MgB2超导线及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种MgB2超导线的制备方法，包括：将干燥的镁、硼、铪和硅粉末，按照原子比?Mg∶Hf∶B∶Si?＝1-x∶x∶2-x∶x的比例充分混合1-3小时，其中0.05≤x≤0.20；将混合后的粉末装入无缝低硅钢管或铌管，再将这一复合体装入无氧铜管中组装成复合体；将复合体在室温经旋锻、孔型轧制和拉拔三种工艺的综合使用加工成线材；将线材置于真空退火炉中，室温下抽真空至10-3?Pa后充入纯氩气或氩气与氢气的混合气，然后以不低于60℃/分钟加热至740℃-760℃，保温1-10小时；以不低于25℃/分钟冷却至室温，制成截面形状为圆型的?MgB2基超导线。该方法制备过程简单并适宜于大规模生产、制得在3特斯拉以上的背景磁场中具有高临界电流密度的?MgB2?基超导线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种超导材料及其制备方法。
技术介绍
二硼化镁(MgB2)是目前临界转变温度最高的金属间化合物超导材料，它的临界转变温度(39-40K)高于目前已经进行实际应用的Nb3Sn和NbTi等超导材料。较高的转变温度、较大的相干长度、较高的上临界场、晶界不存在弱连接、结构简单、成本低廉等优点使 MgB2成为应用在20K-30K温度范围的材料最有力的竞争者。特别是在低场领域，如在磁共振成像磁体应用方面，MgB2表现了极大的优势，已经有数据表明，MgB2的实用化将带来数十亿的经济效益，而且由于可以在制冷机制冷条件下工作，MgB2的应用将会大大推动磁共振成像仪的推广，对于中国广大的乡村人民医疗水平的提高具有十分重要的意义。然而，目前制备的MgB2材料的临界电流密度与低温超导材料和A15超导材料相比还比较低，而且会随着磁场强度的增加而急剧的减小。提高MgB2的临界电流密度是一个难题，因为当电流通过超导材料时就会产生电子涡旋，电子涡旋的运动消耗能量，进而破坏材料的超导能力。如果涡旋能钉扎在杂质或缺陷上并且不影响无阻电流的流动，将可以大大提高临界电流密度。因此，为了提高MgB2在一定磁场本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MgB2超导线，其特征在于，所述超导线为在MgB2基超导材料中弥散分布着硅、铪及其化合物，该超导材料原子比组成为?Mg∶Hf∶B∶Si?＝1?x∶x∶2?x∶x，其中0.05≤x≤0.20。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张俊，王斌，陈丽，
申请(专利权)人：溧阳市生产力促进中心，
类型：发明
国别省市：