不平衡－平衡转换电路元件制造技术

在不平衡－平衡转换电路元件(10)的不平衡端子(PUB)与第一平衡端子(PB1)之间串联连接有电感器(LL1)。电感器(LL1)的第一平衡端子(PB1)一侧经由电容器(CL1)接地。在不平衡端子(PUB)与第二平衡端子(PB2)之间串联连接有电容器(CH1)。在电感器(LL1)的第一平衡端子(PB1)一侧与电容器(CH1)的第二平衡端子(PB2)一侧之间连接有电感器(LH1)。在形成不平衡－平衡转换电路元件(10)的层叠体(100)内，电容器(CH1)形成得比其他电路元件要远离安装面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通过在层叠基板上形成集中参数型电路而实现的不平衡一平衡转换电路。
技术介绍
目前，在较多的RF前端模块中，由天线接收到的信号为不平衡型信号，与之不同的是，在RF半导体IC中，由平衡型信号来执行信号处理。因此，需要具有将由天线所接收到 的不平衡型信号转换为平衡型信号的不平衡一平衡转换功能的电路。作为这样的不平衡一平衡转换电路，存在以下两种。一种是利用传输线路之间的耦合的商业型，另一种是专利文献I中也记载的使用集中参数型低通滤波器(以下，称为LPF)及高通滤波器(以下，称为HPF)的集中参数型。此处，在商业型的情况下，为了获得具有相位差的两个输出信号，相对于主线路，形成由传输信号(接收信号)的波长的I / 4长度所构成的副线路，从该副线路的两端输出各信号，因此，比集中参数型要难以实现小型化。因此，为了实现小型的不平衡一平衡转换电路元件，优选为集中参数型。图I是现有的一般的集中参数型的不平衡一平衡转换电路元件的电路图。现有的不平衡一平衡转换电路元件IOP包括不平衡端子PUB、以及由第一平衡端子Pbi和第二平衡端子Pb2所构成的一对平衡端子。在不平衡端子Pub与第一平衡端子Pbi之间串联连接有电感器LLlp。电感器LLlp的第一平衡端子Pbi —侧经由电容器CLlp接地。由上述串联连接的电感器LLlp和并联连接的电容器CLlp构成LPF。在不平衡端子Pub与第二平衡端子Pb2之间串联连接有电容器CHlp。电容器CHlp的第二平衡端子Pb2 —侧经由电感器LHlp接地。由上述串联连接的电容器CHlp和并联连接的电感器LHlp构成HPF。现有技术文献专利文献专利文献I :日本专利特开2005 — 166702号公报
技术实现思路
然而，图I所示的现有的不平衡一平衡转换电路元件IOP中，在与RF半导体IC进行连接的情况下，难以与阻抗的相位分量进行匹配。因此，现有的RF前端模块需要具有图2所示的电路结构。图2是现有的RF前端模块的电路结构图。如图2所示，现有的RF前端模块包括上述的不平衡一平衡转换电路元件10P、天线800、匹配电路802、RF半导体IC803。在不平衡一平衡转换电路元件IOP的不平衡端子Pub上连接有天线800。不平衡一平衡转换电路元件IOP的由第一平衡端子Pbi及第二平衡端子Pb2所构成的平衡端子经由匹配电路802与RF半导体IC803相连接。匹配电路802包括与第一平衡端子Pbi串联连接的电感器、与第一平衡端子Pbi并联连接的电容器、与第二平衡端子Pb2串联连接的电感器、以及与第二平衡端子Pb2并联连接的电容器。因此，即使不平衡一平衡转换电路元件IOP是集中参数型，能小型化，但还需要匹配电路802，因此，阻碍作为RF前端模块的小型化。此外，尽管能利用匹配电路802取得不平衡一平衡转换电路元件IOP与RF半导体IC803之间的匹配，但作为RF前端模块的插入损耗因需要匹配电路802而相应地降低一些。 因此，本专利技术的目的在于提供一种不平衡一平衡转换电路，即使在与匹配时需要调节输入阻抗的相位分量的元件进行连接的情况下，也不必另外设置匹配电路，容易小型化，能低损耗地传输信号。本专利技术涉及一种不平衡一平衡转换电路元件，该不平衡一平衡转换电路元件包括输入输出不平衡信号的不平衡端子、由输入输出平衡信号的第一平衡端子及第二平衡端子所构成的一对平衡端子，其还包括第一电感器、第一电容器、及阻抗调节元件。第一电感器串联连接在不平衡端子与第一平衡端子之间。第一电容器串联连接在不平衡端子与第二平衡端子之间。阻抗调节元件由连接在第一电感器的第一平衡端子一侧与第一电容器的第二平衡端子一侧之间的电感器或电容器所构成。在该结构中，通过包括与包含第一电感器的第一平衡端子一侧的电路和包含第一电容器的第二平衡端子一侧的电路均进行连接的阻抗调节元件，能使第一平衡端子一侧的电路和第二平衡端子一侧的电路同时以相同的相位量进行旋转。由此，能利用阻抗调节元件的元件值来调节由第一平衡端子和第二平衡端子所构成的平衡端子的输出阻抗的相位分量。此时，不需要使用太多电路元件，只要使用单体的电感器或电容器作为阻抗调节元件，就能获得足够的相位旋转量，从而能扩大可采用的相位范围。此外，本专利技术的不平衡一平衡转换电路元件优选为以下的结构。不平衡一平衡转换电路兀件包括将多个电介质层进行层叠而成的层叠体。第一电感器、第一电容器、及阻抗调节元件由形成于层叠体的多个电介质层上的电极图案所形成。第一电感器及阻抗调节元件配设在第一电容器与层叠体的安装面之间。换言之，第一电容器沿着层叠方向配设在层叠体的安装面的相反侧而夹着第一电感器及阻抗调节元件的形成区域。该结构中，未接地的第一电容器远离安装面进行配置，因此，在层叠体内，通常形成于该安装面或其接近层上的接地电极与构成第一电容器的相对电极之间能形成较大的距离。由此，能抑制接地电极与第一电容器之间产生的寄生电容，从而能改善插入损耗。此外，本专利技术的不平衡一平衡转换电路元件优选为以下结构。该不平衡一平衡转换电路元件包括直流分量除去用电容器，该直流分量除去用电容器串联连接在第一电感器和第一电容器之间的连接点与不平衡端子之间。直流分量除去用电容器由形成于多个电介质层上的电极图案所形成。第一电感器及阻抗调节元件配设在直流分量除去用电容器与层叠体的安装面之间。换言之，直流分量除去用电容器沿着层叠方向配设在层叠体的安装面的相反一侧而夹着第一电感器及阻抗调节元件的形成区域。该结构中，还能抑制与不平衡端子串联连接的、未直接接地的直流分量除去用电容器的寄生电容。由此，即使是包括直流分量除去用电容器的结构，也能改善插入损耗。此外，本专利技术的不平衡一平衡转换电路元件中，优选包括施加直流电压的直流电压施加端子，该直流电压施加端子与第一电感器及第一电容器相连接。该结构中，能将直流分量提供给由第一平衡端子及第二平衡端子所构成的一对平衡端子。即，能将直流电压提供给后级的RF半导体1C。此外，本专利技术的不平衡一平衡转换电路元件优选为以下结构。该不平衡一平衡转换电路元件包括将第一平衡端子或第二平衡端子接地的滤波器特性调节元件。此时，若阻抗调节元件是电感器，则滤波器特性调节元件由将第一平衡端子接地的电容器所构成。若阻抗调节元件是电容器，则滤波器特性调节元件由将第二平衡端子接地的电感器所构成。该结构中，通过包括滤波器特性调节元件，不仅能以容易且 简单的结构恰当地调节阻抗，还能调节不平衡一平衡转换电路元件的滤波器特性。此外，本专利技术的不平衡一平衡转换电路元件中，优选包括第二电容器，该第二电容器将第一电感器的、该第一电感器与第一电容器之间的连接点一侧的端部接地。在该结构中，通过将第二电容器连接在不平衡端子与接地之间，能降低中心频率。即，在维持阻抗特性和平衡特性的同时，能使所传输的信号的频率向低频一侧移动。根据本专利技术，能使可低损耗地传输RF信号的不平衡一平衡转换电路实现小型化。附图说明图I是现有的一般的集中参数型的不平衡一平衡转换电路元件IOP的电路图。图2是现有的RF前端模块的电路结构图。图3是实施方式I所涉及的不平衡一平衡转换电路元件10的电路图。图4是实施方式I所涉及的不平衡一平衡转换电路元件10的等效电路图。图5是表示实施方式I所涉及的不平衡一平衡转换电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种不平衡－平衡转换电路元件，该不平衡－平衡转换电路元件包括输入输出不平衡信号的不平衡端子、由输入输出平衡信号的第一平衡端子及第二平衡端子所构成的一对平衡端子，其特征在于，包括：第一电感器，该第一电感器串联连接在所述不平衡端子与所述第一平衡端子之间；第一电容器，该第一电容器串联连接在所述不平衡端子与所述第二平衡端子之间；以及阻抗调节元件，该阻抗调节元件由连接在所述第一电感器的所述第一平衡端子一侧与所述第一电容器的所述第二平衡端子一侧之间的电感器或电容器所构成。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：田中阳，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：