制备锑掺杂二氧化锡纳米导电粉体的方法技术

本发明专利技术公开了一种制备锑掺杂二氧化锡纳米导电粉体的方法，包括如下步骤：四氯化锡、三氯化锑和乙醇的混合溶液，由载气Ｎ↓［２］载入蒸发器蒸发汽化，然后与氢气和空气混合后，由设置在燃烧反应器顶部的三通道烧嘴的中心管进入燃烧反应器，在燃烧室内进行水解反应，生成的ＡＴＯ导电粉体由袋滤器收集，尾气经过ＨＣｌ吸收塔后排空；同时，氢气和空气的混合气体由三通道烧嘴的二环管加入燃烧反应器；同时，空气由三通道烧嘴的三环管加入。本发明专利技术的方法，设备简单、可控程度高，可以制备尺寸小，比表面积大、分散性良好的ＡＴＯ纳米导电粉体，是一种可以大规模连续化生产ＡＴＯ导电粉体的制备方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种二氧化锡纳米导电粉体的方法，尤其涉及气相燃烧法。
技术介绍
锑掺杂氧化锡(Antimony-doped tin oxide ATO)是一种新型多功能材料，具有耐高温、耐腐蚀、机械稳定性好的特点而被广泛应用。作为新型导电填料，可用于材料的抗静电，其效果优于传统的碳黑、金属粉体，表面活性剂等，性价比高于最近提出的碳纳米管导电材料。用于电致变色材料可以替代现在普遍采用的WO，材料。可以作为气敏材料用以检测还原性可燃气体，相对于纯氧化锡气敏材料，由于其导电能力大幅度提高，粉体粒径减小，比表面积增大，其灵敏度和选择性均有较大提高。作为显示器件表面的三防涂层(防静电、防辐射、防眩晕)，现已广泛使用。最近又发现其能够作为颜料用以替代传统的含铬颜料，从而减少对环境的危害。此外，ATO材料还应用于分离核燃料废料、超细过滤、太阳能电池等方面。目前，ATO纳米粉体的制备方法很多，如CN03114873.5专利披露的技术，但几乎都是在水相条件下经水解生成氢氧化物后灼烧的。由于沉淀表面有大量的吸附水，沉淀溶胶表面的羟基易通过水分子搭桥而发生团聚现象，致使焙烧形成的晶体增大。也有加入有机溶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备锑掺杂二氧化锡纳米导电粉体的方法，其特征在于，包括如下步骤：四氯化锡、三氯化锑和乙醇的混合溶液，由载气Ｎ↓［２］载入蒸发器蒸发汽化，然后与８０～２００℃的氢气和空气混合后，由设置在燃烧反应器顶部的三通道烧嘴的中心管进入燃烧反应器，在燃烧室内进行水解反应，生成的ＡＴＯ导电粉体由袋滤器收集，尾气经过ＨＣｌ吸收塔后排空，反应温度为１０００～１６００℃；同时，温度为室温的氢气和空气的混合气体由三通道烧嘴的二环管加入燃烧反应器；同时，温度为室温的空气由三通道烧嘴的三环管加入。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李春忠，胡彦杰，姜海波，顾峰，
申请(专利权)人：华东理工大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]