一种光电位移传感器制造技术

本实用新型专利技术提供一种光电位移传感器，至少包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的金属薄膜层；分别设置在所述金属薄膜层两端的第一电极和第二电极；分别与所述第一电极和第二电极连接的第一电极引线和第二电极引线；所述金属薄膜层包括单一金属或金属合金；本实用新型专利技术还可以包括形成在所述半导体衬底和所述金属薄膜层之间的氧化物层；所述氧化物层为氧化物半导体层或金属氧化物层。本实用新型专利技术通过将金属薄膜层作为光电位置传感器的光响应面，相对于目前的光电位移传感器来说，可以显著提高和改善光电位移传感器的线性度和灵敏度，同时本实用新型专利技术结构简单，适用于大规模工业生产应用。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

一种光电位移传感器
本技术涉及探测器
，特别是涉及一种光电位移传感器。
技术介绍
位移传感器是把位移转换为电量的传感器，被广泛应用于工程建设、工业控制、仪器制造领域。位移传感器可以分为电感式位移传感器，电容式位移传感器，超声波式位移传感器,霍尔式位移传感器，光电式位移传感器等。现在常用的位移传感器是电位器式位移传感器，它结构简单，输出信号大，使用方便，价格低廉。但是它容易磨损，而且其输出特性呈阶梯形。同时由于机械式的电刷无法做到微米级别，所以其精度不高。目前高精度的位移传感器结构复杂、制作成本高、价格昂贵。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种光电位移传感器，来提高和改善光电位移传感器的线性度和灵敏度。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种光电位移传感器，至少包括半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的金属薄膜层；分别设置在所述金属薄膜层两端的第一电极和第二电极；分别与所述第一电极和第二电极连接的第一电极引线和第二电极引线。可选地，所述金属薄膜层的厚度为lnnT50nm。可选地，所述金属薄膜层的厚度为5. 9nnT7. Onm。可选地,所述金属薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电位移传感器，其特征在于，至少包括：?半导体衬底；?形成于所述半导体衬底上的金属薄膜层；?分别设置在所述金属薄膜层两端的第一电极和第二电极；?分别与所述第一电极和第二电极连接的第一电极引线和第二电极引线。

【技术特征摘要】
1.一种光电位移传感器，其特征在于，至少包括半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的金属薄膜层；分别设置在所述金属薄膜层两端的第一电极和第二电极；分别与所述第一电极和第二电极连接的第一电极引线和第二电极引线。2.根据权利要求I所述的光电位移传感器，其特征在于所述金属薄膜层的厚度为 lnm 50nmo3.根据权利要求2所述的光电位移传感器，其特征在于所述金属薄膜层的厚度为.5.9nm 7· Onm04.根据权利要求1、2或3所述的光电位移传感器，其特征在于所述金属薄膜层包括单一金属或金属合金。5.根据权利要求4所述的光电位移传感器，其特征在于所述单一金属为Ti、Co或Cu。6.根据权利要求I所述的光电位移传感器，其特征在于还包括形成在所述半导体衬底和所述金属薄膜层之间的氧化物层。7.根据权利要求6所述的光电位移传感器，其特征在于所述氧化物层为氧化物半导体层或金属氧化物层。8.根据权利要求7所述的光电位移传感器，其特征在于所述氧化物半导体层为SiO2 氧化物层或NiO氧化物层。9.根据权利要求7所述的光电位移传感器，其特征在于所述金属氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：王辉，俞崇祺，黄旭，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：实用新型
国别省市：