【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及适用于窄边框且透明导电膜图案为两层的静电容量式触摸传感器的窄边框触摸输入薄片及其制造方法，其特征在于，防锈性特别优良。
技术介绍
过去，专利文献I公开了下述技术在透明电极引线端子的各端子上形成金属膜， 然后同时对输入面板区域的透明电极图案、引线端子列的金属膜以及透明电极进行蚀刻， 由此形成触摸输入装置。如图9所示，所述专利文献I的专利技术是下述一种方法专利技术在聚酯膜30上形成由 ITO膜31构成的透明电极，并在其上面图案化形成光致抗蚀膜32，接着用掩模33覆盖光致抗蚀膜32，然后形成由In膜构成的金属膜34，然后拿掉掩模33，并用抗蚀剂剥离液去除光致抗蚀膜32，图案化形成金属膜34。之后，在被图案化的金属膜34上图案化形成第二光致抗蚀膜35 (参照图9 (e))，然后用氯化铁溶液等同时对金属膜35和ITO膜31进行蚀刻去除，最后用抗蚀剂剥离液去除光致抗蚀膜35。专利文献I :特开平5-108264号公报
技术实现思路
然而，专利文献I的方法中，图9 (e)的图案化的金属膜34上图案化形成第二光致抗蚀膜35时,掩模33的位置只要有稍微的偏离，就会存在一...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.06.22 JP 2010-141329;2010.11.19 JP 2010-259571.一种防锈性优良的窄边框触摸输入薄片，其特征在于，在透明的衬底薄片两面的中央窗部上分别形成有透明导电膜的电极图案，在所述衬底薄片两面的外侧边缘部上分别形成有用于所述电极图案的细微布线电路图案，并且该两面的电极图案和细微布线电路图案不相同，其中，在一面或者两面上至少在细微布线电路图案上除端子部之外覆盖形成有透光性防锈层。2.根据权利要求I所述的防锈性优良的窄边框触摸输入薄片，其特征在于，在所述细微布线电路图案中依次层压有透明导电膜和遮光性导电膜。3.根据权利要求I或2所述的防锈性优良的窄边框触摸输入薄片，其特征在于，在所述电极图案上也覆盖形成有所述透光性防锈层。4.根据权利要求I至3任一项所述的防锈性优良的窄边框触摸输入薄片，其特征在于， 所述透光性防锈层由热固化树脂或光固化树脂构成。5.根据权利要求I至4任一项所述的防锈性优良的窄边框触摸输入薄片，其特征在于， 所述衬底薄片具有两层结构。6.根据权利要求I至5任一项所述的防锈性优良的窄边框触摸输入薄片，其特征在于， 通过进一步包括与所述细微布线电路图案的端子部连接的搭载IC芯片的外部电路，由此作为静电容量式触摸传感器工作。7.一种防锈性优良的窄边框触摸输入薄片的制造方法，包括以下步骤在透明的衬底薄片两面上分别依次形成透明导电膜、遮光性导电膜、第一抗蚀剂层； 通过两面同时曝光和显像所述第一抗蚀剂层的一部分，由此进行图案化；通过同时蚀刻去除没有层压该被图案化的第一抗蚀剂层的部分的所述透明导电膜和所述遮光性导电膜，由此在衬底薄片两面的中央窗部上分别形成透明导电膜和遮光性导电膜无位置偏差地层压的电极图案，同时在衬底薄片两面的外侧边缘部上分别形成透明导电膜和遮光性导电膜无位置偏差地层压的细微布线电路图案；剥离第一抗蚀剂层后，在暴露的遮光性导电膜上层压形成被图案化的第二抗蚀剂层； 通过仅蚀刻去除没有层压该被图案化的第二抗蚀剂层的部分的所述遮光性导电膜，由此在衬底薄片两面的所述中央窗部和端子部中分别暴露所述透明导电膜；剥离第二抗蚀剂层后，在一面或两面中至少在细微布线电路图案上除端子部之外覆盖形成透光性的防锈层。8.一种防锈性优良的窄边框触摸输入薄片的制造方法，包括以下步骤在透明的衬底薄片两面上分别依次形成透明导电膜、遮光性导电膜、第一抗蚀剂层； 通过两面同时曝光和显像所述第一抗蚀剂层的一部分，由此进行图案化；通过同时蚀刻去除没有层压该被图案化的第一抗蚀剂层的部分的所述透明导电膜和所述遮光性导电膜，由此在衬底薄片两面的中央窗部上分别形成透明导电膜和遮光性导电膜无位置偏差地层压的电极图案，同时在衬底薄片两面的外侧边缘部上分别形成透明导电膜和遮光性导电膜无位置偏差地层压的细微布线电路图案；剥离所述第一抗蚀剂层后，在暴露的遮光性导电膜上层压形成添加了防锈剂且被图案化的第二抗蚀剂层；通过仅蚀刻去除没有层压该被图案化的第二抗蚀剂层的部分的所述遮光性导电膜，由此在衬底薄片两面的所述中央窗部和端子部中分别暴露所述透明导电膜，并以该状态不剥离第二抗蚀剂层而作为防锈层残留。9.一种防锈性优良的窄边框触摸输入薄片的制造方法，包括以下步骤在透明的衬底薄片两面上分别依次形成透明导电膜、遮光性导电膜、第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：桥本孝夫，滋野博誉，寺胁孝明，寺谷和臣，奥村秀三，坂田喜博，铃木贵博，
申请(专利权)人：日本写真印刷株式会社，
类型：
国别省市：
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