一种新型拓扑结构的电阻层析成像有限元仿真模型制造技术

本实用新型专利技术涉及一种新型拓扑结构的电阻层析成像有限元仿真模型，属于检测领域。为了提高电阻层析成像正问题计算精度与图像重建质量，针对目前广泛采用的16电极相邻激励模式以及三角形有限元划分方法，建立一种新型拓扑结构的电阻层析成像有限元仿真模型。此模型内部区域采取非均匀分布形式，外部区域模拟敏感场均匀分布时电流线的分布形式与分布密度。优点：相同实验条件下，与传统等间隔均匀分布形式的有限元模型及其改进模型相比，此模型提高了电阻层析成像正问题计算精度与图像重建质量。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术主要涉及一种新型拓扑结构的电阻层析成像有限元仿真模型，用于断层层析成像测量，特别是管道内两相流的层析成像，属于检测领域。
技术介绍
电阻层析成像技术作为一种高新检测技术，在两相流领域存在潜在应用前景。在电阻层析成像技术中，有限元模型拓扑结构对正问题计算精度与图像重建质量具有重要影响。图2为传统的按等间隔原理剖分的有限元模型，目前已有研究学者通过仿真实验验证了其不合理性，并提出了不同的改进模型图3有限元模型中除次最外层与最外层间的区域外，其余区域模拟敏感场均匀分布时电流线的分布密度与分布形式，但实际上电流密度在激励电极之间最高，其他区域以距离的函数向外迅速衰减，且次最外层半径需人为设置，缺乏理论依据，具有一定的主观性与随机性；图4有限元模型以敏感场均匀分布时模型均方根值的倒数为适应度函数，并引入三角形最长边与最短边的比值作为惩罚函数，利用智能算法优化模型拓扑结构，但没有考虑到电流线的分布形式；图5为细化后有限元模型，虽然提高了正问题计算精度，但由于细化有限元加大了正问题求解的计算量，难以满足实际系统的实时性要求。
技术实现思路
本技术的目的提供一种新型拓扑结构的电阻层析成像有限元仿真模本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型拓扑结构的电阻层析成像有限元仿真模型，其特征是：该模型由内部区域和外部区域组成，其中，内部区域有5层即第1层至第5层，外部区域有3层即第6层至第8层；内部区域采取非均匀分布形式，外部区域模拟敏感场均匀分布时电流线的分布形式与分布密度。

【技术特征摘要】
1.一种新型拓扑结构的电阻层析成像有限元仿真模型，其特征是该模型由内部区域和外部区域组成，其中，内部区域有5层即第I层至第5层，外部区域有3层即第6层至第8层；内部区域采取非均匀分布形式，外部区域模拟敏感场均匀分布时电流线的分布形式与分布密度。2.根据权利要求I所述的一种新型拓扑结构的电阻层析成像有限元仿真模型，其特征是所述的内部区域的第I层至第5层的半径与模型半径比值分别为0. 24478694、O. 44920644,0. 61988740,0. 76146701,0. 87313088 ;所述的外部区域的第 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖理庆，徐晓菊，席建中，韩成春，
申请(专利权)人：徐州工程学院，
类型：实用新型
国别省市：