一种补偿走离和静态双折射的KTP调Q参量双功能器件制造技术

技术编号:8454427 阅读:308 留言:0更新日期:2013-03-21 23:11
本发明专利技术涉及一种补偿走离和静态双折射的KTP调Q参量双功能器件,包括外壳、电极、电光晶体,电光晶体包括从左到右依次设置的四块低电导率、Ⅱ类参量临界相位匹配角度切割的KTP晶体,依次旋转90°放置;在第一、三块KTP晶体的上、下通电面镀金膜,在第二、四块KTP晶体的前、后通电面镀金膜;从第一块晶体的上通电面、第二块晶体的前通电面、第三块晶体的下通电面和第四块晶体的后通电面引出金线,连接到正电极;从四块晶体的另一侧通电面引出金线,连接到负电极;器件电光调Q作用时采用退压工作方式。本发明专利技术实现参量作用和电光调Q两种功能的同时补偿了走离角和静态双折射相位延迟,消除了晶体加压时对相位匹配角的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电光Q开关器件,具体为一种在激光器中能实现电光调Q并同时发生参量非线性效应的器件。
技术介绍
KTP类晶体具有大的有效非线性系数和良好的电光性能,因此利用该类晶体研制非线性效应和电光复用器件的研究引起了人们极大的兴趣。1994年,日本T. Takunori等用一块lX3X5mm3的KTP晶体,对Nd: YVO4输出的1064nm激光实现了同时倍频和调Q。在重复频率IOOHz时,调制得到脉宽为18ns的532nm脉冲激光输出,峰值功率为15.4ff (Takunori Taira, Takao Kobayashi. Q-switching and frequency doubling ofsolid-state laser by a single intracavity KTP crystal , IEEE. J. QuantumEleronies, 1994, 30(3) : 800-804)。1995 年,他们又实现了峰值功率 230W 的绿光输出(Takunori Taira, Takao Kobayashi. Intraeavity frequency do本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种补偿走离和静态双折射的KTP调Q参量双功能器件,包括外壳、电极、电光晶体,其特征在于:电光晶体包括四块满足Ⅱ类参量临界相位匹配的KTP晶体,从左到右依次设置第一块KTP晶体(1)、相对第一块KTP晶体(1)旋转90°放置的第二块KTP晶体(2)、相对第一块KTP晶体(1)旋转180°放置的第三块KTP晶体(3)和相对第三块KTP晶体(3)旋转90°放置的第四块KTP晶体(4);在第一块KTP晶体(1)的上通电面镀金膜(5),下通电面镀金膜(6),在第二块KTP晶体(2)的前通电面镀金膜(7),后通电面镀金膜(8),在第三块KTP晶体(3)的上通电面镀金膜(9),下通电面镀金膜(10),在第...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张玉萍张会云张洪艳刘蒙尹贻恒
申请(专利权)人:山东科技大学
类型:发明
国别省市:

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