本发明专利技术属于光学仪器及配件技术领域，尤其是涉及一种光学平面基片的制作方法；其特征在于它包含有依次进行的以下步骤：选取原材料、预成型、仿形、研磨、抛光、清洗、检验。本发明专利技术采用物理与化学结合的方式制作光学平面基片，工序大部分采用机器进行，人工参与的很少；因此，本发明专利技术具有以下有益效果：光学平面基片制作时间短、产品间的差异小、适合于工业大规模应用、效率高，所制作的平面基片平面度、平行度、粗糙度参数好。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光学仪器及配件
，尤其是涉及一种光学平面基片的制作方 法。
技术介绍
随着科学技术的进步，光学仪器使用日益增多，而光学仪器中通常会使用到平面基片，平面基片在我们的四周处处可以看到，如⑶、HD、LD、V⑶、DVD、⑶-ROM和CVD等光盘基片；手机面板、MP3面板、摄像头玻片、精密仪表面板等等，都属于平面基片；现有技术中，平面基片的制作采用手工的较多，因此，制作时间长、产品间的差异大、效率低下，所制作的平面基片平面度、平行度、粗糙度相对较差；然而，社会对于这类产品的需求增长是相当惊人的，因此，现有技术已不能满足要求。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术的目的是提供，它可大大提高生产效率，它是采用以下技术方案来实现的，其特征在于它包含有依次进行的以下步骤第I步选取原材料选取厚度为O. Imm I. Omm的基片母板；第2步预成型采用划片机在基片母板上划下所需大小的基片毛坯；第3步仿形采用芯取机，对基片毛坯进行芯取达到预期轮廓的芯取片；第4步研磨采用球面研磨机或双面研磨机将芯取片进行研磨，研磨是在百级洁净室内进行的，温度为20°C 28°C ;研磨是在研磨油中进行的，研磨完成形成研磨片；第5步抛光采用环抛机对研磨片的表面进行抛光；抛光是在抛光液中进行的，抛光时间为3分钟到10分钟，抛光温度为32°C 40°C，抛光压力150 250g/cm2 ;抛光完成形成抛光片；第6步清洗采用超声波清洗机对抛光片进行清洗，清洗并干燥完成得到清洗片;第7步检验对清洗片进行粗糙度、平行度、平面度、厚度、表面裂纹、透光度检验，挑选出全部合格的即形成了光学平面基片。，其特征在于它包含有依次进行的以下步骤第I步选取原材料选取厚度为O. Imm I. Omm的基片母板；第2步预成型采用划片机在基片母板上划下所需大小的基片毛坯；第3步仿形采用芯取机，对基片毛坯进行芯取达到预期轮廓的芯取片；第4步研磨采用球面研磨机或双面研磨机将芯取片进行研磨，研磨是在百级洁净室内进行的，温度为20°C 28°C ;研磨是在研磨油中进行的，研磨完成形成研磨片；第5步抛光采用环抛机对研磨片的表面进行抛光；抛光是在抛光液中进行的，抛光时间为3分钟到10分钟，抛光温度为32°C 40°C，抛光压力150 250g/cm2 ;抛光完成形成抛光片；第6步清洗采用超声波清洗机对抛光片进行清洗，清洗并干燥完成得到清洗片;第7步贴膜在清洗片表面贴上透光薄膜形成了贴膜基片；第8步检验对贴膜基片进行粗糙度、平行度、平面度、厚度、表面裂纹、透光度检验，挑选出全部合格的即形成了光学平面基片。上述所述的光学平面基片的制作方法，其特征在于所述抛光液具有以下成份二氧化硅15% 40% (重量)；氧化钠彡0.3% (重量)；重金属及杂质彡40ppb ;纯净水二氧化硅、氧化钠、重金属及杂质三者重量之和的I 20倍；所述抛光液的密度为I. lg/ml I. 2g/ml。上述所述的光学平面基片的制作方法，其特征在于所述抛光液中的重金属为铜。上述所述的光学平面基片的制作方法，其特征在于所述研磨油中按重量计包含有以下成份硼酸盐10% 30%、多元醇5% 20%、阴离子表面活性剂5% 15%、润滑剂5% 10%、防锈剂5% 10%、去离子水或纯净水15 60%、氧化钠5% 10%。上述所述的光学平面基片的制作方法，其特征在于所述多元醇为乙二醇或甘油或山梨醇；所述阴离子表面活性剂为羧酸盐或硫酸酯盐或磺酸盐或磷酸酯盐；所述润滑剂为如硅油或硅酸酯或磷酸酯或氟油；所述防锈剂为市售的YG-901型防锈剂。本专利技术采用物理与化学结合的方式制作光学平面基片，工序大部分采用机器进行，人工参与的很少；因此，本专利技术具有以下有益效果光学平面基片制作时间短、产品间的差异小、适合于工业大规模应用、效率高，所制作的平面基片平面度、平行度、粗糙度参数好。附图说明图I是本专利技术实施实例I的原理框图；图2是本专利技术实施实例2的原理框图。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术作进一步详细的描述。实施实例I请见图1，，其特征在于它包含有依次进行的以下步骤第10步选取原材料选取厚度为O. Imm I. Omm的基片母板；第20步预成型采用划片机在基片母板上划下所需大小的基片毛坯；第30步仿形采用芯取机，对基片毛坯进行芯取达到预期轮廓的芯取片；第40步研磨采用球面研磨机或双面研磨机将芯取片进行研磨，研磨是在百级洁净室内进行的，温度为20°C 28°C ;研磨是在研磨油中进行的，研磨完成形成研磨片；第50步抛光采用环抛机对研磨片的表面进行抛光；抛光是在抛光液中进行的，抛光时间为3分钟到10分钟，抛光温度为32°C 40°C，抛光压力150 250g/cm2 ;抛光完·成形成抛光片；第60步清洗采用超声波清洗机对抛光片进行清洗，清洗并干燥完成得到清洗片;第70步检验对清洗片进行粗糙度、平行度、平面度、厚度、表面裂纹、透光度检验，挑选出全部合格的即形成了光学平面基片。实施实例2请见图2，，其特征在于它包含有依次进行的以下步骤·第10步选取原材料选取厚度为O. Imm I. Omm的基片母板；第20步预成型采用划片机在基片母板上划下所需大小的基片毛坯；第30步仿形采用芯取机，对基片毛坯进行芯取达到预期轮廓的芯取片；第40步研磨采用球面研磨机或双面研磨机将芯取片进行研磨，研磨是在百级洁净室内进行的，温度为20°C 28°C ;研磨是在研磨油中进行的，研磨完成形成研磨片；第50步抛光采用环抛机对研磨片的表面进行抛光；抛光是在抛光液中进行的，抛光时间为3分钟到10分钟，抛光温度为32°C 40°C，抛光压力150 250g/cm2 ;抛光完成形成抛光片；第60步清洗采用超声波清洗机对抛光片进行清洗，清洗并干燥完成得到清洗片;第70步贴膜在清洗片表面贴上透光薄膜形成了贴膜基片；第80步检验对贴膜基片进行粗糙度、平行度、平面度、厚度、表面裂纹、透光度检验，挑选出全部合格的即形成了光学平面基片。当然，上述所述的任，其特征在于所述抛光液具有以下成份二氧化硅15% 40% (重量)；氧化钠彡0.3% (重量)；重金属及杂质彡40ppb ;纯净水二氧化硅、氧化钠、重金属及杂质三者重量之和的I 20倍；所述抛光液的密度为I. lg/ml I. 2g/ml。进一步地，上述所述的光学平面基片的制作方法，其特征在于所述抛光液中的重金属为铜。当然，上述所述的任，其特征在于所述研磨油中按重量计包含有以下成份硼酸盐10% 30%、多元醇5% 20%、阴离子表面活性剂5% 15%、润滑剂5% 10%、防锈剂5% 10%、去离子水或纯净水15 60%、氧化钠5% 10%。进一步地，上述所述的光学平面基片的制作方法，其特征在于所述多元醇为乙二醇或甘油或山梨醇；所述阴离子表面活性剂为羧酸盐或硫酸酯盐或磺酸盐或磷酸酯盐；所述润滑剂为如硅油或硅酸酯或磷酸酯或氟油；所述防锈剂为市售的YG-901型防锈剂。本专利技术采用物理与化学结合的方式制作光学平面基片，工序大部分采用机器进行，人工参与的很少；因此，本专利技术具有以下有益效果光学平面基片制作时间短、产品间的差异小、适合于工业大规模应用、效率高，所制作的平面基片平面度、平行度、粗糙度参数好。本专利技术不局限于上述最佳实施方式，应当本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种光学平面基片的制作方法，其特征在于它包含有依次进行的以下步骤：第一步：选取原材料：选取厚度为0.1mm～1.0mm的基片母板；第二步：预成型：采用划片机在基片母板上划下所需大小的基片毛坯；第三步：仿形：采用芯取机，对基片毛坯进行芯取达到预期轮廓的芯取片；第四步：研磨：采用球面研磨机或双面研磨机将芯取片进行研磨，研磨是在百级洁净室内进行的，温度为20℃～28℃；研磨是在研磨油中进行的，研磨完成形成研磨片；第五步：抛光：采用环抛机对研磨片的表面进行抛光；抛光是在抛光液中进行的，抛光时间为3分钟到10分钟，抛光温度为32℃～40℃，抛光压力150～250g/cm2；抛光完成形成抛光片；第六步：清洗：采用超声波清洗机对抛光片进行清洗，清洗并干燥完成得到清洗片；第七步：检验：对清洗片进行粗糙度、平行度、平面度、厚度、表面裂纹、透光度检验，挑选出全部合格的即形成了光学平面基片。
【技术特征摘要】
1.一种光学平面基片的制作方法，其特征在于它包含有依次进行的以下步骤 第一步选取原材料选取厚度为O. Imm I. Omm的基片母板； 第二步预成型采用划片机在基片母板上划下所需大小的基片毛坯； 第三步仿形采用芯取机，对基片毛坯进行芯取达到预期轮廓的芯取片； 第四步研磨采用球面研磨机或双面研磨机将芯取片进行研磨，研磨是在百级洁净室内进行的，温度为20°C 28°C ;研磨是在研磨油中进行的，研磨完成形成研磨片； 第五步抛光采用环抛机对研磨片的表面进行抛光；抛光是在抛光液中进行的，抛光时间为3分钟到10分钟，抛光温度为32°C 40°C，抛光压力150 250g/cm2 ;抛光完成形成抛光片； 第六步清洗采用超声波清洗机对抛光片进行清洗，清洗并干燥完成得到清洗片；第七步检验对清洗片进行粗糙度、平行度、平面度、厚度、表面裂纹、透光度检验，挑选出全部合格的即形成了光学平面基片。2.一种光学平面基片的制作方法，其特征在于它包含有依次进行的以下步骤 第一步选取原材料选取厚度为O. Imm I. Omm的基片母板； 第二步预成型采用划片机在基片母板上划下所需大小的基片毛坯； 第三步仿形采用芯取机，对基片毛坯进行芯取达到预期轮廓的芯取片； 第四步研磨采用球面研磨机或双面研磨机将芯取片进行研磨，研磨是在百级洁净室内进行的，温度为20°C 28°C ;研磨是在研磨油中进行的，研磨完成形成研磨片； 第五步抛光采用环抛机对研磨片的表面进行抛光；抛光是在抛光液中进...
【专利技术属性】
技术研发人员：方亚琴，蒋菊生，
申请(专利权)人：蒋菊生，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。