一种带反馈电路的高压稳压电路制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体集成电路领域，带反馈电路的高压稳压电路，包括：一外部电源VDD通过电阻R1连接PMOS管M1源极和高压NMOS管M4漏极；PMOS管M1栅极连接其漏极，其漏极连接NMOS管M2漏极，其衬底连接其源极；NMOS管M2栅极连接其漏极，其源极连接NMOS管M3漏极，其衬底连接地；NMOS管M3栅极连接其漏极，其源极连接晶体管D1发射极，其衬底连接地；高压NMOS管M4其栅极连接NMOS管M1源极，通过电阻R2连接NMOS管M5栅极，通过电阻R3连接地，其源极连接内部电源，其衬底连接地；NMOS管M5其漏极连接NMOS管M1源极，其源极连接晶体管D2发射极，其衬底连接地；晶体管D1和D2其各自基极连接其各自集电极后连接地。本发明专利技术的高压稳压电路能降低稳压电路功耗，提高稳压电路驱动能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种带电流补偿的高压稳压电路。
技术介绍
目如,使用的闻压稳压电路通常有两种解决方案，一种是使用闻压PMOS和闻压NMOS做的电压调整电路，但是由于高压器件的使用会明显增加制作成本；另一种是使用通用的电压嵌位电路，其缺点是驱动能力有限，并且驱动能力增大的同时功耗会迅速增大。所以，需要一种结构简单，驱动能力大，低功耗的高压稳压结构
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种结构简单的高压稳压电路，应用于半导体集成电路制造领域，能降低稳压电路功耗，提高稳压电路驱动能力。为解决上述技术问题，本专利技术的高压稳定电路，包括一外部电源VDD连接电阻Rl的一端和高压NMOS管Μ4的漏极，电阻Rl的另一端连接PMOS管Ml的源极；PMOS管Ml的栅极连接其漏极，其漏极连接NMOS管M2的漏极，其衬底连接其源极；NMOS管M2的栅极连接其漏极，其源极连接NMOS管M3的漏极，其衬底连接地；NMOS管M3的栅极连接其漏极，其源极连接双极结型晶体管Dl的发射极，其衬底连接地；高压NMOS管Μ4其栅极连接NMOS管Ml的源极和电阻R2的一端，其源极连接内本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带反馈电路的高压稳压电路，其特征是，包括：一外部电源VDD连接电阻R1的一端和高压NMOS管M4的漏极，电阻R1的另一端连接PMOS管M1的源极；PMOS管M1的栅极连接其漏极，其漏极连接NMOS管M2的漏极，其衬底连接其源极；NMOS管M2的栅极连接其漏极，其源极连接NMOS管M3的漏极，其衬底连接地；NMOS管M3的栅极连接其漏极，其源极连接双极结型晶体管D1的发射极，其衬底连接地；高压NMOS管M4其栅极连接NMOS管M1的源极和电阻R2的一端，其源极连接内部电源，其衬底连接地；电阻R2的另一端连接NMOS管M5的栅极和电阻R3的一端，电阻R3的另一端连接地；NMOS管M5其漏极连接...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张宁，周平，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：