基于多层闪存单元的存储装置及存储方法制造方法及图纸

本发明专利技术适用于存储技术领域，提供了一种基于多层闪存单元的存储装置，包括闪存控制器以及由多层闪存单元组成的存储区，所述存储区包括第一逻辑分区和第二逻辑分区，所述第一逻辑分区用于存储数据，所述闪存控制器和所述第一逻辑分区进行数据传输时，所述第二逻辑分区作所述闪存控制器和第一逻辑分区之间的高速缓冲存储器。本发明专利技术还相应的提供一种通过上述装置实现的存储方法。借此，本发明专利技术可以有效的提高多层闪存单元存储装置的存储速度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储
，尤其涉及一种。
技术介绍
目前NAND Flash主要有三种类型，分别是单层单元(Single-Level Cell,简称SLC)、多层单元(Multi-Level Cell，简称MLC)和三层单元(Triple-LevelCelI，简称TLC)。其中SLC能够存储lbit/cell，特点是存储速度快、寿命长(约10万次擦写)，但可存储空间小且价格超贵；TLC能够存储3bit/cell，其特点是存储空间大、价格便宜，但存储速度慢且寿命短(仅可擦写500-3000次);MLC能够存储2bit/cell，其存储空间、价格、存储速度和寿命(约I万次擦写)等特点均介于SLC与TLC之间，性价比相对较高。 对于SLC闪存，每个单元中仅包含一个比特，SLC编程时，该比特位的值只能在“0”和“I”两种状态之间转换。对于MLC闪存，每个单元中包含一个最低有效位(LeastSignificant Bit，简称 LSB)和一个最高有效位(Most SignificantBit,简称 MSB),每个MLC单元的编程过程如图I所示。设MLC中每个比特在被擦除状态下置“1”，那么本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于多层闪存单元的存储装置，其特征在于，包括闪存控制器以及由多层闪存单元组成的存储区，所述存储区包括第一逻辑分区和第二逻辑分区，所述第一逻辑分区用于存储数据，所述闪存控制器和所述第一逻辑分区进行数据传输时，所述第二逻辑分区作所述闪存控制器和第一逻辑分区之间的高速缓冲存储器。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴祖顺，
申请(专利权)人：记忆科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：