单晶圆清洗工具的问题在于无法清洗晶圆的背面。因此，通常需要额外的处 理步骤来清洗半导体晶圆的背面。这就产生了与工具、厂房、周期时间等相关的额外费用。 因此，需要一种能够改进这些问题中的一个或多个的单晶圆清洗制造工艺。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种装置，包 括晶圆定位器件，用于将半导体晶圆保持在第一位置中；第一晶圆清洗器件，设置所述第 一位置的第一侧上，其中，所述第一晶圆清洗器件包括用于分布化学喷剂的第一喷嘴；以及 第二晶圆清洗器件，设置所述第一位置的第二侧上，所述第二侧是所述第一位置的所述第 一侧的相对侧，其中，所述第二晶圆清洗器件包括刷子。在该装置中，所述第二晶圆清洗器件还包括用于分布化学喷剂的第二喷嘴。在该装置中，所述第二晶圆清本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：晶圆定位器件，用于将半导体晶圆保持在第一位置中；第一晶圆清洗器件，设置所述第一位置的第一侧上，其中，所述第一晶圆清洗器件包括用于分布化学喷剂的第一喷嘴；以及第二晶圆清洗器件，设置所述第一位置的第二侧上，所述第二侧是所述第一位置的所述第一侧的相对侧，其中，所述第二晶圆清洗器件包括刷子。

【技术特征摘要】
2011.09.22 US 13/240,5831.一种装置，包括晶圆定位器件，用于将半导体晶圆保持在第一位置中；第一晶圆清洗器件，设置所述第一位置的第一侧上，其中，所述第一晶圆清洗器件包括用于分布化学喷剂的第一喷嘴；以及第二晶圆清洗器件，设置所述第一位置的第二侧上，所述第二侧是所述第一位置的所述第一侧的相对侧，其中，所述第二晶圆清洗器件包括刷子。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二晶圆清洗器件还包括用于分布化学喷剂的第二喷嘴。3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述第二晶圆清洗器件还包括用于分布化学喷剂的第三喷嘴。4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述刷子包含聚合物。5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述刷子包含聚乙烯醇(PVA)。6.一种方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶明熙，庄国胜，张简瑛雪，杨棋铭，林进祥，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：