透明导电性薄膜及其制造方法技术

本发明专利技术提供透明导电性薄膜及其制造方法。挠性透明基材上具有结晶性的透明导体层的透明导电性薄膜中，即使透明导体层被图案化，在组装到了触摸屏等中时，也能抑制由看到图案开口部与图案形成部的边界导致的美观性降低。一种在挠性透明基材的一个面上形成有由结晶性导电性金属氧化物形成的透明导体层的透明导电性薄膜，挠性透明基材的厚度为80μm以下。本发明专利技术的透明导电性薄膜在140℃下加热30分钟时的尺寸变化率H1与将通过蚀刻去除了透明导体层的透明导电性薄膜在140℃下加热30分钟时的尺寸变化率H2之差H1-H2为-0.02%~0.043%。因此，可减小组装到了触摸屏等中时图案边界处的台阶差，抑制美观性降低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在挠性透明基材的ー个面上具有透明导体层的。
技术介绍
迄今，作为触摸屏等中使用的透明导电性薄膜，已知有在透明薄膜等挠性透明基材上层叠有由ITO等导电性金属氧化物形成的透明导体层的薄膜。近年来，可多点输入(多点触摸)的投影型静电容量方式的触摸屏、矩阵型的电阻膜方式触摸屏受到注目，在这些触摸屏中，透明导电性薄膜的透明导体层被图案化为规定形状(例如条纹状)。这种透明导电性薄膜包括在挠性透明基材上具有透明导体层的图案形成部和在挠性透明基材上不具有透明导体层的图案开ロ部。透明导体层被图案化的情况下，有时起因于形成有透明导体层的部分(图案形成部)与未形成透明导体层的部分(图案开ロ部)之间的反射率差，可看到图案，作为显示元件的美观性变差。从抑制这种由透明导体层的有无导致的视觉识别性的差异的角度出发，提出了 在薄膜基材与透明导体层之间设置多个电介质层作为底涂层，将电介质层的折射率等调整至规定范围(例如专利文献广4)。现有技术文献_5] 专利文献专利文献I :日本特开2010-15861号公报专利文献2 :日本特开2008-98169号公报专利文献3 :日本特许第4364938号说明书专利文献4 日本特开2009-76432号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题如上所述，透明导体层被图案化的情况下，要求其边界不容易被看到，在此基础上，从显示装置的轻量化、薄型化的角度出发，要求触摸屏等中使用的透明导电性薄膜薄型化。为了减小透明导电性薄膜的厚度，需要减小占其大部分厚度的薄膜基材的厚度。然而，本专利技术人等进行了研究，结果弄清，如果减小薄膜基材的厚度，则即使在基材与透明导体层之间设置有电介质层，在将透明导电性薄膜组装到了触摸屏中时，有时透明导体层的图案边界也容易被看到，美观性变差。尤其，在透明导体层的导电性金属氧化物为结晶性的氧化物时，存在图案形成部与图案开ロ部的边界容易被看到的倾向。鉴于上述情況，本专利技术的目的在于提供即使在基材的厚度较小为80 y m以下吋，在组装到触摸屏中时透明导体层的图案也不容易被看到的透明导电性薄膜。用于解决问题的方案鉴于上述技术问题，本专利技术人等研究的结果发现通过减小对透明导电性薄膜进行加热时的图案形成部与图案开口部的尺寸变化率之差，透明导体层的图案变得不容易被看至IJ，从而完成了本专利技术。本专利技术涉及透明导电性薄膜，其具有挠性透明基材和形成在前述挠性透明基材的一个面的由结晶性导电性金属氧化物形成的透明导体层。挠性透明基材的厚度为SOym以下。在本专利技术中，将透明导电性薄膜在140°C下加热30分钟时的尺寸变化率H1与将通过蚀刻去除了透明导体层的该透明导电性薄膜在140°C下加热30分钟时的尺寸变化率H2之差H1-H2 为-0. 02% 0. 043%o进而，本专利技术的一个实施方式涉及透明导电性薄膜，其可通过将上述透明导电性薄膜的透明导体层图案化而得到。在该实施方式中，透明导体层进行了图案化，透明导电性薄膜包括在挠性透明基材上具有透明导体层的图案形成部和在挠性透明基材上不具有透明导体层的图案开口部。优选将该透明导电性薄膜在140°C下加热30分钟时的、图案形成 部的尺寸变化率h与图案开口部的尺寸变化率h2之差Ii1-Ii2为-0. 029T0. 043%。在本专利技术的一个实施方式中，优选透明导体层由结晶性的掺锡氧化铟形成。此外，从减小图案形成部与图案开口部的反射率差来使得透明导体层的图案不容易被看到的角度出发，优选挠性透明基材在透明薄膜基材的形成透明导体层侧的面上具有至少I层底涂层。进而，本专利技术涉及前述透明导电性薄膜的制造方法。本专利技术的制造方法的一个实施方式包括基材准备工序、成膜工序和热处理工序。基材准备工序是准备挠性透明基材的工序。成膜工序是在挠性透明基材上形成由非晶的导电性金属氧化物形成的非晶透明导体层的工序。热处理工序是对非晶透明导体层进行加热来将其转化成结晶性的透明导体层的工序。在本专利技术的制造方法中，优选热处理工序中的加热温度为70°C 14(TC下。此外，优选热处理工序中的尺寸变化率为09T-0. 34%。此外，本专利技术还涉及进一步将透明导体层图案化、包括在挠性透明基材上具有透明导体层的图案形成部和在挠性透明基材上不具有透明导体层的图案开口部的透明导电性薄膜的制造方法。图案化可通过以蚀刻去除一部分结晶性的透明导体层而进行。专利技术的效果本专利技术的透明导电性薄膜在形成有透明导体层的状态下的加热尺寸变化率与去除透明导体层之后的加热尺寸变化率之差小。因此，将透明导体层图案化了的情况下的图案形成部与图案开口部的加热尺寸变化率之差的绝对值变小。这种透明导电性薄膜即使在将透明导体层图案化后水洗蚀刻剂之后的干燥、为了形成图案布线而进行了加热的情况下，在透明导体层与基材的界面处产生的应力也较小，因此薄膜不容易产生起伏。因此，在将透明导电性薄膜与玻璃板等刚性的基体贴合来形成触摸屏等时，图案边界处的台阶差减小，可抑制由图案边界被看到导致的美观性降低。附图说明图I是示出透明导电性薄膜的一个方式的示意剖视图。图2是透明导体层被图案化了的透明导电性薄膜的示意剖视图。图3是示出带粘合剂层的透明导电性薄膜的一个方式的剖视图。图4是示出将透明导电性薄膜与其他基体贴合的方式的示意剖视图。图5是示出透明导体层被图案化了的透明导电性薄膜的一个方式的示意俯视图。图6是表示图案边界处的表面形状(台阶差)的测定结果的一个例子的图。图7是用于概念性说明在将透明导电性薄膜与基体贴合后在图案边界产生台阶差的图。图8是绘制实施例和比较例中的(H1-H2)的值与图案边界处的台阶差的关系的图。附图标记说明I挠性透明基材2透明导体层·3粘合剂层11透明薄膜基材12底涂层50 基体100透明导电性薄膜101透明导电性薄膜具体实施例方式图2是示出具有图案化了的透明导体层的透明导电性薄膜的一个方式的示意剖视图。图2所示的透明导电性薄膜101在挠性透明基材I 一侧的单面具有图案化了的透明导体层2。挠性透明基材在透明薄膜基材11的表面根据需要而形成有底涂层12等。透明导电性薄膜101由形成有透明导体层2的图案形成部P和未形成透明导体层的图案开口部0构成。图3是示出在挠性透明基材I的未形成透明导体层2侧的面具有粘合剂层3的带粘合剂层的透明导电性薄膜的一个方式的示意剖视图。图4是示出透明导电性薄膜借助于该粘合剂层3被贴合在玻璃等刚性的基体50上的方式的示意剖视图。首先，讨论在具有上述这种构成的透明导电性薄膜中，在减小挠性透明基材I的厚度时透明导体层2的图案边界变得容易被看到的原因。借助于粘合剂层3将透明导电性薄膜101贴合在玻璃板50上时的、透明导体层侧的表面形状轮廓的一个例子示于图6，所述透明导电性薄膜101在厚度23 ii m的PET薄膜基材11上借助于底涂层12形成有图案化了的由结晶性ITO形成的透明导体层2。在图6中，在形成有透明导体层的图案形成部P与未形成透明导体层的图案开口部0的边界处产生了 150nm以上的高低差(台阶差)。在该例子中，图案边界处的高低差要远远大于透明导体层的厚度(20nm)，可认为该台阶差是使得图案边界容易被看到的主要原因。进一步研究在如此贴合在玻璃板上的透明导电性薄膜的图案边界处产生较大台阶差的原因，结果发现，如图7的(b)所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电性薄膜，其具有挠性透明基材和形成在所述挠性透明基材的一个面的由结晶性导电性金属氧化物形成的透明导体层，所述挠性透明基材的厚度为80μm以下，将该透明导电性薄膜在140℃下加热30分钟时的尺寸变化率H1与将通过蚀刻去除了透明导体层的该透明导电性薄膜在140℃下加热30分钟时的尺寸变化率H2之差H1?H2为?0.02%~0.043%。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山崎由佳，梨木智刚，菅原英男，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：