本发明专利技术涉及一种大功率LED灯具，包括散热装置和大功率LED，所述散热装置包括中空固定管（31）和多个散热鳍片，所述多个散热鳍片（32）以层式结构分布在所述中空固定管（31）上，每一层的多个散热鳍片（32）以散射的方式固定在所述中空固定管（31）上，在散热装置的上方连接有所述大功率LED（20）和灯罩（10），其特征在于：所述大功率LED（20）为倒装结构的LED芯片。本发明专利技术由于包括中空固定管和多个散热鳍片，多个散热鳍片以层式结构分布在中空固定管上，因而可以通过上述中空固定管和多个散热鳍片将大功率LED灯具散发出的大量热量转移出灯具，延长了大功率LED灯具的使用寿命和保证了照明效果。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种LED灯具，尤其是涉及一种大功率LED灯具。
技术介绍
将LED直接作为照明灯具具有以下优点1、LED消耗能量较同光效的白炽灯减少80% ;2、LED无有害金属汞，对环境不会污染；3、LED使用低压电源，供电电压在6-24V之间，根据产品不同而异，所以它是一个比使用高压电源更安全的电源。使用大功率LED可以在满足照明亮度的效果要求的同时减少使用LED使用的数量，但现有大功率LED照明灯具存在的缺陷是大功率LED会释放出大量的热量，并且热量不易排出灯具本体，时间长容易影响LED灯具的使用寿命。此外，在水平方向N型电极所处位置与P型电极相距较远，N型电极对其下方的PCB板的位置设计有苛刻的要求，影响到封装优良率。N型电极位置比P型电极位置高很多，导致其与下方的PCB板之间的间隙较大，在焊锡时很容易使得N级焊锡层过长而造成虚焊或脱焊的发生。为了使得N型电极与其下方的PCB板可以进行焊接，需要去掉很大一部分发光区，影响到LED芯片的发光效率。
技术实现思路
本专利技术设计了一种大功率LED灯具，其解决的技术问题是(I)现有大功率LED照明灯具存在的缺陷是大功率LED会释放出大量的热量，并且热量不易排出灯具本体，时间长容易影响LED灯具的使用寿命；(2)N型电极区域相对小，很难与PCB板的相应区域对位，会影响到封装效果和LED产品的优良率；(3) N型电极位置比P型电极位置高很多，很容易造成虚焊、脱焊情形；(4)为制作N型电极，往往要人为地去掉很大一部分有源区，这样大大地减少了器件的发光面积，直接影响了 LED发光效率。为了解决上述存在的技术问题，本专利技术采用了以下方案一种大功率LED灯具，包括散热装置和大功率LED (20)，所述散热装置包括中空固定管(31)和多个散热鳍片(32)，所述多个散热鳍片(32)以层式结构分布在所述中空固定管(31)上，每一层的多个散热鳍片(32)以散射的方式固定在所述中空固定管(31)上，在散热装置的上方连接有所述大功率LED (20)和灯罩(10)，所述大功率LED (20)为倒装结构的LED芯片。进一步，所述倒装结构的LED芯片包括P型电极区和N型电极区，所述P型电极区从下至上依次包括衬底(I)、缓冲层(2)、N型层(3)、N型分别限制层(4)、发光区层(5)、P型分别限制层(6)、P型层(7)、P型欧姆接触层(8)、光反射层(9)以及绝缘介质膜(13)，所述N型电极区从下至上依次包括衬底(I)、缓冲层(2)、N型层(3)以及绝缘介质膜(13)，P型电极(21)下端穿过所述绝缘介质膜(13)与光反射层(9)连接，P型电极(21)上端与第一 PCB板(24)连接，所述N型电极(22)为阶梯结构；所述N型电极(22)的下端穿过所述绝缘介质膜(13)与所述N型层(3)连接；所述N型电极(22)的中间部分贴在垂直部分的绝缘介质膜(13)上；所述N型电极(22)的上端位于最上方绝缘介质膜(13)之上并且向P型电极(21)的位置延伸，所述N型电极(22)的上端与第二 PCB板(23)连接，所述N型电极(22)的上端与P型电极(21)存在相同高度的或近似高度的共同锡焊面。进一步，所述衬底(I)由上凹孔结构(26)和下凹孔结构(27)组合而成。 进一步，所述上凹孔结构(26)的各个凹孔直径大于都所述下凹孔结构(27)各个凹孔的直径。进一步，所述P型电极(21)上端通过焊锡与第一 PCB板(24)进行固定，所述P型电极(21)通过所述第一 PCB板(24)与散热板(25)进行固定连接。进一步，所述N型电极(22)上端通过焊锡与第二 PCB板(23)进行固定，所述N型电极(22)通过所述第二 PCB板(23)与散热板(25)进行固定连接。进一步，所述每一层的散热鳍片(32)为八个，相邻二个所述散热鳍片(32)之间形成的角度为45°。进一步，所述散热鳍片(32)为直型中空铜管或波浪型中空铜管。进一步,还包括一基座(40)，所述中空固定管(31)底端固定在所述基座(40)上，所述基座(40)中设有一微型风扇(50)。该大功率LED灯具与传统的大功率LED灯具相比，具有以下有益效果(I)本专利技术由于包括中空固定管和多个散热鳍片，多个散热鳍片以层式结构分布在中空固定管上，因而可以通过上述中空固定管和多个散热鳍片将大功率LED灯具散发出的大量热量转移出灯具，延长了大功率LED灯具的使用寿命和保证了照明效果。(2)本专利技术由于把LED芯片的N型电极与N型电极设置相同高度的或近似高度的共同锡焊面，使得在锡焊时，两个电极焊锡厚度相同并且可以减少N型电极的焊锡厚度，因而增加了 LED芯片倒装工艺的封装良率，避免了电极虚焊或脱焊的情形发生。(3)本专利技术由于将衬底由上凹孔结构和下凹孔结构组合而成，使得部分全反射光线以散射的形式射出，或者通过多次折射进入临界角射出，从而实现出光效率的提高。(4)本专利技术由于P型电极的N型电极为阶梯结构，无需去掉很大一部分发光区，因而减少制作N型欧姆接触的面积，增加发光区面积，以提高LED的发光效率。附图说明图I是本专利技术大功率LED灯具的第一种结构示意图2是本专利技术大功率LED灯具的第二种结构示意图3是本专利技术大功率LED灯具的俯视图4是本专利技术大功率LED灯具的倒装结构的LED芯片第一种结构示意图5是本专利技术大功率LED灯具的倒装结构的LED芯片第二种结构示意图。附图标记说明10—灯罩；20—大功率LED ;31—中空固定管；32—散热鳍片；40—基座；50—微型风扇；I一衬底；2—缓冲层；3 —N型层；4一N型分别限制层；5—发光区层；6 —P型分别限制层；7 —P型层；8 —P型欧姆接触层；9—光反射层；13—绝缘介质膜；21—P型电极；22 —N型电极；23—第二 PCB板；24—第一 PCB板；25—散热板；26—上凹孔结构；27—下凹孔结构。具体实施例方式下面结合图I至图5，对本专利技术做进一步说明如图I和图2所示，一种大功率LED灯具，包括中空固定管31和多个散热鳍片32，多个散热鳍片32以层式结构分布在中空固定管31上，每一层的多个散热鳍片32以散射的方式固定在所述中空固定管31上。因而可以通过上述中空固定管31和多个散热鳍片32将大功率LED灯具散发出的大量热量转移出灯具，延长了大功率LED灯具的使用寿命和保证了照明效果。散热鳍片32为直型中空铜管或波浪型中空铜管。中空固定管31为金属铜材质。金属铜的导热特征特别好。还包括一基座4，中空固定管31底端固定在基座40上。基座40中设有一微型风扇50。微型风扇50可以加速将热量移出。如图3所示，每一层的散热鳍片32为八个，相邻二个散热鳍片32之间形成的角度为 45。。如图4所示，倒装结构的LED芯片包括P型电极区和N型电极区，P型电极区从下至上依次包括衬底I、缓冲层2、N型层3、N型分别限制层4、发光区层5、P型分别限制层6、P型层7、P型欧姆接触层8、光反射层9以及绝缘介质膜13，N型电极区从下至上依次包括衬底I、缓冲层2、N型层3以及绝缘介质膜13，P型电极21下端穿过绝缘介质膜13与光反射层9连接，P型电极21上端与第一 PCB板24连接，N型电极22为阶梯结构；所述N型电极22的下端穿过绝缘介质膜13与N型层3连接本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种大功率LED灯具，包括散热装置和大功率LED（20），所述散热装置包括中空固定管（31）和多个散热鳍片（32），所述多个散热鳍片（32）以层式结构分布在所述中空固定管（31）上，每一层的多个散热鳍片（32）以散射的方式固定在所述中空固定管（31）上，在散热装置的上方连接有所述大功率LED（20）和灯罩（10），其特征在于：所述大功率LED（20）为倒装结构的LED芯片。
【技术特征摘要】
2011.11.25 CN 201110380089.51.一种大功率LED灯具，包括散热装置和大功率LED (20)，所述散热装置包括中空固定管(31)和多个散热鳍片(32)，所述多个散热鳍片(32)以层式结构分布在所述中空固定管(31)上，每一层的多个散热鳍片(32)以散射的方式固定在所述中空固定管(31)上，在散热装置的上方连接有所述大功率LED (20)和灯罩(10)，其特征在于所述大功率LED (20)为倒装结构的LED芯片。2.根据权利要求I所述大功率LED灯具，其特征在于所述倒装结构的LED芯片包括P型电极区和N型电极区，所述P型电极区从下至上依次包括衬底(I)、缓冲层(2)、N型层(3)、N型分别限制层(4)、发光区层(5)、P型分别限制层(6)、P型层(7)、P型欧姆接触层(8)、光反射层(9)以及绝缘介质膜(13)，所述N型电极区从下至上依次包括衬底(I)、缓冲层(2)、N型层(3)以及绝缘介质膜(13)，P型电极(21)下端穿过所述绝缘介质膜(13)与光反射层(9)连接，P型电极(21)上端与第一 PCB板(24)连接，所述N型电极(22)为阶梯结构；所述N型电极(22)的下端穿过所述绝缘介质膜(13)与所述N型层(3)连接；所述N型电极(22)的中间部分贴在垂直部分的绝缘介质膜(13)上；所述N型电极(22)的上端位于最上方绝缘介质膜(13)之上...
【专利技术属性】
技术研发人员：俞国宏，
申请(专利权)人：俞国宏，
类型：发明
国别省市：
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