一种稳压电路制造技术

一种稳压电路，包括输入端，输出端，待机端，第一电阻，第二电阻，第一NPN三极管，P沟道MOS管，稳压管，第二NPN三极管，PNP三极管，P沟道MOS管的源极连接至输入端，漏极连接至输出端，该漏极还连接至稳压管，依次通过串联的第二电阻，第一电阻接地，P沟道MOS管栅极连接至第一NPN三极管集电极，第一NPN三极管基极连接至待机端，发射极接地；第二NPN三极管基极连接至第二电阻和第一电阻的节点，集电极连接至输入端，发射极接地；PNP三极管的基极外接电压，集电极连接至P沟道MOS管的栅极，发射极连接至输入端。该电路采用P沟道MOSFET做调整管，相较于稳压IC，电源效率高，待机功耗低。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种稳压电路，特别是一种低压差线性稳压电路。
技术介绍
低压差线性稳压电路广泛应用在待机电路中，通常低压差线性稳压电路都需要稳压1C。然而，现有的低压差线性稳压IC有如下缺点1、电压差在O. 2V-0. 3V左右，重载时要满足稳定电压要求，稳压IC上还是要损耗一定的能量，大电流输出时热量难以处理；2、低压差线性稳压IC在不工作时需要一定的静态电流(通常为5mA左右)，应用于O. 2W功率待机的产品，满足不了其低功率待机的要求，因为它在静态也需要消耗一定的能量。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种稳压电路，旨在解决目前线性稳压电路热量大，功耗高的问题。本技术是这样实现的，一种稳压电路，其包括输入端，输出端，待机端，第一电阻，第二电阻，第一 NPN三极管，P沟道MOS管，稳压管，第二 NPN三极管，PNP三极管，P沟道MOS管的源极连接至输入端，漏极连接至输出端，该漏极还连接至稳压管，依次通过串联的第二电阻，第一电阻接地，P沟道MOS管栅极连接至第一 NPN三极管集电极，第一 NPN三极管基极连接至待机端，发射极接地；第二 NPN三极管基极连接至第二电阻和第一电阻的节点，集电极连接至输入端，发射极接地；PNP三极管的基极外接电压，集电极连接至P沟道MOS管的栅极，发射极连接至输入端。另外，该稳压电路还包括串联的第三电阻，第四电阻，该第四电阻连接至输入端，该P沟道MOS管栅极通过该第三电阻与该第一 NPN三极管的集电极相连；该稳压电路还包括串联的第五电阻，第六电阻，第二 NPN三极管集电极依次通过该串联的第五电阻和第六电阻连接至输入端；PNP三极管基极连接至该第五电阻与该第六电阻的节点；该稳压电路还包括电容，该电容一端连接至PNP三极管的基极，一端连接至PNP三极管的集电极。在上述的稳压电路中，第一 NPN三极管的发射极，第二 NPN三极管的发射极与第一电阻共地。本技术的稳压电路采用P沟道MOSFET做调整管，在输入与输出电压差只有几十毫伏时还能稳定输出电压，有效的提高了电源的效率，并实现零功耗待机，与有带待机功能的低压差线性稳压IC相比，产生的热量也很低。附图说明图I是本技术稳压电路的电路图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。请参阅图1，是本技术稳压电路的电路图。该稳压电路包括输入端Input，输出端Output，输出控制电路10和环路控制与补偿电路20。输出控制电路10接收输入端Input的输入电压，并由输出端Output输出电压；环路控制与补偿电路20与输出控制电路10形成闭合环，对输出控制电路10的输出进行控制与补偿，以保证输出电压的稳定。输出控制电路10包括第一电阻R539，第二电阻R540，第三电阻R542，第四电阻 R545，第一 NPN三极管Q508，P沟道MOS管Q511，稳压管ZD504以及待机端Standby。P沟道MOS管Q511的源极连接至输入端Input,漏极连接至输出端Output,该漏极还连接至该稳压管ZD504，依次通过串联的第二电阻R540，第一电阻R539接地，P沟道MOS管Q511栅极连接至第四电阻R545与第三电阻R542连接的节点，第三电阻R542另一端连接至第一 NPN三极管Q508集电极，第一 NPN三极管Q508基极接待机端Standby，发射极接地。环路控制与补偿电路20包括第五电阻R543，第六电阻R544，第二 NPN三极管Q509，PNP三极管Q510，电容C510。第二 NPN三极管Q509基极连接至输出控制电路10中第二电阻R540和第一电阻R539的节点，集电极通过依次串联的第五电阻R543，第六电阻R544连接至输入端Input，发射极接地；PNP三极管Q510的基极连接至第六电阻R544与第五电阻R543的节点，集电极连接至输出控制电路10中第三电阻R542与第四电阻R545的节点，发射极连接至输入端Input ；电容C510 —端连接至PNP三极管Q510基极，一端连接至PNP三极管Q510集电极。该实施例中，第一 NPN三极管Q508的发射极，第二 NPN三极管Q509的发射极与第一电阻R539共地。待机端Standby输入待机信号时，第一 NPN三极管Q508基极反偏，整个电路处于待机状态，不消耗功率；当第一 NPN三极管Q508基极正偏时，P沟道MOS管Q511栅级下拉，进入导通状态，输出电压上升，当电压上升到由稳压管ZD504、第二电阻R540、第一电阻R539组成的采样电路并达到采样电压点时，通过反馈电路第二 NPN三极管Q509、PNP三极管Q510、第五电阻R543控制P沟道MOS管Q511的栅极，从而控制P沟道MOS管Q511的导通能力，由第六电阻R544、第三电阻R542、第五电阻R543、第五电阻R543、电容C510组成环路控制与补偿，使电路进入稳态工作。本电路克服了现有带待机功能的低压差线性稳压IC的缺点；采用P沟道MOSFET做调整管，在输入与输出电压差只有几十毫伏时还能稳定输出电压，有效的提高了电源的效率，并实现零功耗待机，与现有带待机功能的低压差线性稳压IC相比，产生的热量也很低。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。权利要求1.ー种稳压电路,其包括输入端,输出端,待机端,第一电阻,第二电阻,第一 NPN三极管，P沟道MOS管，稳压管，第二 NPN三极管，PNP三极管，P沟道MOS管的源极连接至输入端，漏极连接至输出端，该漏极还连接至稳压管，依次通过串联的第二电阻，第一电阻接地，P沟道MOS管栅极连接至第一 NPN三极管集电极，第一 NPN三极管基极连接至待机端，发射极接地；第二 NPN三极管基极连接至第二电阻和第一电阻的节点，集电极连接至输入端，发射极接地；PNP三极管的基极外接电压，集电极连接至P沟道MOS管的栅极，发射极连接至输入端。2.根据权利要求I所述的稳压电路，其特征在干，该稳压电路还包括串联的第三电阻，第四电阻，该第四电阻连接至输入端，该P沟道MOS管栅极通过该第三电阻与该第一 NPN三极管的集电极相连。3.根据权利要求I所述的稳压电路，其特征在干，该稳压电路还包括串联的第五电阻，第六电阻，第二 NPN三极管集电极依次通过该串联的第五电阻和第六电阻连接至输入端；PNP三极管基极连接至该第五电阻与该第六电阻的节点。4.根据权利要求I所述的稳压电路，其特征在干，该稳压电路还包括电容，该电容一端连接至PNP三极管的基板，一端连接至PNP三极管的集电极。5.根据权利要求I所述的稳压电路，其特征在于，第一NPN三极管的发射极，第二 NPN三极管的发射极与第一电阻共地。专利摘要一种稳压电路，包括输入端，输出端，待机端，第一电阻，第二电阻，第一NPN三极管，P沟道MOS管，稳压管，第二NPN三极管，PNP三极管，P沟道MOS管的源极连接至输入端，漏极连接至输出端，该漏极还连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种稳压电路，其包括输入端，输出端，待机端，第一电阻，第二电阻，第一NPN三极管，P沟道MOS管，稳压管，第二NPN三极管，PNP三极管，P沟道MOS管的源极连接至输入端，漏极连接至输出端，该漏极还连接至稳压管，依次通过串联的第二电阻，第一电阻接地，P沟道MOS管栅极连接至第一NPN三极管集电极，第一NPN三极管基极连接至待机端，发射极接地；第二NPN三极管基极连接至第二电阻和第一电阻的节点，集电极连接至输入端，发射极接地；PNP三极管的基极外接电压，集电极连接至P沟道MOS管的栅极，发射极连接至输入端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志成，
申请(专利权)人：TCL通力电子惠州有限公司，
类型：实用新型
国别省市：