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具有半导体中子检测池的中子孔隙度测量装置和方法制造方法及图纸
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下载具有半导体中子检测池的中子孔隙度测量装置和方法的技术资料
文档序号:8411052
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本发明名称为“具有半导体中子检测池的中子孔隙度测量装置和方法”。一种中子孔隙度测量装置,包括:中子源,配置成发射具有第一能量的中子;以及分段的半导体检测器,其离所述中子源一预定距离来定位。所述分段的半导体检测器包括配置成检测具有比所述第一能...
该专利属于桑德克斯有线有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过桑德克斯有线有限公司授权不得商用。
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