通过调整曝光强度减少极不平衡的方法和系统技术方案

公开了一种用于调整曝光强度来减少不期望的光刻效果的方法和系统。在一些示例性实施例中，光刻方法包括接收掩模和工件。确定照明图案相对于掩模的定向，以及根据该定向调整照明图案的强度分布。根据照明图案和强度分布将掩模暴露于辐射。利用产生自曝光掩模的辐射来曝光工件。在一些这种实施例中，强度分布包括横跨照明图案的照明的区域变化的强度。本发明专利技术还涉及通过调整曝光强度减少极不平衡的方法和系统。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术设及通过调整曝光强度减少极不平衡的方法和系统。
技术介绍
[000引半导体集成电路（1C)工业经历了快速发展。在1C演变过程中，功能密度（即，每 巧片面积中互连器件的数量）通常都在增加，而几何尺寸（即，可使用制造工艺生成的最小 组件（或线））已经减小。该种按比例缩小工艺通常通过增加产量效率和降低相关成本来 提供益处。该种按比例缩小也增加了用于1C的制造和检验工艺的复杂度，并且，为了完全 实现改进，需要1C制造的发展。 仅仅作为一个实例，光刻中的进步对于减小器件尺寸尤为重要。通常，光刻是将图 案从掩模转印到诸如半导体衬底的工件上。在光刻中，用W转印图案的福射引起在工件上 形成的感光材料的受影响区中的变化。在曝光之后，可W选择性去除感光材料来显露图案。 该工件然后经历加工步骤，加工步骤利用剩余光刻胶的形状来在工件上生成部件。 在一种类型的光刻中，使用远紫外线巧UV)福射（即，具有约1至lOOnm波长的福 射）W转印图案。然而，因为较少材料对于EUV福射而言是可透射的，复杂的反射光学器件 系统用于引导并塑形该EUV福射。因此，在许多EUV系统中，含有要被转印至衬底的图案的 掩模也可W是反射的。EUV光刻带来诸多挑战，很多挑战源于反射光学器件的布置。例如， 很多反射掩模并非完全地平面，且掩模上所形成的吸收体的厚度可W远大于EUV福射的波 长。因此，如果入射福射并非完全垂直于反射掩模的表面，则可能出现不期望的阴影和其他 3D效果。对于该些原因及其他原因，尽管在EUV光刻中进步显著，但进一步改进有可能实现 改进的解决方案、改进的对准W及改进的产量。因此，尽管现有的光刻技术已大体足够，但 其并未在所有方面证明是完全满意的。
技术实现思路
为了解决现有技术中的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种光刻方法，所述 方法包括；接收掩模和工件；确定照明图案相对于所述掩模的定向；根据所述定向调整所 述照明图案的强度分布；根据所述照明图案和所述强度分布将所述掩模暴露于福射；W及 利用产生自曝光所述掩模的福射来曝光所述工件。 在上述方法中，其中，所述强度分布包括横跨所述照明图案的照明的区域变化的 强度。 在上述方法中，其中，所述强度分布包括横跨所述照明图案的照明的区域变化的 强度；其中，所述强度分布的所述强度横跨所述照明的区域线性地变化。[000引在上述方法中，其中，所述照明图案包括多个照明的区域，并且其中，所述强度分 布包括横跨所述多个照明的区域的至少一个变化的强度。 在上述方法中，其中，所述照明图案包括多个照明的区域，并且其中，所述强度分 布包括横跨所述多个照明的区域的至少一个变化的强度；其中，所述多个照明的区域包括 一对双极形状，并且其中，所述强度沿着与所述双极形状的每个的直径共同延伸的轴变化。 在上述方法中，其中，所述照明图案包括多个照明的区域，并且其中，所述强度分 布包括横跨所述多个照明的区域的至少一个变化的强度；其中，所述多个照明的区域包括 一对双极形状，并且其中，所述强度沿着同与所述双极形状的每个的直径共同延伸的线不 平行的轴变化。 在上述方法中，其中，确定所述照明图案定向包括选择所述照明图案的一个或多 个参考点并确定用于所述一个或多个参考点的每个的相对于所述掩模的表面的入射角。 在上述方法中，其中，确定所述照明图案定向包括选择所述照明图案的一个或多 个参考点并确定用于所述一个或多个参考点的每个的相对于所述掩模的表面的入射角；其 中，将所述一个或多个参考点的每个均选择为在所述照明图案的照明的区域的边界上。 在上述方法中，其中，所述确定的定向为第一定向并对应于第一曝光位置，所述方 法进一步包括：确定所述照明图案相对于所述掩模并对应于第二曝光位置的第二定向；W 及根据对应于所述第二曝光位置的所述第二定向调整所述强度分布。 在上述方法中，其中，所述福射包括远紫外线巧UV)福射，其中，所述掩模为反射 型掩模，并且其中，利用所述福射来曝光所述工件是利用由所述掩模反射的福射。 根据本专利技术的另一个方面，提供了一种方法，包括：确定用于将被投影在光刻掩模 上的照明图案的多个参考位置的每个的入射角；基于所述确定的入射角确定用于所述照明 图案的强度，其中，确定的强度横跨所述照明图案变化；根据所述照明图案和所述确定的强 度将福射投影在所述光刻掩模上；W及使用产生自投影在所述光刻掩模上的所述福射的福 射来曝光工件。 在上述方法中，其中，所述强度横跨所述照明图案非线性地变化。 在上述方法中，其中，所述照明图案包括多种形状，并且其中，所述强度横跨所述 多种形状的至少一种变化。 在上述方法中，其中，所述照明图案包括多种形状，并且其中，所述强度横跨所述 多种形状的至少一种变化；其中，所述多个参考位置的每个均定位在所述多种形状的形状 边界上。 在上述方法中，其中，所述照明图案包括环形形状。 根据本专利技术的又一个方面，提供了一种系统，包括；掩模台，可操作的W保持掩模； 衬底台，可操作的W保持工件；福射源；照明器，可操作的W;将由所述福射源产生的福射 塑形为照明图案；W及通过将所述照明图案内的福射塑形提供至所述掩模台来曝光所述掩 模；W及投影光学模块，可操作的W将所述福射从所述掩模定向至所述工件W便在所述工 件上形成图案，其中，所述照明器是进一步可操作的W曝光所述掩模使得提供的所述福射 在所述照明图案内在强度上发生变化。 在上述系统中，其中，所述照明器是进一步可操作的W曝光所述掩模使得提供的 所述福射根据所述照明图案相对于所述掩模的定向在强度上发生变化。 在上述系统中，其中，所述照明器是进一步可操作的W曝光所述掩模使得提供的 所述福射在所述照明图案的形状内的强度上发生变化。 在上述系统中，其中，所述照明图案包括一对双极形状，并且所述照明器是进一步 可操作的W曝光所述掩模使得提供的所述福射沿着同所述双极形状的每个的直径共同延 伸的轴在强度上发生变化。 在上述系统中，其中，所述照明器是进一步可操作的W曝光所述掩模使得提供的 所述福射根据曝光位置在强度上发生变化。【附图说明】 当结合附图进行阅读时，从下面详细的描述可W最佳地理解本专利技术。应该强调，根 据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制并且仅用于说明目的。实际上，为了清楚 的讨论，各种部件的尺寸可W被任意增加或减少。 图1是根据本专利技术的各个方面的光刻系统的框图。 图2是根据本专利技术的各方面的反射光掩模的截面图。[002引图3是根据本专利技术的各方面的反射光掩模的部分的截面图。 图4是根据本专利技术的各方面的由反射掩模产生的反射强度的曲线。 图5是根据本专利技术的当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻方法，所述方法包括：接收掩模和工件；确定照明图案相对于所述掩模的定向；根据所述定向调整所述照明图案的强度分布；根据所述照明图案和所述强度分布将所述掩模暴露于辐射；以及利用产生自曝光所述掩模的辐射来曝光所述工件。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢彦丞，游信胜，陈政宏，严涛南，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71