一种自愈合碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法技术

本发明专利技术属于碳化硅陶瓷基复合材料的制备技术，涉及对自愈合碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料制备方法的改进。其特征在于，制备的步骤如下：制备碳化硅纤维预制体；配制先驱体浸渍液；制备碳化硅纤维预制体界面层；定型；真空浸渍；干燥；热模压；裂解；带模具浸渍干燥裂解；去模具浸渍干燥裂解。本发明专利技术的工艺简单，对设备要求低，制备周期短，制备成本低，自愈合防氧化能力强。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于碳化硅陶瓷基复合材料的制备技术，涉及对自愈合碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料制备方法的改进。
技术介绍
碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料(SiCf/SiC)是在碳化硅陶瓷材料中添加碳化硅纤维作为第二相制备得到的，其可以在断裂过程中通过裂纹偏转、纤维断裂和拔出等机制吸收能力，增强材料的强度和韧性。SiCf/SiC具有高比强度、高比模量、高硬度、耐磨损、抗氧化、抗腐蚀、高温稳定性好等优点，已成为航空航天和核工业等领域新一代理想高温结构材料，尤其是推重比10以上航空发动机不可缺少的热结构材料，具有大幅减重、提高使用温度和综合性能的潜力。但是，由于SiCf/SiC的基体SiC及增强体SiC纤维中含有一定的自由C，在制备和使用过程中产生的热应力会导致SiC基体产生微裂纹，此外在材料制备过程中其内部残留10%左右的孔隙。微裂纹和孔隙导致SiCf/SiC在高温下氧化介质可以直接作用到材料内部，削弱了 SiCf/SiC的抗氧化能力，进而制约了 SiCf/SiC在内耐高温长寿命的高推重比航空发动机领域的应用。常被用来提高SiCf/SiC长寿命抗氧化的方法有采用化学气相渗透法(CVI本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自愈合碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，制备的步骤如下：1.1、制备碳化硅纤维预制体：以连续碳化硅纤维为原材料制备出碳化硅纤维预制体，其结构形式为：2维纤维铺层、2.5维纤维编织、3维纤维编织或3维纤维针刺毡；1.2、配制先驱体浸渍液：以聚碳硅烷和三甲胺基硼烷聚合物为溶质，以二甲苯为溶剂制备先驱体浸渍液，溶质占先驱体浸渍液的重量百分比为45%～60%，聚碳硅烷占溶质的重量百分比为60%～85%；1.3、制备碳化硅纤维预制体界面层：将碳化硅纤维预制体置于化学气相沉积炉内，以丙烷为气源，制备碳化硅纤维预制体热解碳界面层，沉积温度：1000℃，气体流量：1.0L/min，炉内压力：≤2...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邱海鹏，焦健，李秀倩，王宇，邹豪，
申请(专利权)人：中国航空工业集团公司北京航空制造工程研究所，
类型：发明
国别省市：