阻抗匹配元件制造技术

本发明专利技术的目的在于提供品质的偏差小、具有大电流耐受性的小型阻抗匹配元件。上述目的通过如下阻抗匹配元件来实现，所述阻抗匹配元件具备：布线部，其含有在第1电介质材料D1的内部埋设或在其表面形成的布线用导体图案；电感器部L4以及L5或电容器部C1中的任一方或者双方，所述电感器部L4以及L5含有在前述第1电介质材料D1的内部埋设或在其表面形成的电感器用导体图案，所述电容器部C1含有至少一对电容器用导体图案CC1和介于该成对电容器用导体图案之间的具有高于第1电介质材料D1的介电常数的第2电介质材料D2，前述布线用导体图案以及电感器用导体图案的厚度为20μm以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及阻抗匹配元件。本专利技术具体涉及品质的偏差小、具有大电流耐受性的小型阻抗匹配元件。
技术介绍
一般而言，包含硅(Si)、氮化镓(GaN)等的半导体元件的输出阻抗小，因此在与外部电路连接时大多与阻抗匹配用的电路连接。通过与阻抗匹配电路连接，从而可与外部电路的特性阻抗匹配，可将源自半导体元件的输出无浪费地送出于外部电路。上述阻抗匹配电路大多由电容器元件与、由将该电容器元件和上述那样的半导体元件连接的导体的细线(例如，金属丝)等形成的电感器元件构成。在该构成中，构成阻抗匹配电路的部件(即，电容器元件、电感器元件)的数量变多，阻抗匹配电路容易变为大型。 但是，阻抗匹配电路大多搭载于用于保护半导体元件的封装体内部，因而对阻抗匹配电路的小型化提出了要求。另外，由于部件数量多，因而容易招致制造工艺的复杂化、制造成本的增大，从该观点考虑也要求抑制部件数量。进一步，在将前述那样的半导体元件和阻抗匹配电路(的电容器元件)连接的细线构成电感器的上述结构中，当细线的长度、曲率发生偏差时，则作为电感器元件的电感发生偏差。因此，为了实现所希望的电感而需要精密地控制细线的长度、曲率，这另外也招致制造工艺的复杂化、制造成本的增大(例如参照专利文献I和2)。因此，首先考虑，为了使阻抗匹配电路小型化而将构成阻抗匹配电路的电容器元件和电感器元件形成为I个部件(即，阻抗匹配元件)。作为用于如上述那样将电容器元件和电感器元件形成为I个部件的方案，可举出将构成电容器兀件、电感器兀件、布线部分等的导体图案形成于电介质材料的内部而一体化。例如考虑，将在由陶瓷材料形成的生片上丝网印刷导体图案而得到的物质进行层叠， 将所获得的层叠体烧成，制造在内部具备电容器元件以及电感器元件的陶瓷电子元件，由此实现阻抗匹配元件的小型化。但是，根据上述那样的方法，虽然可实现阻抗匹配元件的小型化，但是在将印刷有导体图案的生片层叠时，发生导体图案的压碎、变形，因此难以形成具有充分的厚度的导体图案来实现大电流耐受性。另外也抱有如下等等问题由于层叠时的压碎、变形而导致在导体图案的剖面形状上产生尖锐的边缘部分从而招致了基于电场集中的电流集中，或在导体图案的厚度大的情况下，特别是，在导体图案的最靠近部分在生片间产生间隙从而招致起因于应力集中的机械强度降低等(例如参照专利文献I和2)。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开昭62-152134号公报专利文献2 :日本特开平1-220842号公报专利文献3 :日本特公昭40-019975号公报专利文献4 :日本特开平2-058816号公报专利文献5 :国际公开第2009/016698号
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术是为了解决与阻抗匹配电路有关联的前述那样的问题而创作出的专利技术。即，本专利技术的目的在于提供品质的偏差小、具有大电流耐受性的小型阻抗匹配元件。用于解决问题的方案本专利技术的上述目的在于通过如下阻抗匹配元件而实现，所述阻抗匹配元件具备 布线部，其含有在第I电介质材料的内部埋设或在其表面形成的布线用导体图案；电感器部或电容器部中的任一方或者双方，所述电感器部含有在前述第I电介质材料的内部埋设或在其表面形成的电感器用导体图案，所述电容器部含有至少一对电容器用导体图案、和介于该成对的电容器用导体图案之间的具有高于第I电介质材料的介电常数的第2电介质材料，前述布线用导体图案以及电感器用导体图案的厚度为20 μ m以上。专利技术的效果本专利技术提供品质的偏差小、具有大电流耐受性的小型阻抗匹配元件。附图说明图I为表示本专利技术的I个实施方式的阻抗匹配元件的构成的等价电路图。图2为表示本专利技术的I个实施方式的阻抗匹配元件的构成的概略的剖视图。具体实施例方式如前述那样，本专利技术的目的在于提供品质的偏差小、具有大电流耐受性的小型阻抗匹配元件。S卩，本专利技术的第I实施方式为阻抗匹配元件，其具备布线部，其含有在第I电介质材料的内部埋设或在其表面形成的布线用导体图案；电感器部或电容器部中的任一方或者双方，所述电感器部含有在前述第I电介质材料的内部埋设或在其表面形成的电感器用导体图案，所述电容器部含有至少一对电容器用导体图案、和介于该成对的电容器用导体图案之间的具有高于第I电介质材料的介电常数的第2电介质材料，前述布线用导体图案以及电感器用导体图案的厚度为20 μ m以上。如上述那样，本专利技术的第I实施方式的阻抗匹配元件是一体型的阻抗匹配元件，其含有布线用导体图案、电容器用导体图案和/或电感器用导体图案、以及第I和第2电介质材料。本专利技术的第I实施方式的阻抗匹配元件通过该构成，与以往的阻抗匹配电路相比，实现了显著的小型化，所述以往的阻抗匹配电路由电容器元件和、由将该电容器元件和半导体元件连接的导体的细线(例如金属丝)等形成的电感器元件构成。进一步，本专利技术的第I实施方式的阻抗匹配元件成型为一体型的封装体，因此与上述那样的以往的阻抗匹配电路相比，可抑制各个构成要素的电感、静电电容等的偏差，实现稳定的品质。本专利技术的第I实施方式的阻抗匹配元件可具备上述电感器部或电容器部的任一方或者双方。即，本专利技术的第I实施方式的阻抗匹配元件中，在上述布线部的基础上，还可仅包含上述电感器部，也可仅包含上述电容器部，或者也可包含上述电感器部以及电容器部这两者。另外，理所当然地，本专利技术的第I实施方式的阻抗匹配元件中，也可分别根据需要而包含多个上述布线部、以及电感器部和/或电容器部。即，本专利技术的第I实施方式的阻抗匹配元件根据被连接的其它的元件的特性、使用环境等，可制成各种各样的构成。予以说明，阻抗匹配元件主要使用于高频率用途中，因而需要抑制寄生电容。因此，上述电感器部、布线部优选由具有低的介电常数的电介质材料和导体图案形成，抑制寄生电容。换言之，上述第I电介质材料的介电常数与上述第2电介质材料相比，优选具有相对低的介电常数。另一方面，上述电容器部优选作为元件的尺寸小，静电电容大。因此，上述电容器部优选由具有高的介电常数的电介质材料和导体图案形成，使静电电容增大。换言之，上述第2电介质材料的介电常数与上述第I电介质材料相比，优选具有相对高的介电常数。如上述那样构成的阻抗匹配元件是一体型的阻抗匹配元件，与以往的阻抗匹配电路相比，可制造为更小的尺寸，所述一体型的阻抗匹配元件包含布线用导体图案、电容器用导体图案和/或电感器用导体图案、以及第I和第2电介质材料。予以说明，为了小型化， 优选将这些导体图案形成于电介质材料的内部。但是不言自明，以与其它的元件等的连接等为目的，也可使导体图案的至少一部分露出于电介质材料的表面。作为上述电介质材料，优选将如上述那样具有高的介电常数的材料使用于上述电容器部中，因此与塑料等树脂相比，优选为陶瓷材料。另外，作为构成上述各种导体图案的导体，优选为具有低的电阻的金属，例如可列举出金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)等金属，但是不受限于它们。另外，也可组合多种金属而使用。 然而，这些金属都具有低熔点，因而作为上述陶瓷材料，优选能与这些金属材料同时烧成的所谓“低温烧成陶瓷材料(LTCC材料)”。作为上述电容器部中使用的具有高的介电常数的LTCC材料，例如可列举出 BaO-TiO2-Nd2O3组成系的材料、Bi2O3-Nb2O5组成系的材料等，但是不受限于它们。另外，作为上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：平井隆己，滑川政彦，矢野信介，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：
国别省市：