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一种光纤光栅磁传感器制造技术

技术编号:9081136 阅读:147 留言:0更新日期:2013-08-22 22:33
本实用新型专利技术将光纤光栅传感器与磁致伸缩材料结合到一起,提供一种光纤光栅磁传感器,包括磁致伸缩层、光纤光栅、塑料保护层,其中,光纤光栅粘结在磁致伸缩层上,塑料保护层覆盖在光纤光栅上;磁致伸缩层包含柔性的基底和磁致伸缩材料,且磁致伸缩材料生长在柔性的基底上。在外磁场的作用下,磁致伸缩材料发生形变,应力传递给光纤光栅,通过测量波长的变化来探知磁场的大小。本实用新型专利技术为全柔性材料打造,轻便、易携带,同时,光纤光栅传感器的结构保留了抗干扰能力强、磁探测精度高的优势。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及磁传感器领域,尤其涉及到一种光纤光栅磁传感器
技术介绍
光纤光栅传感器属于波长调制型的光纤传感器,通过待测量调制入射光束的波长,测量反射光的波长变化进行检测。光纤光栅传感器具有测量精度高、抗干扰能力强、体积小、质量轻、易弯曲、灵敏度高的优点,同时,耐腐蚀强,适合运用于恶劣环境中。现有的光纤光栅传感器多为金属封装,易对待测对象的信号造成干扰,同时金属封装加工困难,成本闻。
技术实现思路
本技术将光纤光栅传感器与磁致伸缩材料结合到一起,提供一种光纤光栅磁传感器,具有轻便、易携带、抗干扰能力强、磁探测精度高的优势。本技术所采取的技术方案为,一种光纤光栅磁传感器,包括磁致伸缩层、光纤光栅、塑料保护层,其中,光纤光栅粘结在磁致伸缩层上,塑料保护层覆盖在光纤光栅上;磁致伸缩层包含柔性的基底和磁致伸缩材料,且磁致伸缩材料生长在柔性的基底上。在外磁场的作用下,磁致伸缩材料发生形变,应力传递给光纤光栅,通过测量波长的变化来探知磁场的大小。本技术为全柔性材料打造,轻便、易携带,同时,光纤光栅传感器的结构保留了抗干·扰能力强、磁探测精度高的优势。附图说明图1为本技术的结构示意图。图中:1磁致伸缩层、2光纤光栅、3塑料保护层。具体实施方式以下结合附图实施例对本技术作进一步详细描述。图1为本技术的结构示意图,磁致伸缩层1、光纤光栅2、塑料保护层3,其中,光纤光栅2粘结在磁致伸缩层I上,塑料保护层3覆盖在光纤光栅2上;磁致伸缩层I包含柔性的基底和磁致伸缩材料,且磁致伸缩材料生长在柔性的基底上。在外磁场的作用下,磁致伸缩材料发生形变,应力传递给光纤光栅2,通过测量波长的变化来探知磁场的大小。本技术为全柔性材料打造,轻便、易携带,同时,光纤光栅传感器的结构保留了抗干扰能力强、磁探测精度高的优势。权利要求1.一种光纤光栅磁传感器,包括磁致伸缩层、光纤光栅、塑料保护层,其特征在于:所述的光纤光栅粘结在磁致伸缩层上,塑料保护层覆盖在光纤光栅上。2.根据权利要求1所述的一种光纤光栅磁传感器,其特征在于:所述的磁致伸缩层包含柔性的基底和磁致伸 缩材料,且磁致伸缩材料生长在柔性的基底上。专利摘要本技术将光纤光栅传感器与磁致伸缩材料结合到一起,提供一种光纤光栅磁传感器,包括磁致伸缩层、光纤光栅、塑料保护层,其中,光纤光栅粘结在磁致伸缩层上,塑料保护层覆盖在光纤光栅上;磁致伸缩层包含柔性的基底和磁致伸缩材料,且磁致伸缩材料生长在柔性的基底上。在外磁场的作用下,磁致伸缩材料发生形变,应力传递给光纤光栅,通过测量波长的变化来探知磁场的大小。本技术为全柔性材料打造,轻便、易携带,同时,光纤光栅传感器的结构保留了抗干扰能力强、磁探测精度高的优势。文档编号G01R33/032GK203149097SQ20132007752公开日2013年8月21日 申请日期2013年2月18日 优先权日2013年2月18日专利技术者胡雨航 申请人:胡雨航本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光纤光栅磁传感器,包括磁致伸缩层、光纤光栅、塑料保护层,其特征在于:所述的光纤光栅粘结在磁致伸缩层上,塑料保护层覆盖在光纤光栅上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:胡雨航
申请(专利权)人:胡雨航
类型:实用新型
国别省市:

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