石英方坩埚制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种石英方坩埚，涉及光伏材料制备技术领域，解决了现有的石英方坩埚不能满足G7生长工艺的需求的问题。本实用新型专利技术实施例提供的石英方坩埚，具有正方形的底壁及四个侧壁，所述侧壁的外表面垂直于所述底壁，所述底壁的内外表面均为正方形，其中，所述底壁内表面的边长为1130mm至1190mm，所述侧壁内表面的高度为420mm至600mm。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

石英方坩埚
本技术涉及光伏材料制备
，尤其涉及一种石英方坩埚。
技术介绍
多晶硅铸锭用于生产多晶硅片，多晶硅片则用于生产太阳能电池。现有的多晶硅铸锭制备方法为将一定数量的多晶硅料装入石英方坩埚之后，将石英方坩埚放置在多晶硅铸锭炉的炉膛中央，再在真空状态和保护气氛下对石英方坩埚中的多晶硅料进行加热、熔化、定向长晶、退火、冷却等工艺处理后形成定向凝固的多晶硅铸锭。上述的石英方坩埚主要用于在G5及G6生长工艺中制备多晶硅铸锭。G5生长工艺可以将多晶硅铸锭切割为25(5*5)块156*156mm(长*宽)的标准小硅锭，G6生长工艺可以将多晶硅铸锭切割为36(6*6)块156*156mm(长*宽)的标准小硅锭。随着市场发展的需求，多晶硅铸锭的生长工艺技术已经逐渐发展为G7生长工艺， 需要把多晶硅铸锭切割为49 (7*7)块156*156mm(长*宽)的标准小硅锭，而现有的石英方坩埚不能满足G7生长工艺的需求。
技术实现思路
本技术的实施例提供一种石英方坩埚，可以满足多晶硅铸锭G7生长工艺的需求。为达到上述目的，本技术的实施例采用如下技术方案一种石英方坩埚，具有正方形的底壁及四个侧壁，所述侧壁的外表面垂直于所述底壁，所述底壁的内外表面均为正方形，所述底壁内表面的边长为1130mm至1190mm，所述侧壁内表面的高度为420mm至600mm。优选地，所述侧壁的顶端至底端厚度不同并逐渐增加，所述侧壁的顶端厚度为 IOmm至30mm,所述侧壁的底端厚度为20mm至40mm。优选地，所述侧壁的顶端至底端厚度相同，所述侧壁的厚度为20mm至35mm。优选地，所述底壁与所述侧壁之间的夹角及相邻的所述侧壁之间的夹角为圆倒角。本技术实施例提供的石英方坩埚中，由于底壁11内表面的边长a为1130_ 至1190mm,且侧壁22内表面的高度b为420mm至600mm,因此可以容纳更多的娃晶体,从而能够生产出更大的多晶硅铸锭；另外，由于1130mm和1190mm均大于7*156mm，因此该多晶硅铸锭能被切割为高度为420mm至600mm的49 (7*7)块156*156mm(长*宽)的标准小硅锭，满足G7生长工艺的需求。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为本技术实施例提供的一种石英方坩埚的示意图；图2为本技术实施例提供的另一种石英方坩埚的示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图I所示，为本技术一种石英方坩埚，具有正方形的底壁11及四个侧壁12， 侧壁12的外表面垂直于底壁11，底壁11的内外表面均为正方形，底壁11内表面的边长a 为11 30mm至1190mm,侧壁12内表面的高度b为420mm至600mm。本技术实施例提供的石英方坩埚中，由于底壁11内表面的边长a为1130_ 至1190mm,且侧壁22内表面的高度b为420mm至600mm,因此可以容纳更多的娃晶体,从而能够生产出更大的多晶硅铸锭；另外，由于1130mm和1190mm均大于7*156mm，因此该多晶硅铸锭能被切割为高度为420mm至600mm的49 (7*7)块156*156mm(长*宽)的标准小硅锭，满足G7生长工艺的需求。现有技术中的石英方坩埚生产的标准小硅锭数量最多为36个，而本技术实施例提供的石英方坩埚能够一次性生产490个标准小硅锭，大幅度提供高了生产效率，并且,生产成本相应降低。同时，不与所述石英方坩埚接触的中间部位的标准小硅锭数量大大增加，减少了所述石英方坩埚中所含杂质对所述标准小硅锭的污染，提高了所述标准小硅锭的平均质量，从而提高了所述硅片的平均质量。图2示出了另一种石英方坩埚，图2所示的石英方坩埚中，侧壁22的顶端至底端厚度不同并逐渐增加，与底壁21连接的侧壁22的厚度从顶端到底端逐渐增加，即侧壁22 顶端的厚度m为IOmm至30mm,侧壁22底端的厚度η为20mm至40mm。这样设置侧壁可以节省生产石英方坩埚所用材料，同时使相同空间内盛装下更多的多晶硅原料，同样能够满足生产的多晶硅铸锭能够一次性切割成49 (7*7)块 156*156mm (长*宽)的标准小硅锭。本技术实施例提供的石英方坩埚中，侧壁的结构可以如图I所示，即顶端至底端的厚度相同，根据实际生产验证，这种结构的侧壁12的厚度k可以为20mm至35mm。另外，如图I所示，底壁11与侧壁12之间的夹角及相邻的侧壁12之间的夹角为直角，而图2所示的石英方坩埚中，底壁21与侧壁22之间的夹角及相邻的侧壁22之间的夹角为圆倒角。由于图2中，底壁21与侧壁22之间的夹角及相邻的侧壁22之间的夹角为圆倒角， 可以防止生产过程中所述石英方坩埚及所生产多晶硅铸锭磕碰损坏。当然，底壁与侧壁之间的夹角及相邻的侧壁之间的夹角并不限于图I和图2所示的形式，也可以是本领域技术人员所知的其它形式。以上所述，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。权利要求1.一种石英方坩埚，具有正方形的底壁及四个侧壁，所述侧壁的外表面垂直于所述底壁，所述底壁的内外表面均为正方形，其特征在于，所述底壁内表面的边长为1130mm至1190mm,所述侧壁内表面的高度为420mm至600mm。2.根据权利要求I所述的石英方坩埚，其特征在于，所述侧壁的顶端至底端厚度不同并逐渐增加，所述侧壁的顶端厚度为IOmm至30mm,所述侧壁的底端厚度为20mm至40mm。3.根据权利要求I所述的石英方坩埚，其特征在于，所述侧壁的顶端至底端厚度相同，所述侧壁的厚度为20mm至35mm。4.根据权利要求1-3任一项所述的石英方坩埚，其特征在于，所述底壁与所述侧壁之间的夹角及相邻的所述侧壁之间的夹角为圆倒角。专利摘要本技术实施例公开了一种石英方坩埚，涉及光伏材料制备
，解决了现有的石英方坩埚不能满足G7生长工艺的需求的问题。本技术实施例提供的石英方坩埚，具有正方形的底壁及四个侧壁，所述侧壁的外表面垂直于所述底壁，所述底壁的内外表面均为正方形，其中，所述底壁内表面的边长为1130mm至1190mm，所述侧壁内表面的高度为420mm至600mm。文档编号C30B28/06GK202809001SQ20122043950公开日2013年3月20日 申请日期2012年8月30日 优先权日2012年8月30日专利技术者王楠, 黎志欣, 王军, 郭大伟, 冷先锋 申请人:北京京运通科技股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石英方坩埚，具有正方形的底壁及四个侧壁，所述侧壁的外表面垂直于所述底壁，所述底壁的内外表面均为正方形，其特征在于，所述底壁内表面的边长为1130mm至1190mm，所述侧壁内表面的高度为420mm至600mm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王楠，黎志欣，王军，郭大伟，冷先锋，
申请(专利权)人：北京京运通科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：