钽电容器制造技术

提供一种钽电容器，包括：通过烧结钽粉末形成的芯片烧结体；以及由铌（Nb）形成并具有由位于芯片烧结体内部的插入区和位于芯片烧结体外部的非插入区的阳极引出线，由于铌（Nb）丝用作阳极引出线，从而增强了阳极引出线与钽粉末的键合力，以便可以改善等效串联电阻（ESR）和泄漏电流（LC）特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及钽电容器，尤其涉及能够增强阳极引出线与钽粉末之间的键合力并改善烧结时的泄漏电流(LC)特征的钽电容器。
技术介绍
钽(Ta)是一种由于具有极好的机械和物理特征(诸如，高熔点和抗腐蚀性)而在诸如航空航天工业和国防工业的工业中以及在机械工程工业、化学工业、医学工业、电气器材工业和电子产品工业中得到广泛使用的金属。特别地，在各种金属中，钽材料能够形成相对更稳定的阳极氧化物薄膜，因此已经被广泛用作小型电容器的阳极材料。而且，近来，由于信息技术(IT)工业(诸如电子产品工业和信息通信工业)的快速发展，钽在全世界的使用已经以近似每年10%的速度锐增。钽电容器具有利用了钽粉末在烧结和凝固时所生成的间隙的结构。通过阳极氧化方法，钽氧化物(Ta2O5)可以在钽的表面上形成以作为电极金属。所形成的钽氧化物用作介电材料，在该钽氧化物上，锰氧化物(MnO2)层可以形成以作为电解质。另外，由于负电极的引出，可以在MnO2层上形成石墨层和金属层。通过在与粘结剂混合的钽粉末中插入钽丝(tantalum wire )并执行烧铸 (molding)和烧结来准备钽烧结体、通过阳极氧化方法在钽烧结体的表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种钽电容器，该钽电容器包括：通过烧结钽粉末形成的芯片烧结体；以及由铌（Nb）形成并具有位于所述芯片烧结体内部的插入区和位于所述芯片烧结体外部的非插入区的阳极引出线。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：赵泰衍，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：