本实用新型专利技术提供一种磁光开关，包括：磁光晶体、上透明电极、下透明电极和透明铁电体。其中，磁光晶体为第一层，上透明电极为第二层，透明铁电体为第三层，下透明电极为第四层，四层依次相连接。本实用新型专利技术利用电场对磁光开关进行控制，相对于传统的磁场控制，效率高、功耗低、控制信号易于集成。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本本技术涉及光学应用领域，尤其是涉及到一种可以利用电场控制的磁光开关。
技术介绍
磁光晶体广泛应用在光纤通信中的光强和光路控制中。石榴石磁光晶体是目前应用比较广泛的一种磁光晶体。目前常用的石榴石磁光晶体包括45度的磁光晶体和22. 5度的磁光晶体。对于这两种晶体，偏振光通过磁光晶体后，偏振方向要顺时针或逆时针旋转45度或22. 5度，如果要实现光强的调制或开关功能，需要加磁场来改变磁光晶体的磁化状态，从而改变偏振光的偏振方向，影响光强或光开关。但是磁场的产生要比电场的产生复杂的多。
技术实现思路
针对现有的技术问题，本技术提供一种磁光开关，包括磁光晶体、上透明电极、下透明电极和透明铁电体，其中，磁光晶体为第一层，上透明电极为第二层，材料可以为ITO或ZAO等透明导电材料，厚度为50nm到Ium ;透明铁电体为第三层，材料可以为PZT或BTO等透明铁电材料，厚度为IOOnm到Ium ;下透明电极为第四层，材料可以为ITO或ZAO等透明导电材料，厚度为50nm到lum;可以采用磁控溅射、热蒸发、脉冲激光沉积的方法在磁光晶体上依次镀上透明电极、透明铁电体、下透明电极。本技术提供的一种磁光开关，通过对铁电体施加电压来控制铁电体的电极化状态，进而通过界面应力控制磁光晶体的磁化状态，从而实现对光强或光路的控制。本技术材料电场对磁光开关进行控制，相对于传统的磁场控制，效率高、功耗低、控制信号易于集成。附图说明图I为本技术的结构示意图。图中1、磁光晶体，2、透明铁电体，3、上透明电极，4、下透明电极具体实施方式以下结合附图实施例对本技术作进一步详细描述。图I为本技术的结构示意图，按照光照的方向，共分为四层，磁光晶体1，透明铁电体2，上透明电极3，下透明电极4。其中，磁光晶体I为第一层，上透明电极3为第二层，作为本实施例，材料选择为ITO透明导电材料，厚度为IOOnm ;透明铁电体2为第三层，作为本实施例，材料选择为PZT透明铁电材料，厚度为500nm ;下透明电极4为第四层，作为本实施例，材料选择为为ITO透明导电材料，IOOnm ;采用磁控溅射的方法在磁光晶体上依次镀上透明电极3IT0、透明铁电体2PZT、下透明电极4IT0。通过对铁电体2施加电压来控制铁电体的电极化状态，进而通过界面应力控制磁光晶体I的磁化状态，从而实现对光强或光路的控制。本技术材料电场对磁光开关进行控制，相对于传统的磁场控制，效率高、功耗低、控制信号易于集成。以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化 和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。权利要求1.一种磁光开关，包括磁光晶体、上透明电极、下透明电极和透明铁电体，其特征在于所述的磁光晶体为第一层，上透明电极为第二层，透明铁电体为第三层，下透明电极为第四层，四层依次相连接。2.根据权利要求I所述的一种磁光开关，其特征在于 所述的上透明电极为ITO或ZAO透明导电材料，厚度为50nm到Ium ； 所述的下透明电极材料为ITO或ZAO透明导电材料，厚度为50nm到lum。3.根据权利要求I所述的一种磁光开关，其特征在于所述的透明铁电体材料为PZT或BTO透明铁电材料，厚度为IOOnm到lum。4.根据权利要求I所述的一种磁光开关，其特征在于采用磁控溅射、热蒸发或脉冲激光沉积的方法在磁光晶体上依次镀上透明电极、透明铁电体、下透明电极。专利摘要本技术提供一种磁光开关，包括磁光晶体、上透明电极、下透明电极和透明铁电体。其中，磁光晶体为第一层，上透明电极为第二层，透明铁电体为第三层，下透明电极为第四层，四层依次相连接。本技术利用电场对磁光开关进行控制，相对于传统的磁场控制，效率高、功耗低、控制信号易于集成。文档编号G02F1/09GK202600292SQ201120489869公开日2012年12月12日 申请日期2011年11月24日 优先权日2011年11月24日专利技术者胡雨航 申请人:胡雨航本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种磁光开关，包括磁光晶体、上透明电极、下透明电极和透明铁电体，其特征在于：所述的磁光晶体为第一层，上透明电极为第二层，透明铁电体为第三层，下透明电极为第四层，四层依次相连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡雨航，
申请(专利权)人：胡雨航，
类型：实用新型
国别省市：
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