【技术实现步骤摘要】
本技术涉及ー种可屏蔽强电磁场的温度測量探头。
技术介绍
电カ系统中,温度是表现输电线路输送状态的重要參数,经常用温度探头来测量输电线路的温度。目前常见的温度測量探头是单层屏蔽结构(就是采用单层高导磁合金组成ー个闭合的屏蔽体),它具有结构简单、制造方便、成本低廉的特点,不足之处是1屏蔽系数低,一般在2(T30db ;2不能同时兼容强磁场和弱磁场的屏蔽;3屏蔽层暴露在外,容易受到冲击、碰撞而导致屏蔽效能的降低(高导磁合金受到冲击时,磁导率会下降);因此,这种单层结构的超低频电磁屏蔽装置,仅适用于屏蔽要求较低的场所(电磁屏蔽系数在2(T30dB;电·磁屏蔽系数越高,一起设备的屏蔽要求越严),对于屏蔽要求较高的场所(电磁屏蔽系数在75 90dB),一般来说是不能实现的。温度測量探头一般紧靠在输电线上,当传感器附近的输电线路遭受雷击时,线路上会流过5(Tl00kA的高频雷电流,此雷电流会产生强磁场,在传感器上将会感应出4 16MV的过电压,直接影响到传感器的寿命与正常运行。为此,对于雷电流,传感器的磁场屏蔽效能应至少达到120dB,才能保证传感器电路的可靠运行。而当目前常 ...
【技术保护点】
一种可屏蔽强电磁场的温度测量探头,包括包裹在温度测量芯片(1)外的屏蔽层,其特征是:所述的屏蔽层为由内屏蔽层(2)和外屏蔽层(3)构成的双屏蔽层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:戴沅,程养春,梁永纯,詹花茂,胡平,齐波,荣智海,
申请(专利权)人:广东电网公司电力科学研究院,华北电力大学,
类型:实用新型
国别省市:
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