具有半导体中子检测池的中子孔隙度测量装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术名称为“具有半导体中子检测池的中子孔隙度测量装置和方法”。一种中子孔隙度测量装置，包括：中子源，配置成发射具有第一能量的中子；以及分段的半导体检测器，其离所述中子源一预定距离来定位。所述分段的半导体检测器包括配置成检测具有比所述第一能量小的第二能量的中子的多个半导体中子检测池。所述池在离所述中子源的第一距离和第二距离之间以共面子集来布置。所述中子检测池中的一个或更多配置成独立于所述中子检测池中的一个或更多其它池来采集与检测的中子有关的数据。还提供了制造该中子孔隙度测量装置的方法。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种中子孔隙度测量装置(300、400)，包括：中子源(340)，其配置成发射具有第一能量的中子；分段的半导体检测器(330、200)，其包括配置成检测具有比所述第一能量小的第二能量的中子的多个半导体中子检测池(210、410、100)，所述池在离所述中子源(340)的第一距离和第二距离之间以共面子集(R1？R8)来布置，其中，所述中子检测池(210、410、100)中的一个或更多配置成独立于所述中子检测池中的一个或更多其它池来采集与检测的中子有关的数据。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：H·C·克利门，J·麦钦尼斯，
申请(专利权)人：桑德克斯有线有限公司，
类型：发明
国别省市：