半导体器件及其制造方法、电源装置以及高频放大单元制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体器件及其制造方法、电源装置以及高频放大单元。一种半导体器件，包括化合物半导体多层结构、覆盖化合物半导体多层结构的表面的含氟阻挡膜、以及布置在化合物半导体多层结构上方的栅电极，其中含氟阻挡膜布置在栅电极与化合物半导体多层结构之间。

【技术实现步骤摘要】

本文中讨论的实施方案涉及半导体器件、用于制造所述半导体器件的方法、电源装置以及高频放大单元。
技术介绍
GaN高电子迁移率晶体管(GaN-HEMT)是包括包含化合物半导体如氮化物半导体的化合物半导体多层结构的半导体器件的例子。GaN具有优异的材料特性，如高介电强度、在使用二维电子气的情况下的相对高的迁移率、以及高饱和电子漂移速度，因此，GaN-HEMT正被开发为用于电源应用的允许高功率、高效率、高电压操作的功率器件。换言之，由于Si横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)·晶体管和GaAs场效应晶体管(FET)难以应用于这种功率器件，因此，GaN-HEMT正被开发为用于电源应用的允许高功率、高效率、高电压操作的功率器件。在包括这种化合物半导体多层结构的半导体器件中，在化合物半导体多层结构的表面具有氮缺陷(悬键)并且栅电极置于化合物半导体多层结构上方时，悬键用作电子陷阱，从而阀值电压变化。在这种情况下，利用氟对悬键进行封端使得化合物半导体多层结构的表面进行氟封端处理，从而减少悬键的数量并且抑制阀值电压的变化。然而，在化合物半导体多层结构的进行氟封端处理的表面暴露到空气中的时间较长，即直本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：化合物半导体多层结构；覆盖所述化合物半导体多层结构的表面的含氟阻挡膜；以及布置在所述化合物半导体多层结构之上的栅电极，所述含氟阻挡膜置于所述栅极与所述化合物半导体多层结构之间。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：尾崎史朗，武田正行，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：