LED晶片共晶焊接设备制造技术

技术编号:8394935 阅读:203 留言:0更新日期:2013-03-08 07:07
本实用新型专利技术公开一种LED晶片共晶焊接设备,包括有加热装置、驱动控制系统、电源配置箱体、焊接工作台、设置在所述焊接工作台前部中间位置的共晶焊接平台;分别围绕所述共晶焊接平台两侧和后方设置的支架供给装置和晶片供给装置;设置在所述共晶焊接平台上方的助焊剂供给装置;设置在所述共晶焊接平台上的氮气冷却装置;设置在所述共晶焊接平台的一侧的脉冲电流加热装置,设置在所述共晶焊接平台内部的恒温电流加热装置。本实用新型专利技术加热速度快、焊接精度高,且可使焊接后的LED晶片具有更好的导热效果。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及LED晶片制造技术,尤其涉及一种LED晶片共晶焊接设备
技术介绍
共晶焊接技术在电子封装行业具有广泛的应用,如晶片与基板的粘接、基板与管 壳的粘接、管壳封帽等等。与传统的环氧导电胶粘接相比,共晶焊接具有热导率高、热阻低、传热快、可靠性强、粘接后强度大的优点,适用于高频、大功率器件中晶片与基板、基板与管壳的互联。随着LED技术的高速发展,LED晶片及封装越来越向大功率和集成方向发展,传统的银胶粘接工艺已经很难满足LED晶片的焊接工艺要求,因而,越来越多的LED封装厂家开始尝试其他更先进的焊接工艺来实现LED晶片与支架的粘接,其中,共晶焊接技术被普通认为具有很好的应用前景。然而,由于LED晶片的共晶熔点大约在300°C以上,而现有技术的LED晶片共晶焊接设备一般采用热风回流炉作为加热装置,这种加热装置加热速度慢、且加热能够达到的最高温度比较低。另外,现有技术中还有采用红外焊接技术的方案,这种方案虽然有热源控制方便、容易控制加热温度上升速度的优点,但也存在很多缺点,如更多的感光点会被遮蔽、较少的统一加热、元件和PCB质量的不同会影响加热效果、温差较大等。技术内容本技术所要解决本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED晶片共晶焊接设备,包括有加热装置、驱动控制系统、和电源配置箱体,其特征在于,还包括有:焊接工作台;设置在所述焊接工作台前部中间位置,用于放置待焊接的晶片和支架的共晶焊接平台;分别围绕所述共晶焊接平台两侧和后方设置的晶片供给装置;设置在所述共晶焊接平台上方的焊接剂供给装置;设置在所述共晶焊接平台上方的氮气冷却装置;所述加热装置包括有:设置在所述共晶焊接平台的一侧的脉冲电流加热装置;设置在所述共晶焊接平台内部的恒温加热装置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:代克明胡华武
申请(专利权)人:惠州市大亚湾永昶电子工业有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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