一种纳米Al2O3复合的耐电晕聚酰亚胺薄膜制造技术

本发明专利技术涉及一种含有高浓度纳米金属氧化物的耐电晕聚酰亚胺薄膜，它主要成分包括均苯四甲酸二酐、4.4’-二氨基二苯醚和纳米级三氧化二铝，所属纳米级金属氧化物的粒径范围在30-50nm间。本发明专利技术突出优点在于合成出一种新型的偶联剂，并将其与钛酸酯偶联剂NDZ-130复配对所制备的α-Al2O3超细粉末进行了表面改性修饰，从而使改性后的纳米颗粒能够以较高的质量分数（可达30wt%）均匀稳定的分散在基体聚酰亚胺膜中。由于本发明专利技术采用以上新型的技术方案，能够较好的克服当前耐电晕聚酰亚胺薄膜制作中很难均匀地掺入高浓度纳米金属氧化物，同时保证膜的机械性能不下降的技术难题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种化学制品及其制备方法，更确切地说涉及一种耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制备方法，属于电机电气绝缘

技术介绍
聚酰亚胺因具有高热稳定性、高强度与高模量、低热膨胀系数和介电常数、优异的绝缘性能和耐溶剂性等优异性能而被广泛地应用于航空航天、军事、电气电子等工业领域。 但是由于它是有机高聚物，耐电晕性差，限制了其在高压电动机及变频调速电机系统中的应用。纳米科学技术的发展为新材料的开发和对现有材料的改性提供了新的思路和途径。 实践证明，在现有的高耐热绝缘材料中添加一定量的陶瓷氧化物，如Tiq^、SiO2, A1203、ZnO 等，可在保持原有聚合物耐高温性能的同时，大幅度提高高分子绝缘材料的耐电晕性，从而满足变频电机的运行要求。因而将纳米介质引入聚酰亚胺体系中形成复合材料来克服单一聚酰亚胺的耐电晕性差是当今国际上比较热的研究方向。目前，国内对耐电晕聚酰亚胺薄膜的研究还很不完善，工业化生产的耐电晕薄膜的耐电晕性及其均匀性尚不能完全满足产业要求，同时机械性能也有所下降，产品率较低。 纳米粒子的含量大，粒径小其分散更加困难，而纳米金属氧化物的含量越高、粒径越小、在薄膜中分布越均本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米Al2O3复合的耐电晕聚酰亚胺薄膜，其组分和配比如下：基体膜成分为均苯四甲酸二酐与4.4’?二氨基二苯醚，两者的质量比为1：1.1；无机掺杂剂为新型偶联剂改性的纳米氧化铝，其所占薄膜质量分数的15?30%；所述新型偶联剂其结构通式如下所示：其中R=5?20的整数。FDA00002320350000011.jpg

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王冬，金召奎，梁蓬霞，弥永胜，赵玉真，
申请(专利权)人：北京科技大学，
类型：发明
国别省市：