一种具有更大的光束缓冲区域的FSI及其设计方法技术

本发明专利技术公开了一种具有更大的光束缓冲区域的FSI及其设计方法，一种具有更大的光束缓冲区域的FSI,所述FSI包括磁体和核心光学晶片，所述核心光学晶片包括依次排列的第一偏振片、法拉第旋光器、第二偏振片，第一偏振片为入射面，第二偏振片为出射面，第二片偏振光的可以通偏振光的方向和第一片有45度交角;其特征在于，将所述核心光学晶片在原平面内旋转。本发明专利技术公开的技术方案，在不增加FSI尺寸的基础上，增大了核心光学晶片的缓冲区域，等效降低了核心光学晶片的成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光通信
，特别涉及具有更大的光束缓冲区域的FSI及其 设计方法
技术介绍
半导体激光器对反射光非常敏感，反射光引起半导体激光器性能的不稳定性，因此需要在半导体激光器器件内集成小型化的光隔离器FSI。现有的光隔离器(FSI)包括磁体和核心光学晶片，所述核心光学晶片包括单向法拉第旋转片和分别位于法拉第旋光镜两侧的第一、第二偏振片组成。现有的核心光学晶片一般都为正方形，入射光束打在FSI表面上形成椭圆形的光斑，通常的情况下，第一偏振片为入射面，第二偏振片为出射面，第二片偏振光的可以通偏振光的方向和第一片有45度交角； 目前的半导体激光器产生方向固定的线偏振光束，半导体激光器发出的激光束通常为椭圆形的激光束，激光束入射到核心光学晶片前端面第一偏振片上形成椭圆形光斑，核心光学晶片有效通光面积越大越好，因为当激光束移动时，即激光束在核心光学晶片上形成的椭圆形光斑移动时，仍然有足够的通光面积保证激光束通过。但是，核心光学晶片的有效通光面积越大，核心光学晶片本身的尺寸就越大，导致成本增加。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中所存在的上述不足，一种具有更大的光 束缓冲区域的FSI及其设计方法。为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供了以下技术方案 一种具有更大的光束缓冲区域的FSI，所述FSI包括磁体和核心光学晶片，所述核心光学晶片包括依次排列的第一偏振片、法拉第旋光器、第二偏振片，第一偏振片为入射面，第二偏振片为出射面，第二片偏振光的可以通偏振光的方向和第一片有45度交角；将所述核心光学晶片在原平面内旋转。以及，一种具有更大的光束缓冲区域的FSI设计方法，所述FSI包括磁体和核心光学晶片，所述核心光学晶片包括依次排列的第一偏振片、法拉第旋光器、第二偏振片，第一偏振片为入射面，第二偏振片为出射面，第二片偏振光的可以通偏振光的方向和第一片有45度交角，在原平面内旋转所述核心光学晶片； 作为本专利技术的优选方案，所述的第一偏振片是O度偏振片，所述的第二偏振片是45度偏振片。作为本专利技术的优选方案，所述的第一偏振片是45度偏振片，所述的第二偏振片是O度偏振片。作为本专利技术的优选方案，所述核心光学晶片的对角线与椭圆光束的长轴对齐。与现有技术相比，本专利技术的有益效果I、在不增加FSI尺寸的基础上，增大了核心光学晶片的缓冲区域，等效降低了核心光学晶片的成本。附图说明 图I为现有技术中FSI的结构示意图。图2为本专利技术的一个实施例的核心光学晶片的结构示意图。图3为本专利技术的另一个实施例的核心光学晶片的结构示意图。图4为本专利技术最优选实施例的FSI的结构示意图。具体实施方式 下面结合试验例及具体实施方式对本专利技术作进一步的详细描述。但不应将此理解为本专利技术上述主题的范围仅限于以下的实施例，凡基于本
技术实现思路
所实现的技术均属于本专利技术的范围。一种具有更大的光束缓冲区域的FSI，所述FSI包括磁体和核心光学晶片，所述核心光学晶片包括依次排列的第一偏振片、法拉第旋光器、第二偏振片，第一偏振片为入射面，第二偏振片为出射面，第二片偏振光的可以通偏振光的方向和第一片有45度交角；将所述核心光学晶片在原平面内旋转。以及，一种具有更大的光束缓冲区域的FSI设计方法，所述FSI包括磁体和核心光学晶片，所述核心光学晶片包括依次排列的第一偏振片、法拉第旋光器、第二偏振片，第一偏振片为入射面，第二偏振片为出射面，第二片偏振光的可以通偏振光的方向和第一片有45度交角，在原平面内旋转所述核心光学晶片； 作为本专利技术的优选方案，所述的第一偏振片是O度偏振片，所述的第二偏振片是45度偏振片。作为本专利技术的优选方案，所述的第一偏振片是45度偏振片，所述的第二偏振片是O度偏振片。作为本专利技术的优选方案，所述核心光学晶片的对角线与椭圆光束的长轴对齐。如图I所不,在现有技术中,FSI包括核心光学晶片I和磁体4,由于椭圆光斑2的长轴同核心光学晶片I的中轴重合，那么，椭圆光斑2—侧的缓冲区域具体就为核心光学晶片I边长的一半减去椭圆光斑长轴的一半；如果核心光学晶片沿垂直于FSI平面的中心轴转动第一角度，设第一角度为？ ，那么，椭圆光斑点一侧的缓冲区域具体就变为核心光学晶片边长的一半除以cos 的值再减去椭圆光斑长轴的一半。缓冲区域的值增大。达到了增大缓冲区域的技术效果。本专利技术的一个实施例，如图2所示，把第一角度3设为？ ，？？为5°，那么，椭圆光斑点一侧的缓冲区域具体就变为核心光学晶片I边长的一半除以cos5°的值再减去椭圆光斑2长轴的一半。由于核心光学晶片I边长的一半除以cos5°的值大于核心光学晶片边长的一半，那么其减去椭圆光斑长轴的一半的值大于核心光学晶片边长的一半减去椭圆光斑长轴的一半。进一步地，缓冲区域的值增大。达到了增大缓冲区域的技术效果。进一步分析，由于随着核心光学晶片的转动，当正方形边长的一半除以cos 的值最大的时候，缓冲区域达到最大。本专利技术的另一个实施例，如图3所示，把第一角度3设为？？，？？为36°，那么，椭圆光斑2 —侧的缓冲区域具体就变为核心光学晶片I边长的一半除以cos36°的值再减去椭圆光斑2长轴的一半。由于核心光学晶片边长的一半除以cos36°的值大于核心光学晶片边长的一半，那么其减去椭圆光斑长轴的一半的值大于核心光学晶片边长的一半减去椭圆光斑长轴的一半。进一步地，缓冲区域的值增大。达到了增大缓冲区域的技术效果。本专利技术的另一个实施例，如图4所示，FSI包括核心光学晶片I和磁体4，在以上技术方案的基础上，进一步优选的，所述第一角度3为45°，椭圆形光斑2的长轴与核心光学晶片I的对角线重合。设第一角度为？？，当？？取值为45°时，正方形边长的一半除以cos 的值较正方形边长的一半的值达到最大值，因此，缓冲区域也达到最大值，达到了增大缓冲区域最佳的技术效果。在核心光学晶片之中，最长的距离为对角线的长度，同样地，在椭圆形光斑中，最·长的距离为椭圆形光斑长轴的长度，当FSI的对角线与椭圆形光斑的长轴重合时，椭圆形光斑能获得在正方形之中最大的缓冲区域。本说明书中公开的所有特征，或公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合。本说明书(包括任何附加权利要求、摘要和附图)中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。本专利技术并不局限于前述的具体实施方式。本专利技术扩展到任何在本说明书中披露的新特征或任何新的组合，以及披露的任一新的方法或过程的步骤或任何新的组合。权利要求1.一种具有更大的光束缓冲区域的FSI，所述FSI包括磁体和核心光学晶片，所述核心光学晶片包括依次排列的第一偏振片、法拉第旋光器、第二偏振片，第一偏振片为入射面，第二偏振片为出射面，第二片偏振光的可以通偏振光的方向和第一片有45度交角； 其特征在于，将所述核心光学晶片在原平面内旋转。2.如权利要求I所述的具有更大的光束缓冲区域的FSI，其特征在于，所述的第一偏振片是O度偏振片，所述的第二偏振片是45度偏振片。3.如权利要求I所述的具有更大的光束缓冲区域的FSI，其特征在于，所述的第一偏振片是45度偏振片，所述的第二偏振片是O度偏振片。4.如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有更大的光束缓冲区域的FSI,?所述FSI包括磁体和核心光学晶片，所述核心光学晶片包括依次排列的第一偏振片、法拉第旋光器、第二偏振片，第一偏振片为入射面，第二偏振片为出射面，第二片偏振光的可以通偏振光的方向和第一片有45度交角;???????????????????????????????????????????????????其特征在于，将所述核心光学晶片在原平面内旋转。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶磊，
申请(专利权)人：索尔思光电成都有限公司，
类型：发明
国别省市：