用于窄边框电子装置之防静电装置制造方法及图纸

技术编号:13122477 阅读:71 留言:0更新日期:2016-04-06 10:57
本发明专利技术公开了一种用于窄边框电子装置之防静电装置,包括一印刷电路板、至少一雷射路径以及复数保护环路径(Guard-ring)。该等雷射路径是各自独立与该印刷电路板电性连接,且该等雷射路径之间具有间距且不接触。该等保护环路径是各自独立与该印刷电路板电性连接,且该等保护环路径之间不接触并具有一间距。藉由上述之结构,本发明专利技术不但可解决薄边框智能型手机或平版之ESD(静电放电)问题,并将静电放电或过高及过低的阻抗减到最小,保护内部电路不受损或避免造成闭锁现象,进而减少智能型手机或平版边框面积,更可直接使用在雷射蚀刻技术(Laser Etching Process)或光蚀刻技术(Photo-lithography)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术为一种用于窄边框电子装置之防静电装置,特别是一种藉由设置复数保护环路径,以解决薄边框智能型手机或平版之静电放电问题,并将静电放电或过高及过低的阻抗减到最小,保护内部电路不受损或避免造成闭锁现象的用于窄边框电子装置之防静电 目.ο
技术介绍
静电放电(electrostatic discharge,ESD)装置是被用来保护半导体芯片上之内部电路。请参考图1所示,现有用于智能型手机或平版之防静电装置(7),包括至少一雷射路径(70)以及一保护环路径(71)。该等雷射路径(70)之间具有间距且不接触,该保护环路径(71)与该等雷射路径(70)之间不接触并具有间距。台湾专利公告第449903号,揭露一种环绕于一区域外围之深N型井,其中所述区域包含有一静电放电(ESD)之装置或电路,而该静电放电装置或电路外围是先环绕有一P+护环,且其乃连接于芯片之垫片上。接着,于所述P+护环外围环绕一深N型井,用以阻挡过多的电流从静电放电装置或过大的电压到达内部电路。所述深N型井由一位于深N型井上,且有一N+区扩散入一N型井所组成,该深N型井之高度介于4至6微米(μπι),以便提供一可吸收从静电放电装置或过大电压所产生之大电流的能力。台湾专利公告第1259310号,揭露一种具静电放电防护之液晶显示面板,为在靠近面板外缘,具有一条短路式内部防护电路环,以及一条短路式外部防护电路环。其中,内部防护电路环为环绕显示区域之外围,而外部防护电路环则是环绕于内部防护电路环之外围。外部防护电路环是同时与显示区域,以及内部防护电路环相连通,而内部防护电路环则是藉由外部防护电路环,以与显示区域电性相连通。内部防护电路环更可于面板磨边制程后,转变成为一修补线路。台湾专利公告第1271851号,揭露一种新的静电放电总线指环结构,其中的指环包含了复数个金属层,金属层和金属层之间可由导电插塞(conductive plug)电性连接,藉着布局(layout)可以用氧化区将指环分隔出互相不电性连接的两个指环区域,其中一个指环区域是Vss静电放电总线,另一个指环区域是Vdd静电放电总线。台湾专利公告第1422007号,揭露一种静电放电容忍装置,包括一半导体主体,具有一第一导电类型,以及一接触垫。一环绕井具有一第二导电类型,且布局为一环而环绕于该半导体主体中的一作为静电放电电路之区域。此环绕井是相对深的,且除了定义一作为静电放电电路之区域外,还提供一二极体的一第一端点形成于半导体主体中。于该环绕井所环绕的一区域内,一二极体与该接触垫耦接,及一晶体管与一参考电压耦接,此两者是串联且于该半导体主体中形成一寄生装置。美国专利公告第5,438,005号,揭露一种包含有深收集护环(deep collectorguard ring)之互补式金氧半导体(CMOS)元件,其是可消弹互补式金氧半导体元件的闭锁(latch up)现象。然而上述的保护环路径皆需要较多空间设置,若将上述的防静电装置应用于智能型手机或平版,将增加智能型手机或平版边框面积,因此无法应用于薄边框智能型手机或平版。因此,如何设计出一防静电装置,不需要较多空间设置保护环路径,并将静电放电或过高及过低的阻抗减到最小,同时保护内部电路不受损或避免造成闭锁现象,并减少智能型手机或平版边框面积,以应用于薄边框智能型手机或平版,即成为相关设备厂商以及研发人员所共同期待的目标。
技术实现思路
本专利技术人有鉴于现有技术之保护环路径需要较多空间设置,而增加智能型手机或平版边框面积,无法应用于薄边框智能型手机或平版之缺失,乃积极着手进行开发,以期可以改进上述既有之缺点,经过不断地试验及努力,终于开发出本专利技术。本专利技术之目的,是提供一种可解决薄边框智能型手机或平版之静电放电问题,并将静电放电或过高及过低的阻抗减到最小,以用于窄边框电子装置之防静电装置。为了达成上述之目的,本专利技术之用于窄边框电子装置之防静电装置,是应用于一窄边框电子装置,该窄边框电子装置具有一面板以及一壳体,该壳体是包覆该面板之背面及该面板之边缘,且该壳体及该面板之边缘形成一边框,该用于窄边框电子装置之防静电装置包括一印刷电路板、至少一雷射路径以及复数保护环路径(Guard-ring)。该印刷电路板,具有复数接地点,设置于该面板底下,并被该壳体包覆于内。该等雷射路径设置于该边框,并被该壳体包覆于内,是各自独立与该印刷电路板之其中一接地点电性连接,且该等雷射路径之间具有间隙且不接触。该等保护环路径设置于该边框上之该等雷射路径旁,并被该壳体包覆于内,该等保护环路径是各自独立与该印刷电路板之其中一接地点电性连接,且该等保护环路径各自具有一路径宽度,该等保护环路径之间不接触并具有一间距。藉由上述之结构,本专利技术不但可解决薄边框智能型手机或平版之静电放电问题,并将静电放电或过高及过低的阻抗减到最小,保护内部电路不受损或避免造成闭锁现象,进而减少智能型手机或平版边框面积,更可直接使用在雷射蚀刻技术(Laser EtchingProcess)或光蚀刻技术(Photo-lithography)。【附图说明】图1是现有技术之防静电装置之示意图;图2是本专利技术之雷射路径以及保护环路径之示意图;以及图3是本专利技术之用于窄边框电子装置之防静电装置之示意图。附图标号说明现有技术:(7)防静电装置(70)雷射路径(71)保护环路径本专利技术:(1)用于窄边框电子装置之防静电装置(10)印刷电路板(100)接地点(11)雷射路径(12)保护环路径(2)窄边框电子装置(20)面板(21)壳体(22)边框本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。【具体实施方式】为使熟悉该项技艺人士了解本专利技术之目的,兹配合图式将本专利技术之较佳实施例详细说明如下。请参考图2以及图3所示,本专利技术之用于窄边框电子装置之防静电装置(1),应用于一窄边框电子装置(2),该窄边框电子装置(2)具有一面板(20)以及一壳体(21),该壳体(21)包覆该面板(20)之背面及该面板(20)之边缘,且该壳体(21)及该面板(20)之边缘形成一边框(22),该用于窄边框电子装置之防静电装置(1)包括一印刷电路板(10)、至少一雷射路径(11)以及复数保护环路径(12)。该印刷电路板(10)具有复数接地点(100),设置于该面板(20)底下,并被该壳体(21)包覆于内。该等雷射路径(11)设置于该边框(22),并被该壳体(21)包覆于内,该等雷射路径(11)是各自独立与该印刷电路板(10)之其中一接地点(100)电性连接,且该等雷射路径(11)之间具有间隙且不接触。该等保护环路径(12)设置于该边框当前第1页1 2 本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种用于窄边框电子装置之防静电装置,其特征在于,应用于一窄边框电子装置,该窄边框电子装置具有一面板以及一壳体,该壳体包覆该面板之背面及该面板之边缘,且该壳体及该面板之边缘形成一边框,该用于窄边框电子装置之防静电装置包括:一印刷电路板,具有复数接地点,设置于该面板底下,并被该壳体包覆于内;至少一雷射路径,设置于该边框,并被该壳体包覆于内,该等雷射路径是各自独立与该印刷电路板之其中一接地点电性连接,且该等雷射路径之间具有间隙且不接触;以及复数保护环路径,设置于该边框上之该等雷射路径旁,并被该壳体包覆于内,该等保护环路径是各自独立与该印刷电路板之其中一接地点电性连接,且该等保护环路径各自具有一路径宽度,该等保护环路径之间不接触并具有一间距。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:林仲宏江英杰林子祥黄彦衡
申请(专利权)人:业成光电深圳有限公司英特盛科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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