触控面板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种触控面板，该触控面板包括：一基板；一纳米银丝电极层，设置于该基板上，该纳米银丝电极层包括导接区域和非导接区域；一第一保护层，设置于该纳米银丝电极层上，且该第一保护层具有一导接孔，该导接孔对应于该导接区域；一第二保护层，设置于该第一保护层上，且该第二保护层具有一开孔，该开孔对应于该导接孔的位置；以及一导接线，设置于该第二保护层上，且该导接线通过该开孔及该导接孔连接该导接区域的纳米银丝电极层。采用本实用新型专利技术的触控面板，可避免单一保护过厚时蚀刻液无法渗透，以及过薄时纳米银丝层易被氧化和在基板上附着力差的问题，而且在采用不完全蚀刻的工艺时，可避免仅有第一保护层时，在保护层周边形成导接线连接纳米银丝电极层可能存在的短路问题。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及触控面板。
技术介绍
传统的触控面板的感测电极材料较多的采用氧化铟锡(ITO)。近来由于铟矿的来源取得不易以及铟元素的日渐枯竭，使用不同的透明电极来取代氧化铟锡(ITO)成为一个热门的课题。其中使用纳米银丝SNW(Silver Nano-Wire)取代ITO为目前一种可行性的方案。然而，相较于ITO，SNW较易被氧化且SNW在玻璃或PET基板上附着力低，后续加工会存在良率问题。因此，如图1所示，在基板100形成纳米银丝层110之后，会再涂布另外一层保护层120覆盖纳米银丝层110，保护层120可隔绝部分空气，进而提高纳米银丝层110的抗氧化能力。分散于基板100上的纳米银丝层110自身具有一定疏密度，保护层120可通过纳米银丝层110自身的间隙与基板100接触，进而可通过保护层120与基板110较佳的附着力来提高纳米银丝层120在基板110上的附着力。然而，保护层太厚或太薄，均存在设计上的缺陷如果保护层过厚在纳米银丝层形成电极图形时，蚀刻工艺中蚀刻液较难渗透保护层对SNW进行蚀刻。如果保护层太薄纳米银丝层的抗氧化能力下降，而且保护层与基板的接合效果亦将减弱，进而导致纳米银丝层在基板上的附着力下降，因此会影响制造后产品的良率。
技术实现思路
本技术的所要解决的技术问题在于提供一种触控面板，以解决现有技术中单一保护层太厚和太薄存在的问题。本技术提供一种触控面板，该触控面板包括一基板；一纳米银丝电极层，设置于该基板上，该纳米银丝电极层包括导接区域和非导接区域；一第一保护层，设置于该纳米银丝电极层上，且该第一保护层具有一导接孔，该导接孔对应于该导接区域；一第二保护层，设置于该第一保护层上，且该第二保护层具有一开孔，该开孔对应于该导接孔的位置；以及一导接线，设置于该第二保护层上，且该导接线通过该开孔及该导接孔连接该导接区域的纳米银丝电极层。其中，该第一保护层为厚度为50nm至500nm的保护层。其中，该第二保护层为 厚度为O. 2 μ m至5 μ m的保护层。其中，该第一保护层的材料为可透视的绝缘材料。其中，该第二保护层的材料为可透视的绝缘材料。其中，该导接线采用银、铝、铜、钥铝钥合金、氧化铟锡(ΙΤ0)，或上述各材料的组八口 ο其中，该导接孔不贯穿该第一保护层。其中，该纳米银丝电极层包含多条条状的电极。其中，该纳米银丝电极层包含多个沿第一方向排列的第一电极块，多条电性连接相邻第一电极块的第一连接线，以及多个沿第二方向排列的第二电极块，且各第二电极块分别设置于第一连接线两侧，且各第二电极块上的第一保护层和第二保护层分别形成有导接孔和与导接孔对应的开孔；所述第二保护层上设置有多条第二连接线，各第二连接线通过设置于第二电极块上的导接孔和开孔，电性连接相邻的第二电极块。其中，所述第二连接线的材料采用银、铝、铜、钥铝钥合金、氧化铟锡，或上述各材料的组合。本技术通过在第一保护层上设置第二保护层，第一保护层可以减薄，蚀刻工艺中蚀刻液容易渗透保护层对纳米银丝层进行蚀刻。同时，之后形成的导接线易于与下方的纳米银丝电极层连接。第二保护层提高了纳米银丝电极层在基板上的抗氧化能力以及附着力。另外，当采用不完全蚀刻的工艺时，由于第一保护层上额外设置了第二保护层，则保护层整体不至很薄，可避免仅有第一保护层时，在保护层周边形成导接线连接纳米银丝电极层时可能存在的短路问题。附图说明图1为现有技术纳米银丝层上一层保护层的示意图；图2为为本技术触控面板制备方法的工艺步骤图；图3a至图3g为对应于图2工艺步骤图各步骤的触控面板示意图；图4为完全蚀刻与不完全蚀刻工艺的示意图；图5a为本技术一触控面板的示意图，图5b为沿图5a A_A’方向的剖面图；图6a为本技术一纳米银丝电极层的示意图，图6b为采用图6a纳米银丝电极层的触控面板的剖面图；其中，附图标记100、200、300、400 基板110、210a纳米银丝层210b、310b、410b纳米银丝电极层120、220、320、420 第一保护层230、330、430、第二保护层240、340、440 开孔250、350、450 导接孔260、360、460 导接线411、第一电极块412、第一连接线413、第二电极块470、第二连接线Ml、导接区域M2、非导接区域具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本技术进行详细描述，但不作为对本技术的限定。以下文中的方位“上”及“下”仅是用来表示各元件相对的位置关系，并不用以限定本技术的保护范围。请参考图2，图2为本技术触控面板的制备方法的工艺步骤图，本技术触控面板的制备方法包括步骤1:提供一基板；请参照图3a，提供一基板200，基板200采用可透视的材料，可以是玻璃基板或者聚对苯二甲酸类塑料(Polyethylene terephthalate, PET)基板。基板200的表面可为平面或者曲面。步骤2 :于该基板上形成纳米银丝层；请参照图3b，于基板200上形成一整层的纳米银丝层210a。形成纳米银丝层210a可采用沉积、溅射等工艺。步骤3 :于该纳米银丝层上形成一第一保护层；请参照图3c，于纳米银丝层210a上形成第一保护层220。第一保护层的厚度为50nm至500nm，在此厚度范围内，蚀刻液可渗·透保护层对纳米银丝层进行蚀刻。第一保护层220采用可透视的绝缘材料，如二氧化硅。步骤4 :对该纳米银丝层进行处理形成纳米银丝电极层。请同时参考图3d和图4，纳米银丝层210a进行处理，形成纳米银丝电极层210b。在一实施例中，纳米银丝电极层210b可为图4中的条状电极结构。纳米银丝电极层210b亦可采用其它电极结构。如图4所示，在一实施例中，对纳米银丝层210a可采用完全蚀刻的工艺A。在另一实施例中，对纳米银丝层210a可采用不完全蚀刻的工艺B，即在蚀刻过程中，可不蚀刻掉非电极结构区域的所有纳米银丝，仅将该区域蚀刻成与电极结构区域电性隔离的区域。相较于完全蚀刻的工艺A，采用非完全蚀刻的工艺B，经蚀刻后，蚀刻区的电极与非蚀刻区的电极色差较小，即产品结构会有较好的外观效果。纳米银丝电极层210b上需与外界导接以传递电信号的区域为导接区域Ml。步骤5 :于该第一保护层上形成一具有一开孔的第二保护层，该开孔对应于该导接区域；请参考图3e，在第一保护层220上形成一第二保护层230，其中第二保护层230对应于导接区域Ml具有一开孔240。形成具开孔的第二保护层230可采用印刷涂布的工艺或微影蚀刻的工艺。该第二保护层230采用可透视的绝缘材料，如二氧化硅、环氧树脂、压克力聚合物等，或前述各材料之组合。第二保护层230的厚度为0.2 μ m(微米)至5μπι。步骤6 :于该开孔对应处的第一保护层形成一导接孔。请参考图3f，对第一保护层220进行处理，形成一导接孔250，该导接孔250对应于开孔240的位置。在第一保护层220上形成该导接孔250可采用电浆蚀刻的工艺。步骤7 :形成导接线连接该导接区域的电极。请参考图3g，形成一导接线260，该导接线260通过开孔240和导接孔250电性连接导接区域Ml的纳米银丝电极层210b。需说明的是，导接孔250可不贯穿第一保护层220，即第一保护层220减薄至可导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种触控面板，其特征在于，包括：一基板；一纳米银丝电极层，设置于该基板上，该纳米银丝电极层包括导接区域；一第一保护层，设置于该纳米银丝电极层上，且该第一保护层具有一导接孔，该导接孔对应于该导接区域；一第二保护层，设置于该第一保护层上，且该第二保护层具有一开孔，该开孔对应于该导接孔的位置；以及一导接线，设置于该第二保护层上，且该导接线通过该开孔及该导接孔连接该导接区域的纳米银丝电极层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘振宇，龚立伟，林熙乾，
申请(专利权)人：宸鸿光电科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：