电子设备短路专用纳米导电铁粉制造技术

本发明专利技术涉及一种纳米级铁粉，具体为一种电子设备短路专用纳米导电铁粉。解决了现有技术中存在的不规则的片型粉体材料作为导电粉体导电电流小，破坏力弱，容易氧化，不宜下落，实际使用量大等问题。是由以下方法制备，在－２５℃～－３２℃的情况下，高频切割次数设定在每分钟５０００次－６０００次的情况下生产纳米铁粉，分选出Ｄ３＝１８ｎｍ，Ｄ２５＝３２ｎｍ，Ｄ５０＝６０ｎｍ，Ｄ７５＝８５ｎｍ，Ｄ９７＝１００ｎｍ的颗粒分布较为集中的粉体材料，而后对铁粉颗粒进行厚度为２ｎｍ～３ｎｍ的防氧化包覆。球型颗粒的横截面面积要比片型粉体颗粒大得多，在实际使用中承载电流大，短路效果好，破坏力大，不宜氧化，使用量小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种纳米级铁粉，具体为一种电子设备短路专用纳米导电铁粉。技术背景专利申请号为2006100481685记载了一种金属纳米粉体零界颗粒切割生产 工艺，该专利申请记载了一种全新的零界颗粒切割金属纳米粉体材料工艺，以 铁粉为例，步骤包括，将铁粉置于一1(TC^+2(TC的零界加工温度状态下，然后 对铁粉颗粒进行高速切割，每分钟控制在4000 6000次，然后对切割后的铁粉 颗粒4000 6000转/分钟的高频研磨，再进行物理还原，表面处理，即可得到产 品，最后分级分选。能够加工出不同纳米级别的铁粉，利用该方法生产出的特 定颗粒直径的铁粉具有以往技术生产出的材料不同的优异特性，该工艺生产出 的各个不同级别的纳米铁粉特性有着明显的区别，经过分级筛选和配比后可广 泛用于不同行业或领域。专利申请号为2006101620469公开了一种金属微、纳 米颗粒包覆工艺，该申请的技术方案能在金属粉体材料的表面形成一层厚度为 lnm—3nm的高质量防氧化保护层，以下称为"DQ包覆法"。目前，美国在反恐 战争中使用的纳米导电粉，基本上是不规则的片型粉体材料，不规则的片型粉 体材料作为导电粉体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子设备短路专用纳米导电铁粉，其特征在于：是由以下方法制备，利用零界颗粒切割金属纳米粉体材料工艺在－２５℃～－３２℃的情况下，高频切割次数设定在每分钟５０００次－６０００次的情况下生产纳米铁粉，分选出Ｄ３＝１８ｎｍ，Ｄ２５＝３２ｎｍ，Ｄ５０＝６０ｎｍ，Ｄ７５＝８５ｎｍ，Ｄ９７＝１００ｎｍ的颗粒分布的粉体材料，而后利用“ＤＱ包覆法”对铁粉颗粒进行厚度为２ｎｍ～３ｎｍ的防氧化包覆。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王惠民，
申请(专利权)人：王惠民，
类型：发明
国别省市：14[中国|山西]