【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及有源矩阵基板及其制造方法和液晶显示面板，特别涉及抑制设置于有 源矩阵基板的多个像素电极之间的短路的技术。
技术介绍
有源矩阵驱动方式的液晶显示面板包括按作为图像的最小单位的各像素例如设 置有薄膜晶体管(Thin Film Transistor，薄膜晶体管，以下也称为“TFT”)等开关元件的有 源矩阵基板；以与有源矩阵基板相对的方式配置的对置基板；和被封入两基板之间的液晶层。在有源矩阵基板，由于多个像素电极呈矩阵状以窄间隔设置，所以当在对成为各 像素电极的透明导电膜进行成膜的工序和在使用光刻法对该透明导电膜进行图案形成的 工序中产生颗粒，并且这些颗粒附着在基板上时，存在相邻的各像素电极彼此短路的可能 性。例如专利文献I中公开了一种TFT矩阵的制造方法，该制造方法具有在形成有多 个TFT的基板上形成保护绝缘膜的工序；在成为相邻的像素电极间的分离区域的区域的保 护绝缘膜形成槽，同时在TFT的源极电极之上的保护绝缘膜形成开口的工序；在整个面形 成透明导电膜的工序；和有选择地对透明导电膜进行蚀刻，通过槽按每个像素区域进行分 离，并且形成经由开口与TFT的源极...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.21 JP 2010-1636391.一种有源矩阵基板，其特征在于，包括 呈矩阵状设置的多个像素； 按所述多个像素中的各像素分别设置的多个开关元件； 设置在所述多个开关元件中的各开关元件上的第一保护绝缘膜； 设置在所述第一保护绝缘膜上的透明导电层； 设置在所述透明导电层上的第二保护绝缘膜；和 在所述第二保护绝缘膜上呈矩阵状设置、且与所述各开关元件分别连接的多个像素电极， 在所述第二保护绝缘膜，沿所述各像素电极的周围形成有槽，使得所述第一保护绝缘膜露出， 所述透明导电层沿所述第二保护绝缘膜的槽以在从该槽的侧壁凹进的状态下从该槽的侧壁露出的方式设置。2.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于 所述透明导电层隔着所述第二保护绝缘膜与所述各像素电极重叠，由此构成辅助电容。3.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于 所述透明导电层按所述各像素独立地设置，且隔着所述第二保护绝缘膜与所述各像素电极重叠，由此构成辅助电容。4.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于 所述透明导电层按所述各像素呈框状设置， 在所述第一保护绝缘膜与所述第二保护绝缘膜的层间，在所述各透明导电层的框内分别设置有透明电极， 所述透明电极隔着所述第二保护绝缘膜与所述各像素电极重叠，由此构成辅助电容。5.如权利要求1至4中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于 所述透明导电层形成得比所述各像素电极厚。6.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于 所述有源矩阵基板包括 呈矩阵状设置的多个像素； 按所述多个像素中的各像素分别设置的多个开关元件； 设置在所述多个开关元件中的各开关元件上的第一保护绝缘膜； 设置在所述第一保护绝缘膜上的透明导电层； 设置在所述透明导电层上的第二保护绝缘膜；和 在所述第二保护绝缘膜上呈矩阵状设置、且与所述各开关元件分别连接的多个像素电极， 所述有源矩阵基板的制造方法包括 在基板上形成所述各开关元件的开关元件形成工序；在所述形成的各开关元件上形成所述第一保护绝缘膜的第一保护绝缘膜形成工序；透明导电形成层形成工序，在以覆盖所述形成的第一保护绝缘膜的方式形成第一透明导电膜之后，对该第一透明导电膜进行图案形成，由此形成成为所述透明导电层的透明导电形成层； 第二保护绝缘膜形成工序，在以覆盖所述透明导电形成层的方式形成绝缘膜之后，沿该绝缘膜中的所述多个像素电极中的各像素电极所配置的区域的周围形成槽，由此形成所述第二保护绝缘膜，使得所述透明导电形成层的一部分露出； 透明导电层形成工序，对从所述形成的第二保护绝缘膜露出的所述透明导电形成层进行蚀刻，使该透明导电形成层从所述第二保护绝缘膜的槽的侧壁后退，由此形成所述透明导电层；和 像素电极形成工序，在所述形成的透明导电层上的所述第二保护绝缘膜上形成第二透明导电膜，之...
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