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本发明公开了一种具有更大的光束缓冲区域的FSI及其设计方法，一种具有更大的光束缓冲区域的FSI,所述FSI包括磁体和核心光学晶片，所述核心光学晶片包括依次排列的第一偏振片、法拉第旋光器、第二偏振片，第一偏振片为入射面，第二偏振片为出射面，第...
该专利属于索尔思光电（成都）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尔思光电（成都）有限公司授权不得商用。

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