【技术实现步骤摘要】
本公开涉及，具体而言涉及在SSD(SC)Iid state drive,固态驱动器)被用作存储设备的情况下适宜的。
技术介绍
近年来，SSD作为容量易于增大并且在执行随机访问时具有高读取速度的存储设 备正吸引着注意。对于标准SSD，现在使用NAND闪存。特别地，己知这样的事实，即，因为随着重写次数的增加存储器单元的劣化进展， NAND闪存变得不能够保持存储器信息。具体而言，随着反复重写，用于防止电子从存储电子 的浮置栅极泄漏的隧道氧化膜的劣化进展，并且一些电子从隧道氧化膜中泄漏，从而减少 了浮置栅极中的电子的数量。另外，半导体产品的特有问题的示例包括由于硅晶片的中心 部分与周边部分之间的纯度的变动或者硅晶片的Z方向上的纯度的变动引起的特性的个 体差异的问题。就此，SSD采用磨损平衡(wear leveling),磨损平衡通过以块为单位管理写入次 数并且均衡所有块中的写入次数，来防止一部分块的隧道氧化膜集中劣化。另外，采用了不 良块管理、差错校正功能等等。在不良块管理中，登记由于差错而写入失败的块并且以后禁 止使用该块。2010-061578号日本专利申请早期公布...
【技术保护点】
一种信息处理装置，包括：指派单元，该指派单元被配置为评估整体上构成一个存储设备的多个半导体存储器中的每一个的物理特性并且向所述多个半导体存储器的至少一部分指派与评估结果相对应的用途属性；以及判定单元，该判定单元被配置为对于数据的写入命令判定作为该数据的写入目的地的具有最优用途属性的半导体存储器。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：高木芳德，小方一郎，日比启文，田村吉弘，井崎大辅，吉田恭助，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：
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