发光装置及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种发光装置及电子设备，在基板(10)的面上形成有驱动晶体管(Tdr)和电容元件(C1)。驱动晶体管(Tdr)控制向发光元件(E)供给的电流量。电容元件(C1)与驱动晶体管(Tdr)的栅电极电连接，设定、保持栅极电位(Vg)。在覆盖驱动晶体管(Tdr)和电容元件(C1)的第一绝缘层(L1)的面上，形成有经由接触孔(Ha3)与驱动晶体管(Tdr)导通的元件导通部(71)。元件导通部(71)与发光元件E的第一电极(21)连接。从垂直于基板(10)的方向观察，元件导通部(71)隔着驱动晶体管(Tdr)配置在与电容元件(C1)相反的一侧的区域。由此，可抑制对发光元件的发光造成影响的寄生电容的产生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种利用了有机EL(ElectroLuminescent)材料等的发光材料的发光装置的构造。
技术介绍
以往，提出了一种将根据栅极电位控制向发光元件供给的电流量的晶体管(下面称作“驱动晶体管”)按每个发光元件而配置的有源矩阵方式的发光装置(例如，专利文献 I)。驱动晶体管的栅电极连接有用于设定、保持其电位的电容元件。驱动晶体管经由图案形成为规定形状的源极金属而与发光元件电连接。为了对应于发光元件的高精细化和发光装置的小型化，需要通过靠近配置与发光元件相关的各要素来缩小各发光元件的面积。但是，会在相互接近的要素之间产生寄生电容。例如，由于以上构成中的源极金属和电容元件的各电极经由绝缘层而靠近配置在相互重叠的位置，所以，容易在两者之间产生寄生电容。而且，因寄生于各要素的电容，会导致阻碍发光元件的举动(发光的时间长与光量)的高精度控制的问题。以上述情况为背景，本专利技术的目的在于抑制对发光元件的发光造成影响的寄生电容。专利文献1:特开2004-119219号公报
技术实现思路
本专利技术一个方式的发光装置，在基板上配置有控制供给到发光元件的电流量的驱动晶体管、与驱动晶体管的栅电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，其特征在于，具备：基板；电源线；发光元件，其具有：第一像素电极；与所述第一像素电极对置设置的对置电极；设置在所述第一像素电极与所述第二像素电极之间且配置在所述基板的第一面上的发光层；第一晶体管，其具有第一栅电极、第一沟道区域、第一漏极区域和第一源极区域，控制所述电源线与所述发光元件之间的导通状态；和导通部，其将所述第一晶体管与所述第一像素电极电连接，在所述电源线上设置有开口，在从与所述第一面垂直的第一方向观察的情况下，所述导通部配置在所述开口中。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：洼田岳彦，神田荣二，野泽陵一，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：